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2012年 第41卷 第2期
刊出日期：2012-04-15

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2012, 41(2):  1. 

摘要 ( 11 )   PDF (709KB) ( 12 )  

相关文章 | 计量指标

CdGeAs2晶体退火与红外光学均匀性分析

唐婧婧;赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军;黄巍;刘维佳;张聪

2012, 41(2):  265-269. 

摘要 ( 19 )   PDF (620KB) ( 27 )  

相关文章 | 计量指标

采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8 μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性.结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3 ～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著；分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径.研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值.

钨酸铅闪烁晶体的双掺杂性能研究

刘志坤;熊巍;袁晖;谢建军;陈良;周尧;曾阳;施鹰

2012, 41(2):  270-274. 

摘要 ( 24 )   PDF (483KB) ( 17 )  

相关文章 | 计量指标

本文采用坩埚下降法生长出了PbWO4:(F,Er)晶体和PbWO4:(F,Nd)晶体,并且对此两种晶体透过性能和闪烁发光性能进行了测试分析.透过光谱结果显示,PbWO4:(F,Er)晶体和PbWO4∶(F,Nd)晶体在350 nm至700nm范围内的透过率比纯的钨酸铅均有较大的提高.紫外激发发射光谱测试结果表明,通过双掺杂可以提高钨酸铅晶体闪烁发光的强度,并且PbWO4:(F,Er)双掺杂晶体在波长为527 nm处和546 nm处均形成了较强的发光峰.通过对掺杂晶体进行XRD分析可知,阴阳离子的同时掺入并未引起钨酸铅晶体结构的明显改变.

三坩埚提拉法生长铽镓石榴石单晶研究

张艳;王佳麒;王有明;黄小卫;柳祝平

2012, 41(2):  275-278. 

摘要 ( 34 )   PDF (328KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

采用三坩埚提拉法生长出高质量铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,TGG)单晶,晶体尺寸为φ25 mm×40 mm.通过X射线衍射、双晶衍射分析讨论TGG单晶的晶体结构和单晶性,并采用He-Ne激光费尔德常数测试装置测定TGG单晶的费尔德常数.结果表明:采用三坩埚提拉法生长的TGG单晶具有＜111＞取向、强度高,双晶摇摆曲线半峰宽为17 s；晶体在632.8 nm处的费尔德常数为0.553 min/cm·Oe.

直流喷射电弧等离子体制备金刚石单晶的研究

李彬;闫占奇;李浩;韩晓泉;吕反修;陈广超;李宏

2012, 41(2):  279-283. 

摘要 ( 43 )   PDF (643KB) ( 45 )  

相关文章 | 计量指标

通过利用光发射谱技术,探测了大功率直流喷射电弧等离子体增强化学气相沉积方法中沉积区域的气相激元分布,进而优选了金刚石生长的位置.在沉积过程中,不断使衬底做背向等离子体的运动,实现了大颗粒金刚石的连续生长,颗粒尺寸达到约1 mm3.采用劳厄背反射X射线衍射测试技术和拉曼谱技术,对所制备的样品进行了测试,结果表明:所制备的颗粒为金刚石单晶.对于大尺寸衬底,研究了背向运动速度对沉积晶体的形貌和质量的影响,发现了ATG型不稳定形貌.

灯丝温度对热丝CVD法制备p型氢化纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响

潘园园;沈鸿烈;张磊;吴天如;江丰

2012, 41(2):  284-289. 

摘要 ( 35 )   PDF (330KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

本文采用热丝化学气相沉积法在不同灯丝温度(1650 - 1850℃)下沉积了p型氢化纳米晶硅薄膜,研究了灯丝温度对薄膜微结构、光学性能及电学性能的影响.结果表明,随着灯丝温度的升高,薄膜的晶化率先增大后略微减小,最大值是55.5;.载流子浓度和霍尔迁移率先分别从5×1017 cm-3和0.27 cm2/V·s增加到1.32×1020 cm-3和0.43 cm2/V·s后略微减小,同时电导率从0.02 S/cm显著增加到8.95 S/cm,而电导激活能则从271.5 meV急剧减小至25 meV.

CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究

李寒松;李焕勇

2012, 41(2):  290-293. 

摘要 ( 34 )   PDF (506KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析.研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40; ～42;,具有较高的结晶质量.该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3 ×l09 Ω·cm.

SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响

杨莺;刘素娟;陈治明;林生晃;李科;杨明超

2012, 41(2):  294-297. 

摘要 ( 46 )   PDF (455KB) ( 44 )  

相关文章 | 计量指标

为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体；生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量.

ZnGeP2晶体轴向成分均匀性对其红外光学性质的影响

徐婷;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;王志超;张建强

2012, 41(2):  298-301. 

摘要 ( 67 )   PDF (324KB) ( 18 )  

相关文章 | 计量指标

运用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对垂直布里奇曼法生长的ZnGeP2晶体的轴向组成进行分析,发现晶体的成分不均匀.采用Rietveld全谱拟合精修定量分析各物相的相对含量,发现晶体轴向组成分布存在较大差异.晶体肩部和尾部含有Ge和Zn3P2杂相,而主体部分为单相ZnGeP2质量相对较高.傅里叶变换红外光谱(FTIR)的测试结果表明,晶体轴向成分的差异对其红外透过率有较大影响.经过适当的热处理工艺,可以提高晶体的均匀性,改善其光学性能.

预处理对超纳米金刚石薄膜表面质量的影响

黑立富;刘杰;刘金龙;李成明;宋建华;吕反修

2012, 41(2):  302-305. 

