用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1514-1518.

用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究

程碧胜;雷青松;徐静平;薛俊明

华中科技大学光学与电子信息学院,武汉,430074;华中科技大学光学与电子信息学院,武汉430074;河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000;河北汉盛光电科技有限公司,衡水,053000

出版日期:2012-12-15 发布日期:2021-01-20

Study on Preparation and Properties of a-SiGe∶ H Film for Solar Cells

CHENG Bi-sheng;LEI Qing-song;XU Jing-ping;XUE Jun-ming

Online:2012-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响.通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜.在此基础上制备出效率为6.65;的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池.

中图分类号:

TK514

程碧胜;雷青松;徐静平;薛俊明. 用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(6): 1514-1518.

CHENG Bi-sheng;LEI Qing-song;XU Jing-ping;XUE Jun-ming. Study on Preparation and Properties of a-SiGe∶ H Film for Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(6): 1514-1518.

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