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2011年 第40卷 第1期
刊出日期：2011-02-15

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Tm3+/Ho3+掺杂的Gd3Ga5O12～2.0μm波段红外激光晶体的生长和性能研究

王燕;涂朝阳;周涵;李坚富;游振宇;朱昭捷

2011, 40(1):  1-6. 

摘要 ( 36 )   PDF (402KB) ( 41 )  

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采用提拉法生长了最大尺寸为φ25mm×(30～40)mm优质透明的Tm3+:GGG、Yb3+/Tm3+:GGG、Cr3+/Tm3+:GGG、Tm3+/Ho3+:GGG和Cr3+/Tm3+/Ho3+:GGG共五种晶体.在室温下测试了这些晶体的吸收光谱、荧光光谱及荧光衰减曲线等,详细研究了光谱性能,对部分晶体进行了Judd-Ofelt理论计算,得到强度参数等重要的光谱参数.计算了～2.0μm附近荧光峰值波长处相应的能级跃迁的发射截面、量子效率等.研究表明:Yb3+和Cr3+的掺入分别使得Tm:GGG晶体在980nm附近和451 nm、628 nm附近的吸收大大增强,有利于商业激光二极管和闪光灯泵浦.在Tm激活的Tm3+:GGG、Yb3+/Tm3+:GGG、Cr3+/Tm3+:GGG晶体中,～2.0μm波段附近发射强度和发射截面值最大的峰值对应的波长为2000nm;而在Ho激活的Tm3+/Ho3+:GGG和Cr3+/Tm3+/Ho3+:GGG晶体中,发射强度和发射截面最大的峰值对应的波长为2080 nm.用氙灯抽运键合的尺寸为φ5mm×45mm Cr3+/Tm3+/Ho3+:Gd3+ Ga5 O12晶体,在2.086～2.102μm波段实现了平均功率为170 mw的激光输出.

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2011, 40(1):  2. 

摘要 ( 13 )   PDF (510KB) ( 18 )  

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有机非线性光学晶体DAST的生长、形貌及透过光谱

李寅;张建秀;傅佩珍;吴以成

2011, 40(1):  7-11. 

摘要 ( 42 )   PDF (479KB) ( 36 )  

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采用自发结晶法和籽晶法制备了4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体,所得晶体尺寸为10 mm×10mm 1～2 mm.研究了不同生长位置对生长习性和晶体形貌的影响,在溶液中部或顶部生长时DAST晶体倾向于沿a轴方向生长,晶体呈片状;在溶液底部时DAST晶体c轴方向生长加快,晶体呈块状.测试了DAST晶体(001)面X射线衍射摇摆曲线,对比分析了不同生长方法对晶体质量的影响.另外,对所制备的DAST晶体的透过光谱及吸收系数进行了研究.

常压混合碱液条件下ZnO单晶生长习性的研究

赵兰玲;张素芳;王继扬

2011, 40(1):  12-16. 

摘要 ( 27 )   PDF (345KB) ( 26 )  

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采用常压混合碱液法,以NaOH、LiOH和H2O的混合碱液作助熔剂,重复生长了无色透明的六方片状、六方柱状和带六方双锥的完整单晶.经X射线衍射确认所生长的晶体均为六方纤锌矿型ZnO.实验表明,生长体系中NaOH与LiOH的物质的量比及ZnO的物质的量分数都对晶体的形貌有明显影响.NaOH与LiOH物质的量比为10:1、ZnO物质的量分数为0.077时,获得ZnO晶体的尺寸、透明度为最佳.

磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响

才玺坤;原子健;朱夏明;张兵坡;邱东江;吴惠桢

2011, 40(1):  17-21. 

摘要 ( 30 )   PDF (407KB) ( 25 )  

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采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响.X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大.1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm2/V·s和1.19×1019cm-3.用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm-3,在红外区(1.5～5.5μm)的平均透射率为85;,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱.

基于螺旋刻划方法的KDP晶体临界切削厚度研究

陈浩锋;王建敏;戴一帆;郑子文;彭小强

2011, 40(1):  22-26. 

摘要 ( 41 )   PDF (569KB) ( 25 )  

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为了取得贴近切削加工的临界切削厚度,本文提出了一种采用金刚石刀具对KDP晶体进行螺旋刻划、基于所得刻槽微观形貌特征参数计算临界切削厚度的新方法;分析了切削速度和材料各向异性对临界切削厚度的影响;通过切削实验验证所得临界切削厚度.结果表明,晶体材料的各向异性对临界切削厚度有显著影响;在低速切削范围内,切削速度对临界切削厚度影响不显著;基于所得临界切削厚度选择切削参数,实现了KDP晶体全晶向延性域切削,取得了表面粗糙度为2.57 nm(Ra)的超光滑表面.

六面顶压机合成腔中心温度轨迹控制方法研究

刘衍聪;郭欣;伊鹏;李继涛;任红伟

2011, 40(1):  27-32. 

摘要 ( 36 )   PDF (327KB) ( 24 )  

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金刚石合成过程中,稳定的最终压力和温度区域、初始升温升压的时间及方式都是合成工艺研究的重点,各边界温度条件对合成腔内温度都有重要影响.利用有限元方法建立了六面顶压机合成金刚石环境的热电耦合数值模型,对合成腔中心温度控制方法进行了研究.研究表明,合成腔中心升温时间效应对升温特征的描述是有效的,基于升温时间效应曲线和温度静态关系可以对腔体中心温度进行预测和控制.控制的关键是升温时间效应曲线的选取、变载点的确定和后继功率的施加方式.

含Ni-Al阻挡层硅基BiFe0.95Mn0.05O3铁电电容器的结构及物理性能

陈剑辉;刘保亭;魏大勇;王宽冒;崔永亮;王英龙;赵庆勋;韦梦袆

2011, 40(1):  33-37. 

