底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (1): 1-6.

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底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法

徐家跃

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

出版日期:2005-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(KY951-A1-205-03);国家创新前沿项目;上海市自然科学基金(98JC14017,02DJ10041);国家自然科学基金(59672002);上海市青年科技启明星计划(95QE14029)

Bottom Seeded Solution Growth:a Novel Crystal Growth Technique

XU Jia-yue

Online:2005-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做"底部籽晶法"的新生长方法.通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂.采用底部籽晶法,成功地生长了新型弛豫铁电晶体(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0≤x≥0.2)、近化学计量比LiNbO3晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0

中图分类号:

O782

徐家跃. 底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 1-6.

XU Jia-yue. Bottom Seeded Solution Growth:a Novel Crystal Growth Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(1): 1-6.

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Bottom Seeded Solution Growth:a Novel Crystal Growth Technique

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