热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 238-242.

热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟

滕冉;戴小林;徐文婷;肖清华;周旗钢

北京有色金属研究总院,北京 100088;有研半导体材料股份有限公司,北京 100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088

出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
科技部国际科技合作项目(2007DFC50310);国家科技重大专项项目(2008ZX02401)

Numerical Simulation on Effect of Heat-shield Optimization on the Growth of Large-Diameter Silicon Single Crystal

TENG Ran;DAI Xiao-lin;XU Wen-ting;XIAO Qing-hua;ZHOU Qi-gang

Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案.数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量.

中图分类号:

滕冉;戴小林;徐文婷;肖清华;周旗钢. 热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(1): 238-242.

TENG Ran;DAI Xiao-lin;XU Wen-ting;XIAO Qing-hua;ZHOU Qi-gang. Numerical Simulation on Effect of Heat-shield Optimization on the Growth of Large-Diameter Silicon Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(1): 238-242.

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