磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (6): 1404-1409.

磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究

王斐;陈新亮;张翅;张德坤;魏长春;黄茜;张晓丹;赵颖;耿新华

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出版日期:2011-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CAA00705;201l CAA00706;2011CAA00707);国家高技术研究发展计划(863计划)(2009AA050602);科技部国际合作项目(N2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究计划项目(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金项目(65010341)

Growth and Characteristics of Hydrogenated Ga-doped ZnO Thin Films by Pulsed DC Magnetron Sputtering at Room Temperature

WANG Fei;CHEN Xin-liang;ZHANG Chi;ZHANG De-kun;WEI Chang-chun;HUANG Qian;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;GENG Xin-hua

Online:2011-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构.研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响.实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度.当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8 ×10-4 Ω·cm,Hall迁移率达34.2 cm2/Ⅴ·s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85;.此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型.

中图分类号:

TG356.28

王斐;陈新亮;张翅;张德坤;魏长春;黄茜;张晓丹;赵颖;耿新华. 磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1404-1409.

WANG Fei;CHEN Xin-liang;ZHANG Chi;ZHANG De-kun;WEI Chang-chun;HUANG Qian;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;GENG Xin-hua. Growth and Characteristics of Hydrogenated Ga-doped ZnO Thin Films by Pulsed DC Magnetron Sputtering at Room Temperature[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(6): 1404-1409.

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