Au掺杂浓度对Si纳米线电子结构和磁性的影响

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 390-394.

Au掺杂浓度对Si纳米线电子结构和磁性的影响

梁伟华;赵亚军;王秀丽;郭建新;傅广生;王英龙

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB612300);河北省教育厅资助项目(2009308)

Effects of Au Doping Concentration on the Electronic Structure and Magnetic Properties of Si Nanowires

LIANG Wei-hua;ZHAO Ya-jun;WANG Xiu-li;GUO Jian-xin;FU Guang-sheng;WANG Ying-long

Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算.结果表明:杂质Au的形成能随Si纳米线直径的增大和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越小的Si纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的Si纳米线越不稳定.其磁性是由于Au d轨道和Si p轨道的p-d耦合而产生的；改变Au的掺杂浓度可改变Si纳米线的带隙,也改变了其磁矩的大小.

中图分类号:

O469

梁伟华;赵亚军;王秀丽;郭建新;傅广生;王英龙. Au掺杂浓度对Si纳米线电子结构和磁性的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 390-394.

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