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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 584-587.

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热交换法生长c面取向大尺寸蓝宝石晶体的研究

张雪平   

  1. 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082
  • 出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20

Study on c-plane Large Size Sapphire Growth by Heat-exchange Method

ZHANG Xue-ping   

  • Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文使用热交换法直接生长c面取向,尺寸为φ170 mm× 160 mm,重12 kg的蓝宝石晶体.晶体无色透明,内部无散射颗粒.沿c面(0001)方向的晶棒锥光图可观察到同心圆簇的干涉条纹,仅中心较小区域因内应力存在,干涉条纹发生扭曲.将抛光的晶片进行化学腐蚀后,通过金相显微镜检测位错腐蚀坑形貌图,结果显示,腐蚀坑呈三角形,平均位错密度较低,为1.98 × 103 Pits/cm2,X射线衍射半峰宽较小,晶体结构完整.

关键词: 蓝宝石晶体;热交换法;c向生长;位错密度

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