12英寸硅单晶生长过程中熔液面位置控制方法研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1343-1347.

12英寸硅单晶生长过程中熔液面位置控制方法研究

朱亮;周旗钢;戴小林;张果虎;曹建伟;邱敏秀

浙江大学流体传动及控制国家重点实验室,杭州,310027;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088;浙江晶盛机电股份有限公司,上虞,312300

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家科技重大专项(2009ZX02011)

Research on Melt Level Control Method for 12 Inch Silicon Single Crystal Growth

ZHU Liang;ZHOU Qi-gang;DAI Xiao-lin;ZHANG Guo-hu;CAO Jian-wei;QIU Min-xiu

Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置.传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展.本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要.

中图分类号:

朱亮;周旗钢;戴小林;张果虎;曹建伟;邱敏秀. 12英寸硅单晶生长过程中熔液面位置控制方法研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1343-1347.

ZHU Liang;ZHOU Qi-gang;DAI Xiao-lin;ZHANG Guo-hu;CAO Jian-wei;QIU Min-xiu. Research on Melt Level Control Method for 12 Inch Silicon Single Crystal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(5): 1343-1347.

[1]	林海鑫, 高德东, 王珊, 张振忠, 安燕, 张文永. 大尺寸直拉硅单晶生长的多物理场建模与优化[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 17-33.
[2]	唐嘉, 孙志成, 张祖邦, 罗辉. 大尺寸CsPbBr₃晶体的熔体法生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 1-10.
[3]	许万里, 甘云海, 李悦文, 李彬, 郑有炓, 张荣, 修向前. 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 11-16.
[4]	赵青松, 牛晓东, 顾小英, 狄聚青. 大尺寸超高纯锗单晶的生长和性能研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 34-39.
[5]	王坤元, 梁小燕, 闵嘉华, 张继军. 原位热处理对碲锌镉晶体质量和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2079-2084.
[6]	刘帅伟, 关春龙, 鲁云祥, 易剑, 江南, 西村一仁. 金刚石在富氧环境下的高效抛光及其材料去除机制研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2094-2103.
[7]	肖海, 曾向东, 曾英, 熊国元, 赵淑芳, 张学宁. 氯化铷结晶介稳区宽度与生长动力学研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2141-2149.
[8]	郭俊, 刘坚, 王泽彬, 陈鹏, 宋青松, 马杰, 王庆国, 徐晓东, 徐军. Nd∶ASL单晶光纤的生长、光谱和激光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(11): 1877-1883.
[9]	李泓沅, 孙敦陆, 张会丽, 罗建乔, 权聪, 程毛杰. 含镓石榴石系列大晶格常数磁光衬底单晶研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1657-1668.
[10]	周霖涛, 赵涛, 孙志刚, 姜林文, 潘尚可, 潘建国, 郑燕青. 坩埚下降法生长2英寸镱掺杂钙铌镓石榴石单晶[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1669-1674.
[11]	安康, 许光宇, 吴海平, 张亚琛, 张永康, 李利军, 李鸿, 张旭芳, 刘峰斌, 李成明. 金刚石化学机械抛光研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1675-1687.
[12]	丁雨憧, 张灵, 李海林, 张月, 唐杨, 强铭, 林辉. 水平定向结晶法生长浓度渐变Yb∶YAG激光晶体及光谱性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1688-1698.
[13]	王文凯, 潘秀红, 胡雨青, 刘学超, 陈小红, 陈锟, 方婧红, 贺欢, 倪津崎. GaFeO₃∶Mg晶体的生长及磁学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1699-1704.
[14]	郑权, 刘学超, 王浩, 朱新峰, 潘秀红, 陈锟, 邓伟杰, 汤美波, 徐浩, 吴鸿辉, 金敏. 铝掺杂对硒化铟晶体结构与性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1528-1535.
[15]	覃佐燕, 金雷, 李文良, 谭俊, 何广泽, 武红磊. PVT法AlN晶体生长模式调控研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1542-1549.