摘要 ( 29 )   PDF (309KB) ( 20 )  

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以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn<0.05O3(BFMO)/SRO异质结电容器.x射线衍射(XRD)分析表明:Ni-Al阻挡层为非晶结构,BFMO薄膜为具有良好结晶质量的多晶结构.在5 kHz测试频率下,SRO/BFMO/SRO电容器呈现饱和的电滞回线.实验发现,SRO/BFMO/SRO铁电电容器具有良好的抗疲劳性能.漏电机制研究表明,外加电场小于210 kV/cm时,SRO/BFMO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在电场大于210kV/cm时,满足空间电荷限流传导机制.

热蒸发快速氧化法制备四枝杈纳米氧化锌

王万君;张艳;吴海霞

2011, 40(1):  38-43. 

摘要 ( 26 )   PDF (644KB) ( 37 )  

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以zn粉为原料,采用高温热蒸发快速氧化法制备四枝杈纳米氧化锌(T-ZnO).考察了反应温度、氧气流速及氮气流速对T-ZnO的产率及形貌的影响,利用SEM、EDS、XRD、HRTEM及SAED分析试样的微观形貌及成分.研究结果表明,在900℃、氧气流速为80 sccm、氮气流速为300 sccm的条件下,可制备出均一的、产率高达80;具有六方纤锌矿结构的高品质T-ZnO.

无铅高居里点BaTiO3-Bi0.5K0.5TiO3陶瓷的制备及其PTC性能的研究

韦继锋;蒲永平;毛玉琴

2011, 40(1):  44-47. 

摘要 ( 42 )   PDF (378KB) ( 23 )  

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采用固相反应法制备了(1-χ)BaTO3-χBi0.5K0.5TiO33(BT-BKT,χ=0,0.1和0.2),对陶瓷样品进行X射线衍射、扫描电镜、介电常数-温度及电阻率-温度测试分析,研究了掺杂BKT对该系统陶瓷相组成、显微结构和电性能的影响.结果表明:BaTi3,陶瓷的晶格参数c轴值随着BKT含量的增加基本不变,而a轴值有所减小.BT-BKT陶瓷的居里温度(Tc)随着BKT的加入向高温移动,当χ=0.1和0.2时,Tc分别提高至170℃和185℃左右;但室温电阻率随着BKT含量的增加明显增大.

化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究

李昭宁;王六定;王小冬;席彩萍;沈中元;赵景辉;吴宏景

2011, 40(1):  48-52. 

摘要 ( 36 )   PDF (409KB) ( 22 )  

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本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.

MPCVD法在基片边缘生长大颗粒金刚石的研究

满卫东;翁俊;吴宇琼;吕继磊;董维;汪建华

2011, 40(1):  53-59. 

摘要 ( 61 )   PDF (601KB) ( 48 )  

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本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出品粒尺寸达500 μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石.在实验中,利用SEM和Raman光谱对基片边缘区域和中央区域所沉积的金刚石颗粒进行了表征.结果表明,边缘处沉积的金刚石颗粒与中央区域沉积的金刚石颗粒相比,具有更大的晶粒尺寸和更好的质量.通过仔细观察实验条件,对边缘效应产生的原因进行了分析,发现由于基片边缘放电,使得基片表面的电场强度和温度分布发生变化,从而导致基片边缘区域的等离子体密度和温度高于中央区域,高等离子体密度和温度的综合作用是使得在基片边缘能以较高的沉积速率沉积出大尺寸金刚石颗粒的主要原因.

CdSe薄膜的制备及性能表征

黄平;李婧;梁建;赵君芙;马淑芳;许并社

2011, 40(1):  60-65. 

摘要 ( 31 )   PDF (519KB) ( 26 )  

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室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.

NiMnCo-C-S系中掺硫金刚石单晶的研究

周林;马红安;孙普男;贾晓鹏

2011, 40(1):  66-69. 

摘要 ( 26 )   PDF (257KB) ( 23 )  

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本文在5.5～5.7 GPa,1450～1550℃的条件下由镍锰钴-石墨-硫体系中合成金刚石单晶.合成的金刚石晶体具有完整的{111}和{100}面,内部有少量包裹体.晶体表面有凹坑,凹坑内有许多细小的孔洞,且有连晶出现.X射线荧光光谱检测结果表明,随着反应体系中硫含量的增加,晶体中硫和锰的含量明显增加,而镍和钴的含量却降低.这由于硫与触媒中的锰发生了反应,改变了合成触媒的成分配比,进而改变了触媒的性质.

外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜

刘敬松;李惠琴;曹林洪;徐光亮

2011, 40(1):  70-74. 

摘要 ( 23 )   PDF (348KB) ( 21 )  

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以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZTⅡ(001)[010]SROⅡ(001)[010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.

直流弧光放电PCVD金刚石膜制备中基底控温系统的研制与应用

张湘辉;汪灵;龙剑平

2011, 40(1):  75-82. 

摘要 ( 31 )   PDF (731KB) ( 41 )  

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基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统.将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征.结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所制备的金刚石薄膜的品质明显得到提高,具有广泛的应用前景.

泡生法生长蓝宝石单晶的热场改进与模拟优化

汪传勇;左然;Andrey Smirnov;Kirill Mazaev

2011, 40(1):  83-87. 

摘要 ( 35 )   PDF (313KB) ( 22 )  

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在泡生法蓝宝石单晶生长中,单晶炉内的热场对晶体质量至关重要.本文首先对单晶炉的顶部热屏、环形加热器和炉底保温进行了改进,然后结合计算机数值模拟,对热场改进前、后晶体的轴向和径向温度梯度、晶体表面温度分布、加热器功率等进行分析对比.结果表明:改进后的倾斜热屏增强了单晶炉内的辐射传热,对已生长出的晶体起到了后热作用,降低了晶体内的热应力;对加热器和底部钼保温层的改进,减小了加热器与坩埚间的热阻,增强了炉内的保温作用,使加热功率降低了约8;.

CuCl2·2H2O晶体聚集体形貌及晶体模型的建立

王浩铮;赵珊茸;王礼杰;连晨光

2011, 40(1):  88-93. 

摘要 ( 23 )   PDF (432KB) ( 33 )  

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本文通过斜方晶系水溶性晶体CuCl2·2H2O的生长实验,得到了晶体聚集体,观察了结晶形貌,探讨了该晶体聚集体形貌中蕴含的结晶学规律,建立了该晶体在理想情况下的聚集体的结晶学模型.在该模型中,晶体生长方向为[001],发育晶面为(100)、(010)和(110),形成聚集体形貌时晶体结合的共格晶界分别为(012)与(0 10 1)、(103)与(120 1)和(112)与(991)或(113)与(1313 1).试验观察验证了模型的正确性.

磷化铟纳米线的溶剂热制备及其表征

梁建;赵国英;赵君芙;张华;贾伟

2011, 40(1):  94-99. 

摘要 ( 27 )   PDF (557KB) ( 29 )  

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以氯化铟和无毒红磷为主要原料,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,采用溶剂热法低温合成磷化铟纳米线,并用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对所制备产物的结构和形貌进行了分析表征;能谱仪(EDS)和荧光分光光度计对所制备产物的成分,含量和发光性质进行了表征.结果表明:采用该方法制备出的磷化铟纳米线长短不同,最小直径为20 nm.在合适的条件下,改变反应温度、增加反应时间或改变碱溶液都可生长出高品质的磷化铟纳米线.

Bi3.25La0.75Ti3O12纳米片的水热合成及表征

郑刚;刘晓芳;王岩;刘晓利;王丹;高磊;孙华君;魏铭

2011, 40(1):  100-103. 

摘要 ( 25 )   PDF (396KB) ( 25 )  

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以硝酸铋、硫酸钛和硝酸镧为原料,氢氧化钠为矿化剂,采用水热法制备了镧掺杂的钛酸铋片状纳米材料,研究了水热温度和水热时间对其结构的影响.采用XRD和SEM对产品的物相和结构进行了表征.结果表明:以硫酸钛作为无机钛源,在较低的水热温度(200 ℃)、水热时间为6 h时可以制备出花状的Bi3.25La0.75Ti3O12纳米片.

吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带输运性质的影响

刘春梅;肖贤波;刘念华

2011, 40(1):  104-108. 

摘要 ( 24 )   PDF (490KB) ( 21 )  

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本文基于第一性原理研究了单个氢原子吸附缺陷对armchair型石墨烯纳米条带电子输运性质的影响.研究发现,吸附缺陷使armchair型石墨烯纳米条带在费米面附近的导电性有所降低,但透射能隙依然存在.缺陷对透射抑制的强弱与其吸附位置有关.在完整石墨烯纳米条带的布洛赫波函数分布几率较大处引入缺陷对电子输运的阻碍作用较大.对于布洛赫波函数分布相同的情况,吸附位置越靠近石墨烯纳米条带中心,则对电子输运的阻碍作用越大.

工艺因素对非水解溶胶-凝胶法制备钛酸铝纳米粉体的影响

江伟辉;胡紫;刘健敏;朱庆霞;冯果

2011, 40(1):  109-113. 

摘要 ( 28 )   PDF (439KB) ( 19 )  

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以无水三氯化铝和四氯化钛为前驱体,正丁醇为氧供体,选择聚乙二醇(PEG)为分散剂,采用非水解溶胶-凝胶法(NHSG),低温合成钛酸铝纳米粉体.借助XRD、FT-IR、TEM等测试技术研究了反应前驱体浓度、凝胶化工艺以及PEG的加入顺序对钛酸铝纳米粉体合成及分散效果的影响.结果表明:随着前驱体浓度的减小,氯化醇盐之间的异质聚合反应变弱,导致钛酸铝合成效果的变差,但粉体团聚程度有减小的趋势,优选的前驱体浓度为2.25mol/L;与直接干燥、回流、容弹三种凝胶化工艺相比,回流结合容弹的凝胶化工艺因有助于形成更多的Al-O-Ti异质键合,因此具有更好的合成效果;在回流后加入PEG1000,既可保证钛酸铝的低温合成,又可抑制粉体的团聚,有利于制备分散性好、合成率高的钛酸铝纳米粉体.

铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响

梁戈;郭烈萍;李洪涛;蒋百灵;焦栋茂

2011, 40(1):  114-118. 

摘要 ( 37 )   PDF (419KB) ( 27 )  

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基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/Si/…Al/Si/glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了退火前、后Al/Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了铝层厚度对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的本质影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,随退火过程的进行,Al、Si原子会沿Al/si层间界面进行互扩散运动且在Si层中达到临界浓度Cs的Al原子所在区域整体呈线形平行于Al/Si界面逐渐向铝原子扩散距离增大的方向推进;随着Al层厚度的增加,Al在Si层中达到临界浓度Cs的区域整体向前推进速度加快,已扩散区域产生硅初始晶核的数量也随之增大;随Al/Si层厚比的增大,虽因铝诱导而晶化的硅薄膜均为多晶态,但非晶硅薄膜在晶化过程中的生长晶面数量增多,同时硅晶粒的尺寸有所减小.

热处理工艺对超声电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

邹正光;聂小明;龙飞;陈壁滔

2011, 40(1):  119-123. 

摘要 ( 25 )   PDF (523KB) ( 18 )  

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采用三电极系统,在超声辅助下,以Mo薄片为柔性基底制备了CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,经热处理得到了具有黄铜矿型晶体结构的CIS薄膜.研究了热处理温度,保温时间和升温速率对CuInSe2薄膜成分、物相及形貌的影响.结果表明:热处理使薄膜物相变得纯净,随着热处理温度的提高、保温时间的延长和升温速率的减慢,结晶度提高.温度过高、时间过长制备的CIS薄膜表面有大颗粒出现以至表面粗糙度增加、颗粒不均匀.

氧化铝模板热卷曲问题的研究

王丹丽;阮永丰;张灵翠;王鹏飞;邱春霞;祝威

2011, 40(1):  124-129. 

摘要 ( 22 )   PDF (741KB) ( 38 )  

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多孔阳极氧化铝作为一种理想的模板材料,在纳米合成和微纳米技术领域有广泛的应用,然而氧化铝模板在高温退火时会发生卷曲,这大大限制了它的应用.本文就氧化铝模板的热卷曲问题进行了系统的研究,认为退火时产生次孔是导致模板卷曲的直接原因.并首次提出了采用加压退火方法,有效地解决了退火卷曲问题.文中报告了诸多AAO模板的热卷曲实验数据,并从微观角度对热卷曲原因进行了解释.

晶格动力学性质对钛酸锶介电行为的影响

蔡玉平;韩代朝;宁如云

2011, 40(1):  130-133. 

摘要 ( 37 )   PDF (252KB) ( 19 )  

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在105 K钛酸锶(SrTiO3)发生立方-四方的反铁畸变,对量子效应的吉布斯自由能取极小值,可得到一系列方程,原则上可以确定任意系统相变时的介电性质.研究了晶格动力学性质,特别是软模的行为,对理解介电性非常重要.介电常数完全由低频的光学声子模决定,从晶格动力学的性质出发,分析了低温时的居里-外斯定律行为.

超声波辅助固液反应球磨制备ZnFe2O4纳米晶的研究

叶插柳;陈鼎;刘红艳

2011, 40(1):  134-138. 

摘要 ( 33 )   PDF (352KB) ( 21 )  

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以α-Fe2O3和ZnO粉体为原料,在超声波辅助高能球磨作用下通过诱发固液相反应,并在低温下烧结合成了ZnFe2O4纳米晶粉末.采用X射线、透射电镜(TEM)对前驱体和烧结产物进行了表征,分析了球磨过程对粉体晶粒尺寸的影响和znFe2O4的形成过程.实验结果表明:超声波辅助固液球磨能在低温下烧结合成ZnFe2O4纳米晶,纳米晶的晶粒尺寸为15～25 nm;相比无超声波辅助下的固液球磨,超声波球磨降低znFe2O4烧结温度约50℃;同一烧结温度下,球磨时间越长,ZnFe2O4转化率越高,晶粒尺寸越小.

模板剂对微波水热合成CdS微晶相组成、形貌及光学性能的影响

胡宝云;黄剑锋;张钦峰;张海;曹丽云;吴建鹏

2011, 40(1):  139-143. 

摘要 ( 31 )   PDF (421KB) ( 22 )  

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采用微波水热法,以CdCl2·H2O和Na2S2O3·5H2O为镉源和硫源,分别以柠檬酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、六亚甲基四胺(乌洛托品)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为模板剂,合成了不同微观形貌的硫化镉微晶.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、EDS、透射电子显微镜(TEM)等对样品的物相、形貌和元素组成进行了分析.结果表明:通过添加不同模板剂制备了球形、花状和棒状硫化镉微晶,制备的硫化镉微晶结晶良好;紫外-可见吸收光谱分析表明,产物均发生了不同程度的蓝移.

水基流延制备Li1.075Nb0.625Ti0.45O3微波介质陶瓷基片

李绍纯;耿永娟;张启龙;杨辉

2011, 40(1):  144-149. 

摘要 ( 16 )   PDF (423KB) ( 24 )  

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以聚乙烯醇水溶液为粘结剂,乙二醇为增塑剂,聚羧酸铵盐为分散剂,通过水基流延工艺制备了Li1.075Nb0.625Ti0.45O3(LNT)微波介质陶瓷基片.对Li1.075Nb0.625 Ti0.45O3微波介质陶瓷水基流延浆料流变特性的研究表明,当分散剂用量为0.6 wt;.粘结剂用量为5 wt;,增塑剂用量为10 wt;时,流延浆料分散稳定性良好,呈现典型的剪切变稀型流体特性,满足流延成型工艺的要求.采用该配方制备的Li1.075Nb0.625Ti0.45O3水基流延基片力学性能良好,基片的微观结构均匀.

PS微球胶体晶体及其反相SiO2结构的制备和表征

万勇;蔡仲雨;赵修松;李洪亮;夏临华

2011, 40(1):  150-154. 

摘要 ( 26 )   PDF (712KB) ( 36 )  

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采用水平沉积方法,制作了多种FCC结构的聚苯乙烯(PS)胶体晶体,并实现了直径在2-10 μm一类大球的自组装.以PS胶体晶体为模板,采用垂直沉积方法得到了二氧化硅(SiO2)胶体晶体的反相结构.文中还对两种沉积方法进行了比较.

溶胶-微乳液-凝胶法合成堇青石陶瓷纳米粉体

陆浩然;王少洪;侯朝霞;王浩;牛厂磊;薛召露;王彩;胡小丹

2011, 40(1):  155-160. 

摘要 ( 30 )   PDF (452KB) ( 21 )  

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配制以 Al(NO3)3·9H2O、Mg(NO3)2·6H2O 和 TEOS 为前驱体原料的溶胶,使其增溶于 Triton X-100/正己醇/环己烷反相微乳液体系中,合成了堇青石纳米粉体.对微乳液拟三元相图、凝胶所需 pH 值及温度条件、溶胶凝胶机理及析晶过程进行了研究.结果表明,该方法合成纳米堇青石的最佳 pH 值为 5.5,微乳液体系的最佳增溶温度为 45℃.所得纳米粉体能在 950 ℃下低温致密化烧结,具有良好的介电性能(ε<3,tanδ<0.001;1 GHz),是应用于高频片式电感等电子元器件的理想介质材料.

