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2005年 第34卷 第1期
刊出日期：2005-02-15

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底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法

徐家跃

2005, 34(1):  1-6. 

摘要 ( 50 )   PDF (459KB) ( 72 )  

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为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做"底部籽晶法"的新生长方法.通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂.采用底部籽晶法,成功地生长了新型弛豫铁电晶体(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0≤x≥0.2)、近化学计量比LiNbO3晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0

钨酸铋钠晶体电子结构的理论模拟

刘峰松;顾牡;张睿

2005, 34(1):  7-11. 

摘要 ( 34 )   PDF (293KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

应用嵌入分子团簇的相对论密度泛函理论和离散变分(DVM)计算程序,对Na、Bi两种不同占位状态钨酸铋钠晶体的电子结构进行了理论计算.经计算,(Bi4Na4W5O20)6+团簇的禁带宽度为4.1eV,与实际晶体的禁带宽度相符;导带底主要是W5d轨道与Bi6p1/2轨道,而价带顶则主要由O2p轨道组成;Bi轨道能级受Na、Bi离子占位因素影响较大.

PbWO4:(Sb,Y)晶体的发光和闪烁性能研究

谢建军;杨培志;袁晖;廖晶莹;殷之文;曹顿华;顾牡

2005, 34(1):  12-16. 

摘要 ( 21 )   PDF (304KB) ( 26 )  

相关文章 | 计量指标

本文报道了用多坩埚下降法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱和闪烁性能.基于透射光谱、X射线激发的发射谱、紫外激发及其发射谱、光产额和超短脉冲X射线激发荧光寿命等方面的测试,讨论了Sb,Y双掺杂对PbWO4晶体的光谱和闪烁性能的作用.结果表明:Sb,Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能和闪烁性能,使PbWO4晶体在短波方向的透过率明显提高;对于尺寸为23×23×20mm3的掺杂晶体样品,光产额最大值大约为50 p.e./MeV,约为BGO光产额的6.0;;发光成份中有1.9ns和15.8ns两个衰减时间常数的快成份.

Nd:LuVO4晶体光谱参数的计算及其分析

冉栋刚;夏海瑞;吕英波;赵守仁;张怀金

2005, 34(1):  17-20. 

摘要 ( 47 )   PDF (217KB) ( 29 )  

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测定了Nd:LuVO4晶体的室温吸收谱;根据Judd-Ofelt理论拟合了Nd3+离子的三个晶场调节参数Ωt(t=2,4,6)的值分别为8.235×10-20cm2,4.683×10-20cm2,6.090×10-20cm2;计算了各个能级跃迁的谱线强度、振子强度、吸收截面等,进而计算了4F3/2态的自发跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面,并对结果作了分析.

DC Plasma Jet CVD金刚石自支撑膜体结构的控制生长及其表面粗糙度的研究

周祖源;陈广超;周有良;吕反修;唐伟忠;李成明;宋建华;佟玉梅

2005, 34(1):  21-24. 

摘要 ( 35 )   PDF (236KB) ( 31 )  

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在100kW级DC Plasma Jet CVD设备上,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过控制工艺参数,在Mo衬底上获得不同占优晶面和应力状态的膜体结构.研究表明:不同取向的晶面在膜体中的分布不同,但各晶面随沉积温度的变化规律是相似的,在900℃左右容易获得较大的(220)晶面占优的膜体结构;薄膜的内应力沿晶体生长方向逐渐减小,且随沉积温度或甲烷浓度的增大而增大;具有高取向度的膜体将获得较为平整的表面.

碘化铅(PbI2)单晶体的生长研究

朱兴华;赵北君;朱世富;金应荣;赵欣;杨晓龙

2005, 34(1):  25-28. 

摘要 ( 32 )   PDF (241KB) ( 29 )  

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本文以高纯Pb、I2单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2多晶原料,避免了安瓿的爆炸.以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×30mm的PbI2单晶锭.该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了(001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作.

斜方晶系α-磷酸三钙晶体的制备及应用

赵萍;孙康宁

2005, 34(1):  29-32. 

摘要 ( 14 )   PDF (362KB) ( 14 )  

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磷酸三钙晶体是磷酸钙生物骨水泥原料的一种,由于它简便易得而得到广泛的研究和应用.将磷酸盐或磷酸盐与碳酸钙的混合粉体在1200～1400℃下煅烧,然后急冷获得单斜α相磷酸三钙晶体,磨细后即可为磷酸三钙骨水泥,虽然比较容易制备,但力学性能很低.本文所制备的磷酸三钙晶体与以往不同,而是通过添加少量的添加剂,制得以斜方α相磷酸三钙晶体为主要成份的固相反应产物,经磨细后与磷酸氢钙以一定的比例混合,得到新型高温型磷酸三钙生物骨水泥.用蒸馏水调和后置于温度为37℃,湿度为100;的条件下,24h后获得的固化体的抗折强度为9.31MPa,同样水化条件下常用的低温单斜α磷酸三钙骨水泥的抗折强度为5.81MPa,强度提高60;.通过X射线衍射对高温固相反应产物、水化产物的组成进行了分析,并用扫描电镜对两种骨水泥水化体的内部结构进行了对比观察.

人造金刚石晶体缺陷的同步辐射X射线衍射形貌像浅析

陈涛;巫翔;亓利剑;王河锦

2005, 34(1):  33-37. 

摘要 ( 25 )   PDF (373KB) ( 30 )  

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利用同步辐射X射线对人造金刚石晶体缺陷进行了形貌学研究,实验采用了透射(劳埃)形貌术和反射形貌术两种方法.所得的X射线透射劳埃图上大部分斑点分别分布在四条主晶带上,经分析发现,该金刚石晶体主要的晶体缺陷为位错,并推导出晶体内部存在Frank不全位错.该晶体的反射形貌像中位错呈网状分布,说明其表层缺陷多于内部缺陷.此外,由形貌像分析发现该人造金刚石晶体的晶体缺陷明显少于天然金刚石.

BaWO4多晶料的合成与优质单晶的生长

葛文伟;张怀金;王继扬;刘均海;徐现刚;胡小波;刘宏;尹鑫;蒋民华

2005, 34(1):  38-42. 

摘要 ( 35 )   PDF (338KB) ( 24 )  

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以99.99;的BaCO3和WO3为原料通过固相反应直接合成BaWO4多晶料,采用提拉法沿a轴和c轴均可生长出φ22mm×80mm的无色透明的BaWO4单晶.X射线粉末衍射实验确定所获BaWO4晶体的结构属于四方晶系,空间群I41/a.通过浮力法测得其密度为6.393g/cm3.用莫氏硬度计测得BaWO4晶体的莫氏硬度为4.用V型棱镜法测得BaWO4晶体的折射率在1.84左右.

近化学计量比铌酸锂晶体中机械孪晶的消除

宣晓峰;赵均;张学进;朱永元

2005, 34(1):  43-47. 

摘要 ( 42 )   PDF (416KB) ( 29 )  

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在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶.这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处出现应力集中,从而造成孪晶的成核.通过采用适当的收尾过程,以避免直径台阶的出现,可以很好地消除这种孪晶及其引起的裂纹.

K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长的近化学计量比LiNbO3晶体性质的比较

王海丽;杭寅;张连瀚;祝世宁;徐军

2005, 34(1):  48-51. 

摘要 ( 28 )   PDF (242KB) ( 33 )  

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分别采用K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长了近化学计量比LiNbO3晶体.比较了两种方法生长的晶体紫外吸收边和红外吸收谱的差别,光谱结果表明,K2O助溶剂提拉法生长的晶体组成非常均匀,而富锂提拉法生长的晶体组成不均匀,沿晶体生长方向,Li2O含量逐渐增加.另外,两种生长方法中,籽晶表面均看到螺旋状环,分析了其产生原因.

AgGaS2晶体生长裂纹研究

张建军;朱世富;赵北君;张伟;刘敏文;李一春;陈宝军;刘娟;黎明

2005, 34(1):  52-55. 

摘要 ( 29 )   PDF (268KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

从理论和实验上对AgGaS2晶体生长中易产生裂纹甚至开裂的现象与其热应力、晶体尺寸以及温度梯度、生长速率等生长参数之间的关系进行了研究.结果表明:晶体产生裂纹甚至开裂与生长速率、坩埚旋转速率、冷却速率所造成的热应力和热应变有关.采用改进的Bridgman法成功地生长出尺寸为φ12mm×30mm无裂纹的AgGaS2单晶体,给出了制备无裂纹、大尺寸AgGaS2晶体的较佳生长工艺参数.

VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

张晓丹;高艳涛;赵颖;朱锋;魏长春;孙建;侯国付;薛俊明;张德坤;任慧志;耿新华;熊绍珍

2005, 34(1):  56-59. 

摘要 ( 23 )   PDF (274KB) ( 16 )  

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本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变.傅立叶变换红外吸收(FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多.而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为31;.

扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究

谭春华;范广涵;许静;李述体;周天明;龙永福;孙慧卿

2005, 34(1):  60-64. 

摘要 ( 23 )   PDF (415KB) ( 28 )  

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扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段.本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析.结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量.此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据.

La3Ga5SiO14晶体压电系数的温度特性

赵明磊;王增梅;袁多荣;王矜奉;王春雷;王渊旭

2005, 34(1):  65-69. 

摘要 ( 26 )   PDF (271KB) ( 39 )  

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测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.

水热法白宝石晶体和籽晶界面研究

宋词;夏长泰;张昌龙;周卫宁;杭寅;徐军

2005, 34(1):  70-74. 

摘要 ( 34 )   PDF (382KB) ( 27 )  

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用分光光度计研究发现水热法白宝石晶体和籽晶界面使晶体透过率降低,用大视场偏光显微镜和原子力显微镜分析了该界面的包裹物分布以及界面的显微结构.结果表明平行于(1123)面的籽晶和生长层晶体界面包裹物含量少.界面的缺陷主要来自于晶格畸变及生长初期的温场不稳定所引起的结构缺陷,这也是引起晶体透过率下降的主要因素.

盐酸酸沉四钼酸铵结晶的成核研究

王桂美;高绍康;陈建中;庄乃锋

2005, 34(1):  75-78. 

摘要 ( 22 )   PDF (203KB) ( 17 )  

相关文章 | 计量指标

本文研究了用盐酸酸沉仲钼酸铵溶液制备四钼酸铵的成核过程,测量了以诱导期表示的成核速率,讨论了温度和过饱和比对成核速率的影响.结果表明,四钼酸铵过饱和溶液的成核速率随着温度的升高和过饱和比的增大而增大.确定了在实验的温度范围内均匀成核和非均匀成核之间的界限,并根据均匀成核理论计算了其成核特征参数.

固相合成Gd2O2S:Pr陶瓷闪烁体粉末

黄存新;刘翠;余明清;袁家铮;范仕刚;赵春霞;李建保

2005, 34(1):  79-83. 

摘要 ( 32 )   PDF (317KB) ( 21 )  

相关文章 | 计量指标

本文采用固相反应合成Gd2O2S:Pr陶瓷闪烁体粉末,确定了固相反应时Gd2O3与S的配比分别约为Gd2O3与S总质量的88;和12;,并往其中成功地掺入了痕量Pr2O3,测量了GOS:Pr的荧光光谱,分析表明,制备出的GOS:Pr粉末的主发射峰位于512nm处,与硅光电二极管光谱感光度匹配.此法制备出的GOS:Pr粉末适于制造GOS:Pr闪烁陶瓷.

孔道结构钒铝磷酸盐(NH3CH2CH2NH2)[(VO)Al(PO4)2]的水热合成及热稳定性

王永在;廖立兵

2005, 34(1):  84-88. 

摘要 ( 29 )   PDF (359KB) ( 30 )  

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用XRD,TG-DTA,FT-IR和SEM对水热法合成的孔道结构钒铝磷酸盐(NH3CH2CH2NH2)[(VO)Al(PO4)2]进行了热性能表征.该化合物中有机组份的分解温度,在氧化气氛中为305～529℃,在惰性气氛中为411～593℃.有机组分的分解逸出导致了结构的破坏,但晶体的微形貌没有发生明显的变化;温度继续升高,发生相变.该化合物热稳定性较其它含有机模板的孔道结构钒磷酸盐要高,主要原因在于结构中存在[AlO4]和[PO4]共顶连接而成的一维链,这种链增加了骨架的强度.

Er3+离子在多孔模板内的发光特性

阮永丰;黄伯贤;庞娟

2005, 34(1):  89-92. 

