非晶 Ti-Al 过渡层对 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器结构和性能的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (1): 161-165.

非晶 Ti-Al 过渡层对 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器结构和性能的影响

赵冬月;刘保亭;郭哲;李曼;陈剑辉;代鹏超;韦梦祎

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2011-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055;11074063);河北省自然科学基金(E2008000620);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(10963525D);高等学校博士点基金(20091301110002)

Effect of Amorphous Ti-Al Buffer Layer on the Structure and Properties of Pt/Ba0.6 Sr0.4 TiO3/Pt Capacitors

ZHAO Dong-yue;LIU Bao-ting;GUO Zhe;LI Man;CHEN Jian-hui;DAI Peng-chao;WEI Meng-yi

Online:2011-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用磁控溅射法在 Pt/Ti/SiO2/Si(001)衬底上制备 5 mm 厚超薄非晶 Ti-Al 薄膜作为过渡层,利用脉冲激光沉积法制备 Ba0.6 Sr0.4TiO3 薄膜,构造了 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和 Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)结构的电容器,研究了 Ti-Al 过渡层对 Pt/BST/Pt 电容器结构及其性能的影响.实验表明,过渡层的引入有效地阻止了 Pt 电极和 BST 薄膜的互扩散,降低了 BST 薄膜氧空位的浓度,提高了铁电电容器的介电性能.当测试频率为 1 kHz、直流偏压为0 V时,介电常数由引入过渡层前的 530 增大到引入后的 601,介电损耗则由0.09减小到0.03.而且过渡层的引入有效地降低了 BST 薄膜的漏电流,使正负向漏电流趋于对称,在测试电压为5 V 时,漏电流密度由3.8×10-5 A/cm2 减小到 8.25 ×10-6 A/cm2.

中图分类号:

O484

赵冬月;刘保亭;郭哲;李曼;陈剑辉;代鹏超;韦梦祎. 非晶 Ti-Al 过渡层对 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(1): 161-165.

ZHAO Dong-yue;LIU Bao-ting;GUO Zhe;LI Man;CHEN Jian-hui;DAI Peng-chao;WEI Meng-yi. Effect of Amorphous Ti-Al Buffer Layer on the Structure and Properties of Pt/Ba0.6 Sr0.4 TiO3/Pt Capacitors[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(1): 161-165.

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