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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1440-1445.

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一维多孔硅声子晶体的带隙研究

徐冰茹;徐少辉;王连卫   

  1. 华东师范大学电子工程系,上海,200241
  • 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    上海自然科学基金(11ZR1411000);国家自然科学基金(61176108);国际合作项目(10520704400);上海市基础重点项目(11JC1403700)

Study on Band Gap of One-dimensional Porous Silicon Phononic Crystal

XU Bing-ru;XU Shao-hui;WANG Lian-wei   

  • Published:2021-01-20

摘要: 多孔硅的力学性质随多孔度有较大变化,因此可以用多孔硅材料来构建声子晶体结构.本文将在理论上讨论一维多孔硅声子晶体的带隙,设计出宽禁带声子晶体结构,分析其相关的物理特性.计算结果表明薄的高孔度插入层将获得宽的带隙,而声子晶体异质结能够获得更宽带隙.

关键词: 多孔硅;声子晶体;带隙

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