退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (6): 1536-1540.

退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响

江锡顺;万东升;宋学萍;孙兆奇

滁州学院电子信息工程系,滁州,239000;安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039

出版日期:2011-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50872001);教育部博士点专项基金(20060357003);安徽省自然科学研究项目(KJ2010B148)

Effect of Annealing Temperature on the Microstructure and Photoelectrical Properties of ITO Films

JIANG Xi-shun;WAN Dong-sheng;SONG Xue-ping;SUN Zhao-qi

Online:2011-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1h.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析.分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体.退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率.退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3 Ω-1.

中图分类号:

O484

江锡顺;万东升;宋学萍;孙兆奇. 退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1536-1540.

JIANG Xi-shun;WAN Dong-sheng;SONG Xue-ping;SUN Zhao-qi. Effect of Annealing Temperature on the Microstructure and Photoelectrical Properties of ITO Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(6): 1536-1540.

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