共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1519-1523.

共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程

刘芳芳;张力;何青

南开大学薄膜器件与技术研究所,天津,300071

出版日期:2012-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61144002);中央高校基本科研业务费专项资金(65010351)

Phase Transformation of CIGS Film Prepared by Co-evaporation "Three-stage Process"

LIU Fang-fang;ZHANG Li;HE Qing

Online:2012-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键.本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程.

中图分类号:

O484

刘芳芳;张力;何青. 共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(6): 1519-1523.

LIU Fang-fang;ZHANG Li;HE Qing. Phase Transformation of CIGS Film Prepared by Co-evaporation "Three-stage Process"[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(6): 1519-1523.

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