非晶 Ti-Al 过渡层对 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器结构和性能的影响

赵冬月;刘保亭;郭哲;李曼;陈剑辉;代鹏超;韦梦祎

2011, 40(1):  161-165. 

摘要 ( 29 )   PDF (375KB) ( 23 )  

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应用磁控溅射法在 Pt/Ti/SiO2/Si(001)衬底上制备 5 mm 厚超薄非晶 Ti-Al 薄膜作为过渡层,利用脉冲激光沉积法制备 Ba0.6 Sr0.4TiO3 薄膜,构造了 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和 Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)结构的电容器,研究了 Ti-Al 过渡层对 Pt/BST/Pt 电容器结构及其性能的影响.实验表明,过渡层的引入有效地阻止了 Pt 电极和 BST 薄膜的互扩散,降低了 BST 薄膜氧空位的浓度,提高了铁电电容器的介电性能.当测试频率为 1 kHz、直流偏压为0 V时,介电常数由引入过渡层前的 530 增大到引入后的 601,介电损耗则由0.09减小到0.03.而且过渡层的引入有效地降低了 BST 薄膜的漏电流,使正负向漏电流趋于对称,在测试电压为5 V 时,漏电流密度由3.8×10-5 A/cm2 减小到 8.25 ×10-6 A/cm2.

薄膜厚度对 Mn-W 共掺杂 ZnO 透明导电薄膜性能的影响

张化福;刘瑞金;刘汉法

2011, 40(1):  166-169. 

摘要 ( 28 )   PDF (279KB) ( 19 )  

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利用直流磁控溅射法在低温玻璃衬底上制备了高导电透明的 Mn-W 共掺杂 ZnO(ZMWO)薄膜,并研究了厚度对薄膜结构、光学及电学性能的影响.X 射线衍射结果表明 ZMWO 均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的 c 轴择优取向.薄膜厚度对 ZMWO 薄膜的晶化程度、电阻率和方块电阻有很大影响.当薄膜厚度从97 nm 增大到456 nm 时,ZMWO 薄膜的晶化程度提高,而电阻率和方块电阻减小.当厚度为 456 nm 时,所制备ZMWO 薄膜的电阻率达到最小,其值仅为8.8×10-5 Ω·cm,方块电阻为1.9 Ω/□.所有薄膜样品在可见光区的平均透过率都较高,其值约为89;.当薄膜厚度从97 nm 增大到 456 nm时,光学带隙从3.41 eV增大到3.52 eV.

ZnSe/ZnS 核壳结构量子点的制备与表征

陈秀秀;刘福田;姜庆辉;王群;孙莉;王冬至

2011, 40(1):  170-175. 

摘要 ( 37 )   PDF (421KB) ( 55 )  

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采用外延生长法在低于 ZnS 晶体成核温度(120 ℃)的条件下,通过在ZnSe 量子点表面生长 ZnS,制备出结晶良好的 ZnSe/ZnS 核壳型量子点.通过 X 射线衍射(XRD),透射电镜分析(TEM)证实了核壳结构的生成.通过荧光光谱和紫外-可见光吸收光谱分析证实,核壳结构的形成改善了 ZnSe 量子点的荧光特性.通过改变反应温度、反应时间、反应物的用量等实验参数,可得到不同厚度ZnS壳层包覆的核壳型量子点.所制备的ZnSe/ZnS量子点具有良好的水溶性,可以分散形成稳定、澄清的水溶液.在紫外灯的照射下,溶液呈现明亮的蓝绿色荧光.

Ba2+对 YVO4:Dy3+荧光粉发光性能的影响

宋衍滟;赵麦群;何毓阳;高飞山;薛静

2011, 40(1):  176-180. 

摘要 ( 30 )   PDF (350KB) ( 20 )  

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用化学共沉淀法制备了 Y0.99-xBaxVO4:1; Dy3+荧光粉,研究了 Ba2+浓度(0≤x≤0.25)及电荷补偿剂 K+对荧光粉发光强度的影响.结果表明:在315 nm 紫外光激发下,随Ba2+浓度的增加,Y0.99-xBaxVO4:1;Dy3+荧光粉发光强度呈现先增加后降低的趋势,在x=0.1 处达最大值,与未添加 Ba2+的荧光粉相比发光强度提高约50;,但色坐标变化不明显,色温在5200 K 左右,为光色柔和的暖白光.电荷补偿剂 K+的添加使 Y0.99-xBaxVO4:1;Dy3+荧光粉在 Y0.99-x BaxKxVO4:1;Dy3+荧光粉发光强度的基础上明显提高,色坐标及色温变化不明显.

Sn1-x-yMnxSbyO2体系固溶体的相关系及形成机制

梁镇海;张文涛;张业

2011, 40(1):  181-186. 

摘要 ( 31 )   PDF (366KB) ( 28 )  

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本文采用化学共沉淀法制备一系列配比的三元 Sn1-x-yMnxSbyO2(y=0.05)固溶体,利用 XRD、TG-DTA 等分析了在 600～1000℃退火温度下的固溶体物相组成,并根据分析结果绘制了该固溶体在固相线下的相图,进而探讨了 Sn1-x-yMnxSbyO2(y=0.05)固溶体的形成机制.结果表明:在600～1000℃退火温度下,Sn0.9Mn0.05 Sb0.05O2 固溶体只存在四方金红石相的SnO2物相,锑和锰主要以Sb5+、Mn3+、Mn4+的形式进入SnO2晶格形成有限固溶体;Sn0.7Mn0.25Sb0.05O2 和 Sn0.6Mn0.35Sb0.05O2 固溶体在 700℃、800℃出现了立方相方铁锰矿型 Mn2O3,1000℃出现了四方相黑锰矿型 Mn3O4,Sn0.6Mn0.35Sb0.05O2 固溶体在1000℃时还出现Sb3+Sb5+O4 物相;固相线下 Sn1-x-yMnxSbyO2(y=0.05)固溶体相图包括六个区域,其中富含锡的(Sn,Mn,Sb)O2ss 区域是唯一的单相区,锰和锑主要分别以 Mn2O3 和Sb2O5 的形式溶入 SnO2 晶格中,并达到饱和.(Sn,Mn,Sb)O2ss 固溶体氧化物可作为良好导电性和耐腐蚀性的阳极中间层材料.

