抛光铜箔衬底上石墨烯可控生长的研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 407-413.

抛光铜箔衬底上石墨烯可控生长的研究

孙雷;沈鸿烈;吴天如;刘斌;蒋烨

南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,211100;南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京211100;南京航空航天大学纳米智能材料器件教育部重点实验室,南京210016

出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61176062);江苏优势学科建设工程项目(PAPD)

Research on Controlled Growth of Graphene on Polished Copper Substrate

SUN Lei;SHEN Hong-lie;WU Tian-ru;LIU Bin;JIANG Ye

Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报导以固态聚苯乙烯为碳源,经机械抛光和电化学抛光双重处理的铜箔为衬底,用CVID法进行石墨烯可控生长的研究结果.用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、光透射谱、扫描隧道显微镜和场发射扫描电镜对生长的石墨烯进行了表征.研究发现经过抛光处理的铜箔由于其平整的表面和很低的表面粗糙度,在其上生长的石墨烯缺陷少,结晶质量高.而未经抛光处理的铜箔在石墨烯生长过程中,铜箔不平整的表面台阶会破坏其上生长的石墨烯的微观结构,在生长的石墨烯二维结构中产生高密度晶界和缺陷.还在双重抛光处理的铜箔上实现了石墨烯的层数可控生长,结果表明固态碳源聚苯乙烯的量为15 mg时可生长出单层石墨烯,通过控制固态源重量得到了1～5层大面积石墨烯.

中图分类号:

TQ127

孙雷;沈鸿烈;吴天如;刘斌;蒋烨. 抛光铜箔衬底上石墨烯可控生长的研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 407-413.

SUN Lei;SHEN Hong-lie;WU Tian-ru;LIU Bin;JIANG Ye. Research on Controlled Growth of Graphene on Polished Copper Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(2): 407-413.

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