退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1524-1527.

退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响

梁李敏;解新建;郝秋艳;田园;刘彩池

河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130

出版日期:2012-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(F2012202083);河北省青年科学基金(F2009000124)

Effect of Annealing on Optical and Electrical Properties of GaN Irradiated by Electrons

LIANG Li-min;XIE Xin-jian;HAO Qiu-yan;TIAN Yuan;LIU Cai-chi

Online:2012-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理.用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化.实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化.在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的.800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关.

中图分类号:

O472

梁李敏;解新建;郝秋艳;田园;刘彩池. 退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(6): 1524-1527.

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