电化学沉淀法制备纳米结构氧化锌的场发射特性

王马华;朱汉清;朱光平

2011, 40(1):  187-192. 

摘要 ( 29 )   PDF (460KB) ( 30 )  

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对电化学沉淀法制备的氧化锌纳米棒阵列,通过室温下真空场发射电流密度与外加电压关系的测量,研究其场发射特性.根据测量数据,基于 Fowler-Nordheim 方程,估算了样品场发射效应的增强因子,观察到其取值随外加电压变化具有反常的两阶段性,即当外电场强度在3.3 V/μm 场发射开启值到4.3 V/μm之间时,增强因子值为1339,外加场强大于4.3V/μm 时,增强因子锐减至296;结合样品的光致发光谱和能量散射谱,应用半导体中强电场效应、掺杂半导体中温度对费米能级、载流子浓度和迁移率影响,通过场发射电流密度测量系统的串联电路等效,分析了样品缺陷态对此两阶段性的决定和影响.

LaMgAl11O19加入对8YSZ 材料力学性能的影响

李吉皎;房明浩;黄赛芳;黄朝晖;刘艳改

2011, 40(1):  193-196. 

摘要 ( 33 )   PDF (393KB) ( 25 )  

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为改善 8YSZ 材料的力学性能,利用呈板片状结构的 LaMgAl11O19 来强韧化 8YSZ 陶瓷,在 1600 ℃下保温 3 h制备了LaMgAl11O19 -8YSZ 复相陶瓷,研究了 LaMgAl11O19 的添加量对 8YSZ 基复相陶瓷的致密度、显微形貌和力学性能的影响.结果表明,添加板片状 LaMgAl11O19可较明显地改善8YSZ陶瓷的力学性能.当 LaMgAl11O19 的添加量为 20 wt;时,8YSZ基复相陶瓷的抗弯强度和断裂韧性分别为297.4 MPa和4.0 MPa·m1/2.

电极材料 LiCoO2晶体结构高分辨像模拟

闫时建;张敏刚;田文怀;曹林

2011, 40(1):  197-200. 

摘要 ( 21 )   PDF (536KB) ( 20 )  

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本文用高分辨计算机像模拟(EMS)绘制晶体结构的方法,以锂离子电极材料 LixCoO2 为例,在 LiCoO2[001]和[100]晶向上计算绘制了一系列高分辨模拟像,并对照解释 Li0.70CoO2 高分辨实验像,研究结果表明通过 EMS,有利于在增加对复杂晶体结构的直观认识的基础上指导实验,达到提高材料性能的目的.

邻菲咯啉铜微纳米棒的制备及其影响因素研究

陈桂花;王炳喜;尹志刚

2011, 40(1):  201-206. 

摘要 ( 39 )   PDF (488KB) ( 22 )  

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以五水硫酸铜和1,10-邻菲咯啉为原料,采用液相沉淀法制备邻菲咯啉铜(Ⅱ)微纳米棒,研究 pH 值和温度对产物形貌和尺寸的影响.通过 XRD、SEM、UV-Vis、FT-IR、元素分析和荧光光谱表征产物的结构与性能.结果表明,硫酸铜溶液的 pH 值显著影响室温时反应产物的物相和形貌.当起始 pH 值为 2.0和5.0时,分别生成了微米级的花状和长片状的单斜品系[Cu(phen)(H2O)2]·SO4;当 pH 值上升至 9.0和11.0时,分别生成了平均直径172 nm 和253 nm 的[Cu(phen)(OH)]2SO4·5H2O 棒状结构.在 pH 值为9.0条件下,棒状产物的直径随着反应温度的降低而减小,4℃时可获得平均直径为87 nm 的纳米棒.此外,片状[Cu(phen)(H2O)2]·SO4 的荧光光谱相对于纳米棒状[Cu(phen)(OH)]2SO4·5H2O 出现蓝移和发射增强现象.

多片式热壁 MOCVD 反应器的设计与数值模拟分析

彭鑫鑫;左然;于海群;陈景升

2011, 40(1):  207-212. 

摘要 ( 25 )   PDF (438KB) ( 26 )  

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本文提出一种多反应腔并联的水平热壁 MOCVD 反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的 TMG 浓度.由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和 GaN 的生长速率.可以多个反应腔并联生长,从而实现反应器的扩容.针对这种热壁式反应器,结合 GaN 的 MOCVD 生长进行了二维数值模拟,计算了不同流速、高度、长度和压力时反应器内流场、温场、浓度场分布以及生长速率,发现存在一个最佳的气体流速、反应器高度和长度条件,在此条件下,反应前体的产生与沉积达到平衡,从而有效抵消反应前体的沿程损耗,实现均匀的 GaN 生长.

粒度对水泥基压电复合材料的压电性能和力学性能的影响

龚红宇;张玉军;车松蔚;赵玉军

2011, 40(1):  213-217. 

摘要 ( 21 )   PDF (484KB) ( 20 )  

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本文制备了含不同粒度锆钛酸铅(PZT)的水泥基压电复合材料.其中,PZT 压电陶瓷粉体采用球磨法制得,其平均粒度范围为 3～482 μm.研究发现,PZT 粒度对复合材料的压电、介电性能以及力学性能有重要影响.随着PZT 陶瓷相粒度的增大,复合材料的压电应变常数(d33)和介电常数(εr)升高,但复合材料的老化稳定性变差、介电损耗(tanδ)增加、弯曲强度降低.