摘要 ( 21 )   PDF (274KB) ( 16 )  

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利用两次阳极氧化的方法制备多孔氧化铝模板,然后采用溶胶-凝胶法将铒的乙酰丙酮配合物掺入多孔氧化铝的模板内,制得了Er3+离子的SiO2凝胶.用扫描电镜(SEM)观察了多孔氧化铝模板的形貌,并测试了乙酰丙酮合铒的红外吸收谱以及Er3+离子在多孔模板内的室温荧光谱.初步结果显示纳米孔洞导致了荧光峰变窄.

三维孔道结构(H3NCH2CH2NH3)2(H3NCH2CH2NH2)[VⅢ(H2O)2(VⅣO)8(OH)4(H(P,B)O4)4(P,B)O4)4(H2O)2]·3H2O的水热合成及晶体化学研究--(1)水热合成与产物表征

杨赞中;廖立兵;杜洪兵

2005, 34(1):  93-97. 

摘要 ( 28 )   PDF (326KB) ( 35 )  

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为了探讨化学成份对VPO体系孔道结构化合物结构稳定性的影响,根据酸碱平衡原理进行了合成实验设计;利用V2O5、H3PO4、H3BO3等简单的无机前驱物、乙二胺作结构导向剂,水热法合成了孔道结构钒硼磷酸盐化合物(H3NCH2CH2NH3)2(H3NCH2CH2NH2)[VⅢ(H2O)2(VⅣO)8(OH)4(H(P,B)O4)4((P,B)O4)4(H2O)2]·3H2O(简称V9(P,B)8-en).典型的反应起始物摩尔比为n(V2O5):n(H3BO3):n(H3PO4):n(en):n(H2O)=0.89:3.50:3.50:3.60:265(pH值为6.5),在175℃、自生压力条件下恒温晶化6.5d(最终pH值为5.9).通过电子探针、粉末X射线衍射、红外吸收光谱、原子占位度修正等方法,对产物的化学成份、物相及其结构等进行了实验研究.证实V9(P,B)8-en为V9P8-en的类质同象化合物,不同晶粒中B与P的含量有差别,B与P之比为O.1:7.9～2.54:5.46(原子比),但恒有V:(P+B)≈9:8.表明通过合理设计和控制合成条件,可在保持V9P8-en基本结构不变的前提下通过同晶取代引入新的化学成份,并由此探讨成份与结构稳定性的关系.

YIG和YAlIG单晶的助熔剂提拉法生长和表征

赵斌;陈建中;庄乃锋;郭飞云

2005, 34(1):  98-101. 

摘要 ( 64 )   PDF (242KB) ( 49 )  

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用助熔剂提拉法生长了YIG(Y3Fe5O12)和YAlIG(Y3AlxFe5-xO12)单晶,尺寸约为φ10×7.0mm.经XRD测试,晶体均为立方晶系,晶格常数分别为:YIG,a=1.2376nm;YAlIG,a=1.2089nm.YAlIG晶体在红外波段透过率较高;经X射线荧光测定,其分子式为Y3Al2.96Fe2.04O12.室温下YAlIG磁化率大大低于YIG,初步推测可能是Al3+同时进入晶体结构中的四面体和八面体空位.

离子束刻蚀处理CLBO晶体抛光表面的研究

袁欣;沈德忠;王晓青;沈光球

2005, 34(1):  102-106. 

摘要 ( 24 )   PDF (354KB) ( 25 )  

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本文研究了在不同作用时间、不同工件转速、不同入射角度等条件下离子束对CLBO晶体抛光表面的处理效果.用原子力显微镜来观察和比较了CLBO晶体抛光表面处理前后的形貌和粗糙度.试验结果显示,离子束刻蚀的时间并非越长越好;较大的工件转速使晶体表面粗糙度变大;当离子束入射角度在30～60°之间时,处理后晶体表面粗糙度均变小,90°入射时,粗糙度明显增大.试验证明,离子束处理对晶体抛光表面粗糙度Rz值影响较之Ra值更大.

退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响

苏凤莲;彭观良;邹军;宋词;杭寅;徐军;周圣明

2005, 34(1):  107-111. 

摘要 ( 16 )   PDF (301KB) ( 25 )  

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用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强.

LiOH矿化剂对水热合成ZnO晶体形貌的影响

韦志仁;葛世艳;窦军红;李军;刘超;林琳;郑一博;董国义

2005, 34(1):  112-115. 

