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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 24-27.

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PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响

杨明超;陈治明;封先锋;林生晃;李科;刘素娟;刘宗芳   

  1. 西安理工大学,西安,710048
  • 出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    西安应用材料创新基金(XA-AM-201013)

Effect of the Growth Interface Shape on the Thermoelastic Stresses in SiC Crystal Prepared by PVT Technique

YANG Ming-chao;CHEN Zhi-ming;FENG Xian-feng;LIN Sheng-huang;LI Ke;LIU Su-juan;LIU Zong-fang   

  • Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要: PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响.本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向温差最小,同时产生缺陷的切应力Τrz及引起开裂的径向正应力σrr值都为最小.

关键词: SiC;数值模拟;缺陷;热应力

中图分类号: