Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3无铅压电陶瓷的制备与性能

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 425-429.

Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3无铅压电陶瓷的制备与性能

崔业让;刘心宇;袁昌来;胡耀斌;马家峰;李文华

桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室,桂林,541004;桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室,桂林541004;中南大学材料科学与工程学院,长沙410083;中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083

出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51102055);广西自然科学基金重点项目(2010GXNSFD013007);广西信息材料重点实验室主任基金资助项目(桂科能0710908-15-Z)

Preparation and Properties of Fe2O3 Doped ( Ba0.7Ca0.3 ) TiO3-Ba ( Zr0.2 Ti0.8 ) O3 Lead-free Piezoelectric Ceramics

CUI Ye-rang;LIU Xin-yu;YUAN Chang-lai;HU Yao-bin;MA Jia-feng;LI Wen-hua

Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3) TiO3-Ba( Zr0.2Ti0.8)O3(简称BCZT)无铅压电陶瓷.借助XRD、SEM、阻抗分析仪等对该陶瓷的相组成、显微结构以及压电和介电性能进行了研究.结果表明,Fe2O3掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度Tc从85℃提高到95℃；当Fe2O3掺杂为0.02wt; ～0.lwt;时,陶瓷样品均为ABO3型钙钛矿结构；少量Fe2O3掺杂促进了陶瓷晶粒的生长,但随着Fe2O3掺杂量进一步增加,陶瓷晶粒随之细化；当Fe2O3掺杂量为0.04wt;时,陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为400 pC/N,0.40,51,0.023和3482.

中图分类号:

TQ163

崔业让;刘心宇;袁昌来;胡耀斌;马家峰;李文华. Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3无铅压电陶瓷的制备与性能[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 425-429.

CUI Ye-rang;LIU Xin-yu;YUAN Chang-lai;HU Yao-bin;MA Jia-feng;LI Wen-hua. Preparation and Properties of Fe2O3 Doped ( Ba0.7Ca0.3 ) TiO3-Ba ( Zr0.2 Ti0.8 ) O3 Lead-free Piezoelectric Ceramics[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(2): 425-429.

[1]	罗晓航, 许光宇, 李利军, 张永康, 张亚琛, 吴海平, 安康. 自支撑金刚石厚膜三方向三点弯曲断裂韧性对比研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2085-2093.
[2]	刘帅伟, 关春龙, 鲁云祥, 易剑, 江南, 西村一仁. 金刚石在富氧环境下的高效抛光及其材料去除机制研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2094-2103.
[3]	肖宏宇, 李勇, 田昌海, 张蔚曦, 王强, 肖政国, 王应, 金慧, 鲍志刚, 周振翔. Ib型金刚石单晶生长及合成腔体温度场分布研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 959-966.
[4]	孙兴汉, 李纪虎, 张伟, 曾群锋, 张俊锋. 碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 585-599.
[5]	张雅淋, 安晓明, 葛新岗, 姜龙, 李义锋. 大尺寸金刚石激光闪射法热导率测试研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(3): 503-510.
[6]	郝敬林, 邓丽芬, 王凯悦, 宋惠, 江南, 西村一仁. 高温高压合成掺杂金刚石研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 194-209.
[7]	李国峰, 陈泓谕, 杭伟, 韩学峰, 袁巨龙, 皮孝东, 杨德仁, 王蓉. 碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(11): 1907-1921.
[8]	胡婷婷, 牟恋希, 王鹏, 屠菊萍, 刘金龙, 陈良贤, 张建军, 欧阳晓平, 李成明. 高纯低位错密度单晶金刚石的制备与表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(11): 1931-1938.
[9]	乔鹏飞, 刘康, 代兵, 刘本建, 张森, 张晓晖, 朱嘉琦. 终端金刚石能带结构与物理性能的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 945-959.
[10]	简小刚, 张毅, 梁晓伟, 姚文山. 硫硒元素掺杂金刚石表面的生长位点研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1120-1127.
[11]	吴锐文, 宋华平, 杨军伟, 屈红霞, 赖晓芳. 基于聚氨酯垫的4H-SiC单晶衬底研磨性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 759-765.
[12]	卢嘉铮, 张辉, 郑丽丽, 马远. 大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(4): 550-561.
[13]	李斌, 胡秀飞, 杨旖秋, 王英楠, 谢雪健, 彭燕, 杨祥龙, 王希玮, 胡小波, 徐现刚, 冯志红. 单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(3): 442-451.
[14]	贾元波, 满卫东, 伍正新, 梁凯, 林志东. 二氧化碳对同质外延生长单晶金刚石内应力的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(1): 34-40.
[15]	王宇, 顾鹏, 付君, 王鹏刚, 雷沛, 袁丽. PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(12): 2137-2152.