摘要 ( 22 )   PDF (380KB) ( 28 )  

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本文研究了在430℃,填充度为35用了3mol/L,5mol/L LiOH做矿化剂,所获得晶体均为10μm以下的微晶.当矿化剂为1mol/L LiOH和1mol/L KBr时,所获得晶体同样为几微米的微晶,显露完整的正极面{0001}、负极面{0001}、锥面{1011}和柱面{1010}.矿化剂为3M LiOH和3M KBr时,出现个体较大的晶体,直径超过100μm,显露正极面{0001}、正锥面{1011}和柱面{1010},负极面出现缺损现象.由此说明和K+相比溶液中的Li+不利于生成大尺寸ZnO晶体.

ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

董国义;窦军红;张蕾;韦志仁;葛世艳;郑一博;林琳;田少华

2005, 34(1):  116-119. 

摘要 ( 24 )   PDF (166KB) ( 24 )  

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本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.

铌酸锂晶体铁电畴电极化反转结构的ESEM观察

姚琲;李春艳;张长亮;薛涛;桑梅;王慧

2005, 34(1):  120-123. 

摘要 ( 64 )   PDF (325KB) ( 29 )  

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采用电脉冲极化方法制作出周期性反转电畴微结构.利用热腐蚀法制备出用于环境扫描电镜(ESEM)研究反转电畴结构的样品.通过ESEM的观察与分析,在光栅电极下方,铁电畴发生了极化反转,反转区域在y方向上有所扩展,在Z方向逐渐变窄,没能贯穿整个晶片.通过控制光栅电极的纵宽比和电压脉冲的参数,可以在晶片的表面或一定深度得到占空比为1:1的正、负铁电畴交替排列的结构,达到准相位配的目的.观测到竹叶状二次电子图像衬度,它是由制样过程中局部产生应力造成的,这说明利用ESEM可以研究压电材料中的电荷分布.

高光产额钨酸铅(PbWO4)晶体的研究进展

叶崇志;杨培志

2005, 34(1):  124-130. 

摘要 ( 44 )   PDF (461KB) ( 35 )  

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钨酸铅(PbWO4)晶体由于具有高密度、短辐照长度、高的辐照硬度和快发光等特点而成为目前最具发展潜力的闪烁晶体之一,但其光产额低的缺点限制了它在高能领域以外的应用.因此,提高钨酸铅晶体的光产额以使其在PET装置等低能领域获得应用已成为近年来钨酸铅晶体的研究热点.本文综述了高光产额钨酸铅晶体的研究现状,指出了目前存在的问题.结合理论分析,提出采用坩埚下降法晶体生长技术,离子掺杂和退火等措施是进一步提高钨酸铅晶体光产额的主要途径.

Tm:YAG晶体的研究进展

宋平新;赵志伟;徐晓东;姜本学;邓佩珍;徐军

2005, 34(1):  131-135. 

摘要 ( 20 )   PDF (349KB) ( 19 )  

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Tm:YAG晶体是性能优异的LD泵浦激光晶体.本文总结了Tm:YAG晶体的生长、光谱性质以及激光性能的研究和发展,并指出了Tm:YAG晶体发展中需要解决的问题.

掺铈硅酸钆闪烁晶体的研究进展与发展方向

介明印;赵广军;何晓明;曾雄辉;庞辉勇;张连瀚;徐军

2005, 34(1):  136-143. 

摘要 ( 33 )   PDF (451KB) ( 27 )  

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本文综述了铈离子掺质硅酸钆(Ce:Gd2SiO5)闪烁晶体的结构、闪烁性能、闪烁机理及晶体生长的研究现状,重点讨论了Ce:GSO闪烁晶体生长的研究进展;提出了硅酸钆闪烁晶体未来研究发展的几个方向为:大尺寸晶体的生长、高光输出的研究、混合型硅酸钆晶体的研究等.

稀土焦硅酸盐Re2Si2O7闪烁晶体的研究进展

严成锋;赵广军;杭寅;徐军

2005, 34(1):  144-148. 

摘要 ( 30 )   PDF (335KB) ( 36 )  

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铈掺杂稀土焦硅酸盐系列晶体Re2Si2O7(其中Re=Lu3+、Y3+、Gd3+等)作为新型无机闪烁晶体材料,近来引起科研人员的关注.本文阐述了稀土焦硅酸盐系列晶体Re2Si2O7的结构、晶体生长方法、闪烁性能和有待进一步研究的问题.