摘要 ( 67 )   PDF (365KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

本文研究了金刚石粉手工研磨及超声波震荡两种预处理方法对硅片衬底及超纳米金刚石膜表面粗糙度和形貌的影响,利用表面轮廓仪、X射线衍射分析(XRD)、激光拉曼、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对衬底及超纳米金刚石膜进行表征.结果表明,由于衬底轮廓的遗传特性,手工研磨的硅片上沉积的超纳米金刚石膜表面粗糙度远高于超声震荡的硅片上沉积的超纳米金刚石膜.

Te溶剂-Bridgman法Cd0.9Mn0.1Te晶体生长习性研究

郑昕;杜园园;王涛;介万奇;齐阳;栾丽君

2012, 41(2):  306-311. 

摘要 ( 33 )   PDF (683KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻；采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界；采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60;,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.

pH值对微波水热法制备γ-MnS微晶形貌及光学性能的影响

辛宇;黄剑锋;曹丽云;刘佳;李嘉胤;吴建鹏

2012, 41(2):  312-317. 

摘要 ( 53 )   PDF (479KB) ( 26 )  

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采用微波水热法,分别以氯化锰和硫代乙酰胺为锰源和硫源,在不同的pH条件下合成了γ-MnS微晶.利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM)对样品的物相组成和微观形貌,粒径大小进行了表征.结果表明:在pH大于6时均能合成出结晶性较好的纤锌矿结构γ-MnS,随着pH的增大,产量提高,产物的粒径逐渐变小且自组装为球状微晶,粒径为0.5μm,利用紫外-可见吸收光谱分析(UV),自组装γ-MnS微晶球在300 ～400 nm处出现了较强的吸收峰,其光学带隙随着pH的增大而减小,在光电领域具有潜在的应用.

放电等离子烧结制备Ba2+掺杂γ-La2S3陶瓷及其性能研究

沙欢;李焕勇;罗发;汤庆新;李培森

2012, 41(2):  318-322. 

摘要 ( 64 )   PDF (389KB) ( 20 )  

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以气固反应硫化制备的γ-La2S3粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备出γ-La2S3多晶陶瓷.研究了Ba2+掺杂量对得到γ-La2S3粉体物相结构的影响,并分析了烧结温度、再硫化工艺参数对γ-La2S3多晶陶瓷微观组织结构和红外透过率的影响.结果表明:掺入Ba2有利于低温获得稳定的高温型γ-La2S3相,在nLa/nBa为5 ～15时能够得到纯相的γ-La2S3粉体.在烧结温度为1150℃,保温时间为5min时制备出的γ-La2S3陶瓷致密,无明显气孔,在CS2气氛下再硫化2.5h后,在10 ～ 14μm波段的红外峰值透过率达到42;.

WO3(001)极性表面及氢吸附特性的第一性原理研究

田相桂;张跃;杨泰生

2012, 41(2):  323-328. 

摘要 ( 34 )   PDF (548KB) ( 31 )  

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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对WO3 (001)的极性表面及其氢吸附特性进行了理论计算.通过对比WO表面和纯氧表面的表面化学势研究了两个极性表面的热力学稳定性,并分别计算了表面的几何结构和电子结构.结果表明:在贫氧环境中WO表面比较稳定,而在富氧环境中纯氧表面更稳定,WO表面和纯氧表面分别呈现n型半导体和p型半导体特性,表面原子通过调整W-O键长和键角实现表面弛豫.氢原子在两个极性表面不同吸附位置的计算表明:对WO表面和纯氧表面,W5c位和O1c位分别是稳定的吸附位置,且两者具有不同的反应特性.

射频磁控溅射制备纳米TiO2薄膜的表征和亲水性能

孟凡明;任莉;王雷妮;鲁飞

2012, 41(2):  329-333. 

摘要 ( 30 )   PDF (533KB) ( 16 )  

相关文章 | 计量指标

采用射频磁控溅射TiO2陶瓷靶的方法在硅和石英衬底上制备纳米TiO2薄膜,并经950℃退火1h.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光谱(UV-Vis)和接触角仪对薄膜相结构、表面形貌、光学性能和亲水性能进行表征.结果表明,与950℃退火1h相比,未退火薄膜是无定形结构并呈现较高的光致亲水性能.退火薄膜是锐钛矿和金红石混合相,其中锐钛矿相质量分数是11.34;.未退火和950℃退火1h的薄膜样品的能隙分别是3.03 eV和3.11 eV.未退火薄膜具有较高的光致亲水性能主要归因于其较低的光学能隙.退火薄膜的热致亲水性能与其相结构、表面清洁度和粗糙度有关.

氧对饵掺杂硅纳米晶粒电子结构和光学性质的影响

王秀丽;王英龙;梁伟华;傅广生

2012, 41(2):  334-337. 

摘要 ( 29 )   PDF (445KB) ( 25 )  

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采用第一性原理,对O与Er共掺杂硅纳米晶粒的电子结构及光学性质进行了计算.计算结果表明:O原子的掺杂没有影响Er掺硅纳米晶粒的禁带宽度；Er掺硅纳米晶粒结构在紫外区的吸收峰因O原子的掺入明显加强,红外区源于Er原子的吸收峰峰值减小.

硫镓银晶体的化学腐蚀研究

于鹏飞;朱世富;赵北君;陈宝军;何知宇;樊龙

2012, 41(2):  338-341. 

摘要 ( 23 )   PDF (623KB) ( 21 )  

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采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法自发成核生长AgGaS2晶体,在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行上提回熔,生长出外观完整、无裂纹的大尺寸AgCaS2单晶体.采用XRD对晶体进行分析,获得了(112)、(001)和(101)面的高强度尖锐衍射峰.采用不同配比的腐蚀剂对晶体(101)、(112)及(001)晶面进行化学腐蚀,然后采用金相显微镜和扫描电镜观察,结果显示,(101)晶面蚀坑为清晰的近似三角形的四边形蚀坑,(112)晶面蚀坑为清晰的近似三角锥形,(001)晶面则呈现互相垂直的腐蚀线.初步分析了不同蚀坑的形成原因,计算出(101)和(112)面蚀坑密度约为105/cm2数量级.结果表明,改进方法生长出的大尺寸AgGaS2单晶体结构完整、位错密度低,质量较好.

温度对TiO2-B纳米纤维的结晶度和稳定性的影响

黄传喜;朱克荣;庄永龙;金绍维;蒋忠瑜

2012, 41(2):  342-347. 

摘要 ( 31 )   PDF (705KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

本文以锐钛矿相二氧化钛纳米颗粒和NaOH溶液为前驱物,通过水热反应和退火处理制备了TiO2-B纳米纤维.用XRD、HRTEM和EDS对样品的结构、形貌及其演化进行了表征.讨论了水热反应温度和退火温度对TiO2 -B纳米纤维的结晶度、形貌和热稳定性的影响.结果表明:在160℃、180℃和200℃温度下水热反应,分别得到H2Ti4O9、H2Ti3O7和H2Ti4O9与H2Ti3O7混合的纳米纤维,400℃退火后,无论是H2Ti4O9还是H2Ti3O7纳米纤维都转化为TiO2-B纳米纤维,但从180℃水热反应得到的H2Ti3O7纳米纤维转化的TiO2-B纳米纤维具有较高结晶度和热稳定性.

负极材料Li4Ti5O12的制备与性能研究

李娟;贺春华;张海燕;曾志峰

2012, 41(2):  348-353. 

摘要 ( 26 )   PDF (453KB) ( 18 )  

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利用纳米二氧化钛(P25)粉为钛源,Li2CO3为锂源,采用固相法及高能球磨法制备亚微米级尖晶石Li4Ti5O12.将Li4Ti5O12与碳纳米管(CNTs)制备成复合电极作为工作电极与锂片组成电池进行电化学性能测试.通过SEM,XRD等表征材料形貌、结构及粒径分布,通过充放电测试表征其电化学性能.结果表明,在800℃合成温度及8h合成时间制备条件下可以得到小尺寸且颗粒均匀的亚微米晶体Li4Ti5O12,且合成的产物电化学性能最佳.在800℃及8h合成条件下,产物首次充放电容量分别为188.0 mAh/g和189.1 mAh/g,首次充放效率为99.4;,且具有良好的可逆性.

煅烧温度对络合溶胶-凝胶法制备ZnGa2O4微晶形貌及光催化性能的影响

刘亮亮;黄剑锋;曹丽云;吴建鹏;张晓薇

2012, 41(2):  354-358. 

摘要 ( 42 )   PDF (517KB) ( 22 )  

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采用EDTA络合溶胶-凝胶法制备了尖晶石结构的ZnGa2O4微晶.通过XRD、SEM等分析方法对ZnGa2O4微晶进行了测试和表征.研究了不同煅烧温度对其物相组成、显微结构及光催化性能的影响.结果表明,以乙酸锌和氧化镓为反应原料,以乙二胺四乙酸为络合剂,在650～800℃能合成单一物相的ZnGa2O4微晶.在700℃时可以成功制备八面体形的ZnGa2O4微晶,在800℃时可以合成棒状的ZnGa2O4微晶；随着温度从650～800℃逐渐升高,其对罗丹明B的光催化降解性能逐渐提高.

锰锌铁氧体纳米颗粒及其磁性液体的制备与磁性研究

李定国;熊杰;卢文华;熊永红

2012, 41(2):  359-364. 

摘要 ( 38 )   PDF (338KB) ( 39 )  

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采用化学共沉淀法制备出Mn1-xZnx Fe2O4(x=0.1,0.2,0.3)磁性颗粒,通过X射线衍射(XRD)测试分析了Mn1-xZnxFe2O4(x =0.1,0.2,0.3)颗粒的结构参数及平均粒径,结果表明制备的样品为锰锌铁氧体纳米粒子.用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的饱和磁化强度,对应x=0.1,0.2,0.3分别为25.3、44.4、30.7 emu/g.选用Mn0.8Zn0.2FeO4纳米粒子,通过油酸作分散剂,分散到航空煤油中制备出磁性液体样品,研究分析了磁性液体的磁化特性和热磁特性.

添加LCB玻璃的CSLST微波介质陶瓷低温烧结及其性能研究

李月明;金云海;沈宗洋;王竹梅;洪燕;汪启轩

2012, 41(2):  365-370. 

摘要 ( 23 )   PDF (582KB) ( 21 )  

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采用传统电子陶瓷工艺制备了添加Li2CO3-CuO-B2O3(LCB)玻璃为烧结助剂的(Ca0.9375 Sr0.0625)0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3 (CSLST)微波介质陶瓷,并对其烧结特性、晶相组成和介电性能进行了系统的研究.结果表明:通过液相烧结,LCB玻璃能有效降低CSLST烧结温度至900℃.XRD分析结果显示添加LCB玻璃后材料中均产生了杂相.性能分析结果发现随着LCB添加量的增大,陶瓷的体积密度、介电常数εr、品质因数与谐振频率乘积Q×f呈现先上升后下降的趋势,频率温度系数Tf则单调降低.添加质量分数为12.5;的LCB玻璃的CSLST陶瓷在900℃下保温5h可以完全烧结,并具有最佳的微波介电性能:εr=77.7,Q×f=1845 GHz,Tf=21.35 × 10-6/℃.

MgTiO3对Mg2SiO4-SiC复相材料烧结性能的影响

周萍;李晓云;丘泰;杨建

2012, 41(2):  371-375. 

摘要 ( 28 )   PDF (397KB) ( 17 )  

相关文章 | 计量指标

在采用传统固相法预合成Mg2SiO4和MgTiO3粉体的基础上,在H2气氛下常压烧结制备了Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料.研究了Mg2SiO4和MgTiO3的最佳原料配比及MgTiO3的添加量、烧结温度、保温时间对复相材料烧结性能和相组成的影响.结果表明:Mg2SiO4粉的最佳Mg/Si物质的量比为2.02,MgTiO3粉的最佳Mg/Ti物质的量比为1,Mg2SiO4-MgTiO3-SiC复相材料的相组成为Mg2SiO4、MgTiO3和6H-SiC; MgTiO3的加入可促进材料烧结,最佳保温时间为1h.

C和N元素掺杂Ti3O5的第一性原理研究

刘睿;尚家香

2012, 41(2):  376-380. 

摘要 ( 51 )   PDF (415KB) ( 25 )  

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本文采用第一性原理计算方法与准谐德拜模型相结合研究了C、N取代掺杂O原子对β-Ti3O5和λ-Ti3O5的电子结构以及相变温度的影响规律.结果表明:C元素对两相的电学特性影响较大,掺杂后β-Ti3O5和λ-Ti3O5的带隙宽度分别增加至1.25 eV和1.5 eV；氮元素的掺杂使β-Ti3O5的带隙增大到0.5 eV,同时仍然保持λ-Ti3O5的金属性不变,加剧了相变前后两相的电学差异,N掺杂使Ti3O5更适于应用在光学存储领域；同时对N掺杂Ti3O5的相变影响进行了研究,发现N掺杂可以有效降低相变温度.

溅射法制备YAG:Ce3+荧光薄膜

高康;朱归胜;徐华蕊

2012, 41(2):  381-384. 

摘要 ( 23 )   PDF (475KB) ( 20 )  

相关文章 | 计量指标

以自制铈掺杂立方相钇铝石榴石(YAG:Ce3+)荧光粉为原料经冷静压压制得到粉末靶材,在纯氩气气氛下通过射频磁控溅射法在石英玻片上镀膜,随后在氩气气氛下1100℃/3 h热处理得到YAG:Ce3+荧光薄膜.系统探讨了溅射功率、靶间距等因素对YAG:Ce3+荧光薄膜物理和发光性能的影响.分析发现采用粉末靶可以明显提高YAG:Ce3+薄膜溅射沉积速率,在靶间距20mm,溅射功率300 W的制备条件下得到的荧光薄膜经450 nm蓝光激发时,可发射524 nm的光,较商用荧光粉发射峰略有蓝移.粉末靶溅射制备荧光薄膜具有大规模实际应用潜力.

LGAS晶体的微结构及声表面波特性研究

吴冲;邱贝贝;卢贵武

2012, 41(2):  385-389. 

摘要 ( 32 )   PDF (500KB) ( 34 )  

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本文采用第一性原理计算了La3Ga5-xSiAlxO14 (LGAS)压电晶体几何结构、能带和态密度.并研究了其在X、Y和Z切型的声表面波速度、机电耦合系数及能流角.当x=0.5时,构建了La3Ga4.5SiAl0.5O14晶体的1×1×2超晶胞结构,发现A1原子替代2d四面体位置的Ga原子时体系总能量最低,体积最小,因此是最稳定的状态.与石英相比,LGAS具有声表面波速度较低、机电耦合系数较大且存在能流角为零的切型等优点.掺Al元素降低了成本但对结构和声表面波特性影响不大.Y切0是较好的切型,可用于制备声表面波器件.

Au掺杂浓度对Si纳米线电子结构和磁性的影响

梁伟华;赵亚军;王秀丽;郭建新;傅广生;王英龙

2012, 41(2):  390-394. 

摘要 ( 27 )   PDF (367KB) ( 19 )  

相关文章 | 计量指标

利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算.结果表明:杂质Au的形成能随Si纳米线直径的增大和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越小的Si纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的Si纳米线越不稳定.其磁性是由于Au d轨道和Si p轨道的p-d耦合而产生的；改变Au的掺杂浓度可改变Si纳米线的带隙,也改变了其磁矩的大小.

CuO-NiO/SnO2光催化剂的制备、表征及产氢性能

郑先君;黄娟;魏丽芳;魏明宝

2012, 41(2):  395-400. 

摘要 ( 24 )   PDF (459KB) ( 18 )  

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采用溶胶-凝胶法制备纳米SnO2,通过浸渍法制备CuO-NiO/SnO2光催化材料,采用XRD、UV-Vis DRS、TEM及HRTEM对其结构、形貌及光吸收性能进行表征.在紫外灯照射下,以无水乙醇为电子给体,详细考察了CuO掺杂量、NiO掺杂量、乙醇浓度等对SnO2光催化产氢性能的影响.研究结果表明:5; CuO-7; NiO/SnO2的光催化产氢性能最佳,约是同条件下纯SnO2产氢性能的2.8倍；最优乙醇浓度约为1.2 mol/L.

沉淀法制备钨酸铅微晶及形成机理研究

邵明国;向卫东;尹德武;蔡倩;王芸;钟家松;梁晓娟

2012, 41(2):  401-406. 

摘要 ( 35 )   PDF (583KB) ( 30 )  

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以硝酸铅和钨酸钠为原料,以聚乙二醇400为分散剂,采用沉淀法制备出不同形貌的钨酸铅微晶.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(FESEM)测试、能量分散光谱(EDS)、荧光光谱(PL)对样品进行了表征.结果表明:在80℃烘干后,得到结晶性能良好的纯相PbWO4；随着聚乙二醇-400量的增加,钨酸铅微晶形貌由塔状变向梭子状转变,且分散性良好、无团聚发生；PbWO4微晶在350 ～ 650 nm范围内具有较宽的发射谱带,由三组主要的发光峰构成,分别在430 nm、465 nm左右的蓝色发光峰和560 nm左右的弱的黄绿色发光峰.最后研究了PEG-400在PbWO4微晶生长阶段的控制作用,并提出了PbWO4有序微晶结构的形成机理.

抛光铜箔衬底上石墨烯可控生长的研究

孙雷;沈鸿烈;吴天如;刘斌;蒋烨

2012, 41(2):  407-413. 

摘要 ( 23 )   PDF (689KB) ( 41 )  

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本文报导以固态聚苯乙烯为碳源,经机械抛光和电化学抛光双重处理的铜箔为衬底,用CVID法进行石墨烯可控生长的研究结果.用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、光透射谱、扫描隧道显微镜和场发射扫描电镜对生长的石墨烯进行了表征.研究发现经过抛光处理的铜箔由于其平整的表面和很低的表面粗糙度,在其上生长的石墨烯缺陷少,结晶质量高.而未经抛光处理的铜箔在石墨烯生长过程中,铜箔不平整的表面台阶会破坏其上生长的石墨烯的微观结构,在生长的石墨烯二维结构中产生高密度晶界和缺陷.还在双重抛光处理的铜箔上实现了石墨烯的层数可控生长,结果表明固态碳源聚苯乙烯的量为15 mg时可生长出单层石墨烯,通过控制固态源重量得到了1～5层大面积石墨烯.

Cu掺杂对ZnO基薄膜光学及磁学性能影响

张瀚铭;方庆清;王伟娜;李金光;张启平;丁琼琼

2012, 41(2):  414-418. 

摘要 ( 30 )   PDF (303KB) ( 30 )  

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本文采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长出单晶ZnCoAlO薄膜,并通过加镀Cu层调节薄膜的光学和磁学特性.采用X射线衍射仪(XRD),光致发光光谱仪,振动样品磁强计(VSM)和霍尔效应仪对薄膜的结构、光学和磁学性能进行了研究.实验表明,样品均具有纤锌矿结构并沿(002)面择优生长.加镀Cu层之后,薄膜紫外发光得到增强,掺杂导致薄膜ZnO晶格能带间隙变宽,并使得近带边激子发光增强.同时发现,在室温下Cu离子对薄膜磁性和电子浓度产生影响,Cu掺杂可以改变薄膜中载流子浓度,并影响原有磁性的双交换机理.

尖晶石型纳米CoAl2O4色料水热合成工艺研究

卢希龙;胡琪;洪琛;陈云霞;沈华荣;曹春娥

2012, 41(2):  419-424. 

摘要 ( 29 )   PDF (572KB) ( 20 )  

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分别以钴、铝的氯化物、硝酸盐和硫酸盐为起始原料,NaOH为沉淀剂,用水热法合成了纳米尖晶石型钴蓝色料.分别研究了填充度、pH值、nCo/nAl、起始原料种类以及浓度等对合成色料物相组成、颗粒大小与形貌和呈色的影响.用XRD、TEM和色度分析对样品进行了表征.结果表明:以浓度分别为0.15 mol/L和0.3 mol/L的CoCl2·6H20和AlCl3为起始原料,在填充度为70;、pH值为13、nCo/nAl为1/2的条件下,245℃水热培育20h制得呈色良好的尖晶石型钴蓝色料,颗粒为八面体型,晶型完整,粒径多为100 nm以下.相同条件下,以钴、铝的硫酸盐为起始原料,产物中除COAl204外,还有Co-Al LDHs、γ-AlO(OH)和β-Al(OH)3；以钴、铝的硝酸盐为起始原料,样品呈绿色,颗粒为八面体型Co-Al204,粒径多为100 nm以上.

Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3无铅压电陶瓷的制备与性能

崔业让;刘心宇;袁昌来;胡耀斌;马家峰;李文华

2012, 41(2):  425-429. 

摘要 ( 26 )   PDF (389KB) ( 20 )  

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采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3) TiO3-Ba( Zr0.2Ti0.8)O3(简称BCZT)无铅压电陶瓷.借助XRD、SEM、阻抗分析仪等对该陶瓷的相组成、显微结构以及压电和介电性能进行了研究.结果表明,Fe2O3掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度Tc从85℃提高到95℃；当Fe2O3掺杂为0.02wt; ～0.lwt;时,陶瓷样品均为ABO3型钙钛矿结构；少量Fe2O3掺杂促进了陶瓷晶粒的生长,但随着Fe2O3掺杂量进一步增加,陶瓷晶粒随之细化；当Fe2O3掺杂量为0.04wt;时,陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为400 pC/N,0.40,51,0.023和3482.

不同硫源对微波水热法制备SnS粉体结构和光学性能的影响

张培培;黄剑锋;曹丽云;张烨

2012, 41(2):  430-435. 

摘要 ( 34 )   PDF (599KB) ( 32 )  

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采用微波水热法,以氯化亚锡为锡源,硫化铵、硫脲、硫代乙酰胺、硫代硫酸钠等为硫源,在相同的条件下制备SnS粉体,研究了不同硫源对产物物相、形貌和光学性能的影响.采用XRD、SEM、TEM对样品的物相和形貌进行了分析.结果表明:除硫代硫酸钠外,由其他硫源制备的产物均为正交晶系的SnS粉体；通过不同的硫源可制备类球形、不规则长方体和花簇状SnS微晶.利用紫外-可见吸收光谱分析,产物的光学带隙约为1.48～1.61eV；室温光致发光光谱表明,产物在830 nm处具有近红外发光特性.

燃烧辅助合成LiNi0.05Mn1.95O4粉体及其性质研究

吴显明;陈上;刘金练;麦发任;李长安

2012, 41(2):  436-440. 

摘要 ( 24 )   PDF (416KB) ( 17 )  

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以醋酸锂、醋酸锰、硝酸镍、柠檬酸、乙二醇为原料,采用燃烧辅助合成锂离子电池正极材料LiNi0.05Mn1.95O4.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、循环伏安、恒电流充放电等技术对合成产物进行物相、形貌及电化学性能分析与测试.结果表明:采用燃烧辅助合成LiNi0.05MnIn95O4过程中,前驱体在空气中点燃后已形成单一尖晶石相,经750℃热处理4h后得到的LiNi0.05Mn1.95O4粉末X射线衍射峰尖锐,结晶性好,晶粒尺寸均匀.该法合成的LiNi0.05Mn1.95O4粉末首次放电比容量为117.5 mAh·g-1,经50次充放电循环后的容量保持率为95.1;,合成的LiNi0.05Mn1.95O4粉末具有良好的电化学性能.

铌镁酸铅陶瓷的稀土元素及钛酸铅互掺改性研究

李惠琴;刘敬松

2012, 41(2):  441-447. 

摘要 ( 17 )   PDF (509KB) ( 26 )  

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本文采用了铌铁矿法,研究了稀土元素及钛酸铅(PT)的掺入对铌镁酸铅(PMN)铁电陶瓷的介电性能及拉曼行为的影响.分别掺入Y2O3 、Sin2O3、La2O3稀土氧化物后,PMN的介电常数峰值(εm)有所下降,而掺人PT后εm有所上升.稀土元素的掺人使相转变温度(Tm)朝远离居里点的低温方向移动,室温下的介电损耗值减小,介电常数频率稳定性得到增强.PT的掺入使Tm朝接近居里点的高温方向移动.拉曼光谱研究表明稀土元素、PT的掺人影响了PMN陶瓷的B位有序度,导致其介电性变化.

沉积氧压对Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜的结构和介电特性的影响

张效华;辛凤;胡跃辉;杨丰;陈义川

2012, 41(2):  448-451. 

摘要 ( 26 )   PDF (347KB) ( 14 )  

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采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.507(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备立方BZN薄膜.研究了沉积氧压的变化对薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的影响.结果表明:沉积的BZN薄膜都呈现出立方焦绿石单相结构,但是薄膜的取向随氧压变化而变化.当沉积氧压为10Pa时,薄膜的(222)晶面拥有最强的择优取向.随着氧压的升高,BZN薄膜的介电常数明显降低.在10 Pa氧压下沉积的BZN薄膜展示出介电可调特性为5; (500 kV/cm).

纳米片自组装La2S3微晶的制备及其发光性能

张烨;曹丽云;黄剑锋;张培培;齐慧

2012, 41(2):  452-456. 

摘要 ( 35 )   PDF (407KB) ( 26 )  

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以LaCl3·7H2O和Na2S2O3·5H2O为前驱物,采用微波水热法制备La2S3微晶,研究了溶液pH值对产物相组成及显微结构的影响.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)以及室温光致发光光谱(PL)对La2S3微晶进行了表征.结果表明:在溶液pH值为3～8时,产物物相为β-La2S3;La2S3微晶为由纳米片自组装的结构；所制备的La2S3微晶具有较强的紫外吸收特性；La2S3微晶在紫外光的激发下有较好的蓝绿光发射性能.

衬底温度对Cu2O薄膜结构和性能的影响

董国波;张铭;王玫;李英姿;李朝荣;李华;黄安平;严辉

2012, 41(2):  457-460. 

摘要 ( 31 )   PDF (402KB) ( 14 )  

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采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜.系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点.电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV.

多晶形γ-CuI晶体的制备与导电性能表征

刘飞;祝博;王晓丹;曹建新

2012, 41(2):  461-467. 

摘要 ( 30 )   PDF (745KB) ( 42 )  

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以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体.采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响.结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI.按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2h可制备出六边形薄片状γ-CuI.不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响.纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9 Ω·cm.

盐酸对共沉淀法合成单分散性纳米四氧化三铁的改性研究

丁永玲;刘福田;程传兵;蔺锡柱

2012, 41(2):  468-473. 

摘要 ( 39 )   PDF (562KB) ( 24 )  

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采用共沉淀法合成了粒径为6～10 nm的Fe3O4粒子.借助X射线衍射、红外光谱分析和透射电子显微镜等对其进行了表征.盐酸对纳米Fe3O4分散性的影响通过透射电镜和紫外可见吸收光谱进行表征.结果表明:盐酸对纳米Fe3O4的分散性有很大影响.这种作用机理通过Zeta电位进行验证,表明颗粒的分散性和稳定性随扩散双分子层的厚度而变化,而且,改性后的纳米Fe3O4显示了更好地超顺磁性.

超声辅助沉淀法制备疏水性纳米SiO2

宋英泽;宋丽贤;卢忠远;芦艾;王杰;周浩

2012, 41(2):  474-478. 

摘要 ( 31 )   PDF (511KB) ( 20 )  

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采用超声沉淀法制备出SiO2纳米粉体,利用硅烷偶联剂γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-570)对其进行了表面改性,并利用红外光谱(FT-IR)、热重(TG)、接触角、透射电镜(TEM)等方法对SiO2的结构和性能进行了表征,并研究了KH -570用量和改性时间对SiO2活化指数的影响.结果表明:与普通搅拌相比,超声更利于纳米SiO2的制备和改性.超声条件下,KH-570成功接枝到SiO2纳米粒子的表面.且改性后的SiO2疏水性提高,在无水乙醇中的分散状态得到明显改善.当改性剂用量为6 mL,改性时间为1h时,SiO2纳米粒子的活化指数达到100;.

均匀共沉淀法制备NiO包覆Al粉体及性能研究

武晓威;冯玉杰;陈宇;张杰;孟昭红

2012, 41(2):  479-484. 

摘要 ( 21 )   PDF (503KB) ( 19 )  

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采用均匀共沉淀法制备了NiO包覆片状铝粉的NiO/Al复合粉末,系统研究了制备工艺对NiO/Al复合粉末红外发射率的影响.采用XRD和SEM对复合粒子的晶体结构及表面形貌进行了分析,利用傅里叶变换红外光谱仪和矢量网络分析仪对复合粉末的红外发射率和电磁参数进行了测试.结果表明:当铝粉的量为2.0g,反应时间7.0h,反应温度70℃,煅烧温度450℃时,所得复合粉末的红外发射率最低0.5556；复合粉末的表面NiO包覆较为完整,复合粉末呈片状,厚度基本均匀；复合粉末具有较好的电磁性能.

高纯TiO2超微粉体的制备

吴南;马伟民;毕孝国;管仁国;朱红艳;滕飞

2012, 41(2):  485-490. 

摘要 ( 32 )   PDF (595KB) ( 18 )  

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以廉价的TiCl4为原料,液体石蜡为纯化剂,氨水作形核剂,制备出高纯TiO2超微粉体.用XRF分析了样品的物相组成；XRD和SEM等手段表征了粉体合成过程的物相变化和形貌特征.结果表明,TiCl4经过矿物油(液体石蜡)除钒和精馏除铁等杂质后进行水解,当TiCl4溶液浓度0.65 mol/L,水解温度60℃、反应时间2h、pH值=7、在800℃煅烧2h条件下,制备出TiO2的纯度达到99.9952;,晶型为金红石相,晶粒尺寸约0.65 μm,形貌近球形.

葡萄糖胺稳定CdS量子点的绿色合成及光谱特性

闫云辉;李向荣;董丽;孙祥德

2012, 41(2):  491-495. 

摘要 ( 21 )   PDF (531KB) ( 20 )  

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以葡萄糖胺(Glucosamine,GIcN)为稳定剂,以Cd(Ac)2 ·2H2O和Na2S ·9H2O作为反应剂,在室温下水相合成了CdS量子点.通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(UV -Vis)和荧光发射光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学性能进行了表征,考察了反应体系的pH值、GlcN/Cd的物质的量比对量子点光谱性能的影响.结果表明,所获得的CdS量子点为立方闪锌矿结构,且尺寸分布均一,结晶度高,具有丰富的表面缺陷和量子尺寸限域效应.同时,对CdS量子点形成的可能机理进行了初步的探讨.

Al2O3对低品位菱镁矿与天然硅石合成制备镁橄榄石的影响

罗旭东;曲殿利;张国栋;王闯;钟鑫宇

2012, 41(2):  496-501. 

摘要 ( 26 )   PDF (481KB) ( 19 )  

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以低品位菱镁矿与天然硅石为原料,以Al2O3为添加剂,通过反应烧结制备镁橄榄石.研究讨论Al2O3对镁橄榄石材料相组成、晶胞参数、微观结构及常温性能的影响.用XRD和SEM对烧后试样的相组成和显微结构进行表征.利用X'pert plus软件对试样中镁橄榄石相的晶胞参数进行计算.结果表明:以低品位菱镁矿轻烧氧化镁和天然硅石为原料,经1500℃煅烧合成制备的镁橄榄石中,由于Al2O3的加入,促进了系统中顽火辉石相的形成.Al2O3的加入导致镁橄榄石相的晶胞参数和晶胞体积的增大.随着Al2O3加入量增加,镁橄榄石的相对密度和常温耐压强度逐渐增加,说明了Al2O3对镁橄榄石的促烧结作用.

Ca3-xCexCo4O9+δ陶瓷的制备与电输运性能

管浩;沈鸿烈;朱云广;王玉云

2012, 41(2):  502-506. 

摘要 ( 24 )   PDF (400KB) ( 16 )  

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采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了掺Ce的钴酸钙(Ca3Co4O9+δ)陶瓷,通过TG-DSC、XRD和SEM对样品进行表征,研究了Ce掺杂对电导率、Seebeck系数和功率因子的影响.结果表明:陶瓷样品的断面形貌呈片层状.随着Ce掺杂量的增加,样品的导电机制发生变化,测试温度范围内样品的电导率和功率因子下降,Seebeck系数先增加后下降.

西门子CVD还原炉内硅棒生长环境的数值模拟

王子松;黄志军;覃攀;雷雳光;印永祥;戴晓雁

2012, 41(2):  507-512. 

摘要 ( 27 )   PDF (681KB) ( 45 )  

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考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、热量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对18对棒西门子多晶硅CVD还原炉实际情况进行数值模拟.考察了两种进气方式下还原炉内的流场和温度场分布.计算结果表明,为了实现硅棒均匀沉积,与底盘上分散进气、中心集中出气的还原炉结构相比,中心集中进气、中环与外环之间分散出气的流场及温度场分布更为合理.后者可能有效避免气体在进出口间的“短路”现象,又使炉内各处温度分布更为均匀,减小硅棒不均匀生长现象.模拟结果还表明,采用典型工况的数据,还原炉中总能量损失占能量输入的78.9;,辐射热损失占总能量损失的70.9;,产品单位质量能耗为72.8 kWh/·kg-1,与很多其他研究结果及实际相一致.

硫铁矿烧渣制备导电陶瓷的工艺研究

黄昱霖;严云;胡志华;王晓燕;李晓英

2012, 41(2):  513-517. 

