提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (6): 1418-1422.

提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究

娄有信;王继扬;张怀金;李强;严清峰;马朝晖;戴媛静

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;清华大学化学系,北京,100084;辽宁大学物理学院,沈阳,110036;清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084

出版日期:2011-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB833103)

Study on Chemical Mechanical Polishing of Cu Single Crystal Wafer Prepared by Czochralski Method

LOU You-xin;WANG Ji-yang;ZHANG Huai-jin;LI Qiang;YAN Qing-feng;MA Zhao-hui;DAI Yuan-jing

Online:2011-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为φ15 mm×60 mm.采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm.

中图分类号:

TG356.28

娄有信;王继扬;张怀金;李强;严清峰;马朝晖;戴媛静. 提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1418-1422.

LOU You-xin;WANG Ji-yang;ZHANG Huai-jin;LI Qiang;YAN Qing-feng;MA Zhao-hui;DAI Yuan-jing. Study on Chemical Mechanical Polishing of Cu Single Crystal Wafer Prepared by Czochralski Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(6): 1418-1422.

[1]	毛晓辰;朱丽慧;虞慧娴;周昌鹤;孙士文;陈燕. 板片状Al2O3磨料对碲锌镉晶体机械研磨的影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(2): 261-266.
[2]	葛兴泽;王树彬;肖雄夫. 叔丁醇基凝胶注模成型制备ZTA多孔陶瓷[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(1): 24-30.
[3]	李宝让;高慧;张乃强;徐鸿. 煅烧制度对Lu2Ti2O7粉体生长形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(1): 146-151.
[4]	张超;丘泰;杨建;郭坚. 注凝成型制备氧化锆增韧氧化铝陶瓷[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(1): 152-157.
[5]	王斐;陈新亮;张翅;张德坤;魏长春;黄茜;张晓丹;赵颖;耿新华. 磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1404-1409.