介孔氧化锌的微乳液法制备及表征

吕华;刘玉民;李双庆;席国喜

2011, 40(1):  218-223. 

摘要 ( 49 )   PDF (435KB) ( 19 )  

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以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)/苯乙烯/硝酸锌溶液/过硫酸钾组成的聚苯乙烯微乳液为模板,提出一种制备介孔氧化锌的简易方法,研究了煅烧温度对介孔氧化锌结构特性的影响,提出了介孔形成的可能机制.结果表明:煅烧温度较高时,所得介孔氧化锌的孔径较大,比表面积较小;当煅烧温度为 500℃时,所得纳米氧化锌的比表面积为 11.013 m2·g-1,孔容为0.135 cm3·g-1,介孔分布在40.2 nm左右.此外,光催化降解亚甲基蓝的实验表明所制备的介孔 ZnO 具有较高的光催化性能.

MgAl2O4粉体的低温燃烧合成与烧结性能

白佳海;刘俊成

2011, 40(1):  224-228. 

摘要 ( 31 )   PDF (429KB) ( 22 )  

相关文章 | 计量指标

以尿素、甘氨酸和淀粉为燃烧剂,用低温燃烧法合成了 MgAl2O4 纳米粉体,并研究硝酸铵(氧化剂)外加量对燃烧过程、粉体特性及烧结活性的影响,分别用 SEM、XRD 对 MgAl2O4 粉体的显微结构和物相组成进行了表征.实验结果表明:随着前驱体中硝酸铵加入量的增大,燃烧方式从无焰燃烧转变为有焰燃烧,且有焰燃烧时间显著增加,燃烧产物的烧失量大幅度减小,MgAl2O4 纳米晶的粒径明显增大,而粉体的烧结活性则先升高后降低.当硝酸铵和(硝酸铝+硝酸镁)的物质的量比为0.04:0.15时,用低温燃烧法合成的 MgAl2O4 粉体的烧结活性较高,制备的陶瓷材料的相对密度达到了98;.

Ag2V4O11纳米线的制备及光吸收性能研究

张绍岩;李英;梁慧霞;郧海丽

2011, 40(1):  229-232. 

摘要 ( 16 )   PDF (290KB) ( 17 )  

相关文章 | 计量指标

以Ag20和V2O5为原料,采用水热法合成了Ag2V4011纳米线.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对样品的结构及形貌进行了表征,并采用紫外-可见光吸收法(UV-vis)测定了样品的光吸收性能.紫外-可见光吸收测试显示AB2V4O11纳米线具有较宽的紫外-可见光吸收范围,通过计算得出Ag2V4O11-纳米线的光学带隙为1.77eV.

低温燃烧法制备Nd:YGG纳米粉体

朱晓薇;孙晶;万玉春;于文生;姜慧远;唐红娟

2011, 40(1):  233-236. 

摘要 ( 28 )   PDF (265KB) ( 20 )  

相关文章 | 计量指标

以柠檬酸为燃料,采用低温燃烧法制备了Nd:YGG纳米粉体,利用XRD、红外光谱、SEM及荧光光谱等测试方法对粉体的结构、形貌及荧光性能进行了表征.结果表明,锻烧温度为900℃时粉体已形成Nd:YGG纯相;Nd:YGG粉体平均粒径约为30nm;粉体的最强荧光发射峰位于1064.94tmt,是Nd3+的4F(3/2)→4I(11/2)能级跃迁导致的荧光发射.

焙烧温度对Li[Mn1/3Ni1/3CO1/3]O2结构及电化学性能影响

刘伶;张乃庆;孙克宁

2011, 40(1):  237-241. 

摘要 ( 28 )   PDF (414KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

采用碳酸盐共沉淀法制备了Li[Mn1/3Ni1/3Co1/3]O2,研究了前驱体的焙烧温度对材料结构和电化学性能的影响.XRD测试结果表明,800℃下焙烧得到的样品具有较好的层状结构和较低的阳离子混排程度.SEM测试表明合成材料具有球状形貌,平均粒径可达5μm,组成它的一次颗粒粒径平均为200nm.在2.8～4.3V(vs.Li/Li+)0.2C条件下进行充放电测试,800℃下合成的样品的首次放电比容量最高(159.06mAh·g-1),容量损失最小,循环50次后能保持初始放电比容量的95.7;.EIS分析结果表明,800℃焙烧的样品的电化学活性最好.

水热条件对合成WO3纳米棒形貌和光吸收特性的影响

傅小明;杨在志;徐艳

2011, 40(1):  242-246. 

摘要 ( 18 )   PDF (516KB) ( 23 )  

相关文章 | 计量指标

以钨酸钠为原料,硫酸钾为辅助盐,在强酸性反应体系通过水热法合成了WO3纳米棒.利用XRD,SEM,TEM和SAED等对产物进行了表征,结果表明:在水热体系中合成WO3纳米棒时,增加pH值、升高反应温度和延长反应时间,都有利于合成WO3纳米棒.在pH值为1.5、反应温度为240℃和反应时间72h下合成直径小于100nm的WO3纳米棒,此WO3米棒直径分布较均匀.对不同条件下合成的WO3进行紫外-可见光的吸收光谱分析可知,随着pH值的增加、反应温度的升高和反应时间的延长,获得的WO3样品的光吸收能力逐渐增加.

电注入着色氯化钠晶体光谱特性及激活能

宋翠英;王瑞;高云娥;成增运;顾洪恩

2011, 40(1):  247-250. 

摘要 ( 24 )   PDF (239KB) ( 23 )  

相关文章 | 计量指标

用自行研制的电注人装置,在不同条件下对氯化钠晶体进行电注人并使之有效着色.在着色晶体中有效地产生大量F、胶体C和N心,并研究了色心形成机理.对着色氯化钠晶体进行了系统光谱测量确定出这些色心的吸收光谱带光谱参数.通过计算得到氯化钠晶体F色心激活能为0.97eV.