摘要 ( 22 )   PDF (411KB) ( 21 )  

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采用全铁含量21.89;,Fe2O3含量29.80;的硫铁矿烧渣,在高温还原气氛下以少量还原剂还原,制备了电阻率较低的高强导电陶瓷.研究了烧结温度、保温时间、矿化剂种类及掺杂量对导电陶瓷强度及电阻率的影响.结果表明:导电陶瓷的强度随烧结温度的升高而增加,保温时间的延长而降低,矿化剂掺杂量的增加而增加；而电阻率的变化趋势正好与强度变化相反.当还原剂与硫铁矿烧渣比值为0.1,1400℃保温60 min,萤石掺杂量5.4;,导电陶瓷电阻率达到58 Ω·cm,强度87 MPa；而当Na2O掺杂量达到4;,电阻率为88 Ω·cm,强度为84MPa.

制备参数对钙钛氧化物薄膜的微结构和性能影响

董伟霞;赵高凌;包启富;韩高荣

2012, 41(2):  518-522. 

摘要 ( 35 )   PDF (400KB) ( 30 )  

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利用钛酸丁酯-氯化钙-无水乙醇体系通过溶胶-浸渍提拉法制备了钙钛氧化物薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及能谱分析仪(EDS),荧光光谱仪和紫外-可见分光光度计等技术对薄膜的结构,形貌及元素成分和光学性能进行了分析.结果表明:当n(钛酸丁酯)/n(乙醇)为1∶15时,制备得到了光学性质良好(价带较宽)的钙钛氧化物薄膜.随着焙烧温度升高到550℃,薄膜的结晶强度不断增加,薄膜主晶相由CaTiO3相转化为层状结构CaTi2O4(OH)2主晶相,该薄膜呈现多孔结构,从而使光学特性进一步增强.

交变磁场诱导自组装超结构Ni0.5Zn0.5Fe2O4/PAA复合纳米线

张磊;焦万丽

2012, 41(2):  523-527. 

摘要 ( 22 )   PDF (542KB) ( 17 )  

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采用沸腾回流法制备了单相Ni0.5Zn0.5Fe2O4颗粒,并对其进行了PAA包覆,得到了Ni0.5 Zn0.5 Fe2O4/PAA复合纳米颗粒,并在交变磁场的诱导下进行自组装,得到了一维纳米线.室温磁滞回线表明,PAA的包覆降低了Ni0.5Zn0.5Fe2O4颗粒的饱和磁化强度和矫顽力,分别为21.1 emu/g和3.2Oc.偏光显微照片表明,在交变磁场磁性模板自我强化作用的影响下,制备的软磁铁氧体复合物在0.05T的磁场中仍有较敏感的响应,形成一维纳米线.SEM照片表明,纳米线直径200 nm,长径比大于100,线体本身则由纳米复合物形成的小团聚体首尾相连构成.

ZnO:Sb掺杂机理的第一性原理研究

宋杨;梁淑华

2012, 41(2):  528-534. 

摘要 ( 28 )   PDF (879KB) ( 37 )  

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为了研究ZnO:Sb的掺杂机理,本文运用第一性原理密度泛函理论计算了理想纤锌矿ZnO和SbO 、SbZn 、SbZn-2VZn三种Sb掺杂ZnO晶体模型的几何结构、能带结构和电子态密度.计算结果表明:sb的掺人使得晶格发生不同程度的膨胀,其中以SbZn-2VZn复合缺陷模型的膨胀最小,键长最短,说明此结构的化学稳定性最高.通过能带和态密度的分析可知,ShO和SbZn模型存在不合理性,而SbZn-2VZn复合缺陷中的VZn可以使价带产生非局域化空穴载流子.定量计算进一步确认了SbZn-2VZn构型的可填充电子数最多,合理解释了晶体导电性的提高.形成能计算表明,在富氧条件下SbZn-2VZn的形成能最低,说明在富氧条件下掺杂Sb更有利于实现ZnO的p型化.

改进水热法制备BiFeO3粉体及其磁性研究

孙玉霞;夏钊;刘红日;熊襄玉;周勇;余画

2012, 41(2):  535-538. 

摘要 ( 28 )   PDF (536KB) ( 18 )  

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以Bi(NO3)3·5H2O和Fe(NO3)3·9H2O为原料,采用改进的水热法制备了BiFeO3微晶.采用浓度为0.1mol/L的前驱物沉淀制备得到非常均匀的尺度为10μm的微球,经超声分散可以得到100 nm的均匀颗粒.XRD研究表明BiFeO3纳米颗粒具有斜方的钙钛矿结构.扫描电镜结果表明BiFeO3纳米粒子具有立方形貌.而TEM结构分析表明BiFeO3纳米颗粒具有完整的单畴结构；磁性分析表明纳米的BiFeO3颗粒具有弱的铁磁有序.制备的BiFeO3具有Fe-O键的伸缩振动和弯曲振动,证实了Fe-O八面体的存在以及BiFeO3具有钙钛矿结构.

柠檬酸钠作用下碳酸钙的制备

张群;陈敏;孙新园;潘玉锁

2012, 41(2):  539-543. 

摘要 ( 34 )   PDF (638KB) ( 36 )  

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选取柠檬酸钠(Na3C6H5O7)为碳酸钙生长的控制剂,通过气体扩散的方法仿生合成了不同形貌的碳酸钙,并考察矿化时间对碳酸钙晶型和形貌的调控作用.采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及X射线衍射(XRD)对所得产物进行了表征.结果表明,随着矿化时间的改变所得碳酸钙粒子的形貌发生了显著的变化,出现哑铃状、高尔夫球状、球状等形貌.

高质量直径180mm氟化锂晶体的生长

甄西合;任绍霞;刘建强;史达威;张钦辉;葛云程

2012, 41(2):  544-545. 

摘要 ( 40 )   PDF (238KB) ( 43 )  

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通过对晶体原料的提纯及生长工艺条件的优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出直径达到180mm的高质量氟化锂单晶.晶体的透过率在0.2～6.5 μm波长范围内最高透过率约为94;.