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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 1037-1042.

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Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究

陆顺其;王茺;靳映霞;卜琼琼;杨宇   

  1. 云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091
  • 出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(10964016和10990103);云南省自然基金重点(2008CC012);教育部科学技术研究重点(210207)资助的项目

Chemisorption of Ge on Si ( 100 ) -2 × 1 Surfaces: A First-principles Study

LU Shun-qi;WANG Chong;JIN Ying-xia;BU Qiong-qiong;YANG Yu   

  • Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度.计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定.另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构.此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布.

关键词: 化学吸附;表面吸附能;密度泛函理论

中图分类号: