不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (6): 1547-1551.

不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究

邓泽超;罗青山;胡自强;丁学成;褚立志;梁伟华;陈金忠;傅广生;王英龙

河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002

出版日期:2011-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
973计划前期研究专项(2011CB612305);河北省自然科学基金(E2008000631;E2011201134);河北省教育厅基金(2009308)

Nucleation and Growth Kinetics for Si Nano-crystallites Prepared by Pulsed Laser Ablation under Different Energy Density

Online:2011-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜.采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征.结果表明:沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内,晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小；随着激光能量密度的增加,晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽,但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变,只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移.结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程,通过模拟激光烧蚀靶材的动力学过程,对纳米Si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究.

中图分类号:

TB383.1

邓泽超;罗青山;胡自强;丁学成;褚立志;梁伟华;陈金忠;傅广生;王英龙. 不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1547-1551.

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不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究

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