直接合成法制备CdSe@SiO2荧光纳米材料

夏姣云;徐万帮

2011, 40(1):  251-257. 

摘要 ( 35 )   PDF (472KB) ( 26 )  

相关文章 | 计量指标

以3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPS)为修饰剂,直接法制备得到闪锌矿结构的CdSe@SiO2核-壳型量子点,该方法简化了制备硅烷化核-壳型量子点的流程,缩短了制备的时间.用荧光分光光度计,透射电子显微镜,X射线粉末衍射仪等分析测试方法对得到的核-壳型核-壳型量子点的性能进行表征.结果表明:n(Cd2+):n(SeSO2-3)和反应体系Ph值,对纳米晶的光学性质具有显著影响.在最佳合成条件下得到的CdTe@SiO2纳米粒子的平均粒径约为20nm,其大小均匀.与CdSe纳米粒子相比,CdSe@SiO2核-壳型量子点光化学性能较稳定,常温下可以放置半年以上.SiO2包覆的CdSe纳米粒子有效地提高了核-壳型量子点的稳定性,大大增强了其抗光漂白性能.

聚合物与表面活性剂混合模板调控碳酸钙结晶

丁红霞;尹晓爽;杨文忠

2011, 40(1):  258-265. 

摘要 ( 33 )   PDF (747KB) ( 39 )  

相关文章 | 计量指标

以聚乙烯醇(PVA)和聚苯乙烯磺酸钠(PSSS)分别与十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)组成混合模板,在CaCl2、Na2CO3体系中调控合成CaCO3晶体.考察了不同CTAB浓度及结晶温度对碳酸钙晶体的影响.通过扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(FT-IR)及X射线衍射(XRD)等技术对晶体的形貌和结构进行了表征,并对不同形貌碳酸钙的形成机理进行了探讨.结果表明:在PVA和CTAB模板中,5℃为方解石椭球状聚集体,25℃时为菊花状、立方状的方解石和球霰石的混晶,90℃时得到针状文石晶簇.以PSSS和CTAB模板调控下的碳酸钙,5℃时为球状的方解石和球霰石的混晶,25℃为颗粒均匀的球形球霰石,90℃时得到了花朵状文石.不同形貌及晶型碳酸钙的生成源自聚合物与CTAB组成复合物结构的差异.

20G钢表面喷涂MoB/CoCr金属陶瓷涂层的组织性能研究

陈袅;张仁元;李风

2011, 40(1):  266-272. 

摘要 ( 24 )   PDF (721KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

在20G钢换热管表面上利用低压等离子喷涂(UPS)制备MoB/CoCr金属陶瓷涂层.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDAX)对涂层的物相组成、微观组织和成分进行了表征,并对涂层的结合强度和抗热震性能进行研究.研究表明:喷涂前后涂层的物相相差不大,涂层为层状结构;涂层与20G基体之间、表面涂层与过渡涂层之间结合良好,涂层致密;涂层具有良好的结合强度和抗热震性能,在熔融AI-12.07; Si中经过1080h腐蚀后,涂层基本保持完好,具有很好的抗熔融铝硅腐蚀性能.

单晶硅电火花铣削维持电压测定及蚀除机理研究

鲁清;刘志东;田宗军;邱明波;黄因慧

2011, 40(1):  273-278. 

摘要 ( 25 )   PDF (464KB) ( 18 )  

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提出一种以电火花放电加工技术对半导体硅材料进行铣削加工的方法,建立了半导体放电加工电路模型,测量了半导体放电加工放电通道的维持电压,其值为18V.在此基础上,从放电能量和ANSYS仿真两个方面对单晶硅电火花铣削的蚀除机理进行了研究.通过单位能量蚀除量的计算,并与45钢比较,得出单位能量单晶硅的蚀除量是45钢的4倍,由此提出了单晶硅蚀除是热蚀除和热应力剥落综合作用的结果;通过仿真分别计算出单脉冲放电温度场和热应力场的蚀除量,其热应力剥落是热蚀除的4.6倍,与基于能量计算的分析结果基本吻合.最后实验验证了分析结果的正确性.

Cu掺杂ZnO铁磁性的研究

肖振林;史力斌

2011, 40(1):  279-283. 

摘要 ( 23 )   PDF (305KB) ( 22 )  

相关文章 | 计量指标

采用基于密度泛函理论(DFT)和局域密度近似(LDA)的第一性原理分析了Cu掺杂ZnO的磁性质.计算了6个不同几何结构的铁磁(FM)和反铁磁(AFM)耦合自由能,结果表明FM耦合更稳定.FM性质主要来源于Cu 3d与O2p原子之间的杂化.O空位和N杂质对Cu掺杂ZnO铁磁性的研究表明,O空位和N杂质不利于稳定其铁磁性质.通过研究Cu3d能级之间的耦合,阐述了Cu掺杂ZnO铁磁性产生的原因.另外,也分析了晶格轴应变和剪切应变对Cu掺杂ZnOFM耦合影响.

高温高压下微斜长石的阻抗谱实验研究

胡海英;李和平;代立东;朱成明

2011, 40(1):  284-289. 

摘要 ( 24 )   PDF (386KB) ( 21 )  

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在1.0～3.0GPa,673～973K和10(-1)～10(6)Hz条件下,利用交流阻抗谱实验技术,首次对微斜长石[K(0.73)Na(0.16)Ca(0.09)(0.98)AlTi(0.01),Si(2.99)O8]电导率进行原位测量.实验结果表明:样品的复阻抗的模和相角对频率有很强的依赖性;样品电导率随着温度升高而增大,电导率的对数和温度的倒数之间关系符合Arrhenius线性关系;微斜长石电导率随着压力升高而降低,而活化焓随之增加;离子导电机制对高温高压下微斜长石的导电行为给予了合理的解释.