Ce:YVO4晶体的生长及其电荷迁移发光

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 6-10.

Ce:YVO4晶体的生长及其电荷迁移发光

吴周礼;阮永丰;王友发;王帅;童红双

天津大学理学院,天津,300072

出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Charge Transfer Luminescence of Cerium-doped YVO4 Crystals

WU Zhou-li;RUAN Yong-feng;WANG You-fa;WANG Shuai;TONG Hong-shuang

Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为探索新型的白光LED荧光粉材料,采用提拉法生长了Ce2( CO3)3掺杂的Ce3+∶YVO4晶体,并对生长晶体的结构和光谱性能进行了表征.通过XRD测试,确定了由提拉法生长的Ce3+∶YVO4晶体的晶相没有发生变化.Ce3+∶YVO4晶体在450 nm处有一个较宽的发射带,在620 nm处有一个明显的发射峰.分析表明,在Ce3+掺杂的YVO4晶体中,铈离子主要以三价离子的形式存在,但在激发光照射下出现的620 nm发射表明有Ce4+存在,并且Ce4+与配位O2-形成了电荷迁移态(CTS).

中图分类号:

吴周礼;阮永丰;王友发;王帅;童红双. Ce:YVO4晶体的生长及其电荷迁移发光[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(1): 6-10.

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