氮化铜薄膜的制备及其物理性能

岳光辉;闫鹏勋

2005, 34(1):  149-154. 

摘要 ( 31 )   PDF (449KB) ( 38 )  

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氮化铜薄膜的光学性能及其突出的低温热分解特性,使得它在信息存储方面有广阔的应用前景.本文概述了国际上制备多晶态氮化铜薄膜的研究进展及其物理性能,并对其应用前景进行展望.

水热法合成Ni(OH)2/SiO2催化剂制备碳纳米管:镍含量对碳纳米管管径和产率的影响

陈玉莲;朱燕娟;薛新民;邓颖宇;张国富;李顺华;张海燕

2005, 34(1):  155-158. 

摘要 ( 35 )   PDF (416KB) ( 17 )  

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以硝酸镍和正硅酸乙酯为主要原料,采用前驱物水热法制得不同镍含量的纳米Ni(OH)2/SiO2复合粉体,用复合粉体做催化剂催化裂解C2H2制得多壁碳纳米管粗产物.研究表明:在复合粉体Ni(OH)2/SiO2催化剂中,硅镍比在一定范围内(1:2～1:14),随着镍含量增加,粒径增大,结晶程度提高,催化剂活性先提高后下降,制得的碳纳米管纯度及产量先增后降,碳管的管径分布范围先窄后宽.催化剂硅镍比为1:12时,制得的碳纳米管纯度高,管径细而均匀(10～18nm),且粗产物数量较多(1g催化剂合成3.3g碳纳米管粗产物).

柠檬酸盐法制备(Na0.5 Bi0.5)1-xBaxTiO3压电陶瓷的极化特性研究

陈书涛;徐庆;陈文;周静;金福熙;李仲熙

2005, 34(1):  159-163. 

摘要 ( 20 )   PDF (339KB) ( 24 )  

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采用柠檬酸盐法合成了具有单一钙钛矿结构的(Nao5Bio5)1-xBaxTiO3(x=0,x=0.04)超细粉料,并研究了陶瓷样品的极化特性、压电性能和铁电性能.研究结果表明,柠檬酸与金属离子的摩尔比(C/M)控制在1.2～1.6、前驱体液的pH值控制在7～9范围内可以得到均匀透明的溶胶和凝胶,凝胶在600℃下热处理1h后可形成单一钙钛矿结构的超细粉料.XRD研究结果表明,x=0和x=0.04时陶瓷样品均为三方钙钛矿结构.极化电压和极化温度对陶瓷样品的压电性能有很大影响,而极化时间对压电性能的影响则不显著.Ba2+的固溶改善了陶瓷样品的铁电性能,有利于材料极化性能和压电性能的提高.与常规固相法制备的同种组成样品相比,柠檬酸盐法制备的(Nao5Bi0.5)1-xBaxTiO3(x=0,x=0.04)陶瓷具有较好的压电性能.

锰锌铁氧体材料的制备研究新进展

席国喜;路迈西

2005, 34(1):  164-168. 

摘要 ( 27 )   PDF (347KB) ( 28 )  

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介绍了目前国内外制备锰锌铁氧体材料的主要方法及研究进展,包括传统的干法工艺(陶瓷工艺)和湿法工艺等,同时指出了各种制备方法的优缺点.认为煅烧条件的控制及产品粒径的分布是影响材料磁性能的关键,湿法工艺中的溶胶-凝胶法和水热法是今后研究的主要方向.

可加工陶瓷的结构、性能和制备

章为夷;高宏

2005, 34(1):  169-173. 

摘要 ( 28 )   PDF (347KB) ( 42 )  

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综述了可加工玻璃陶瓷、可加工复相陶瓷和可加工Ti3SiC2陶瓷的结构、性能和制备方法,介绍了近年国内外在这方面的最新进展,并展望了今后的研究重点.

碳纳米管吸波性能研究

孙晓刚

2005, 34(1):  174-177. 

摘要 ( 32 )   PDF (226KB) ( 23 )  

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碳纳米管和环氧树脂混合制成复合吸波涂料,浇铸在铝板上制成吸波涂层.用TEM检测碳纳米管,反射率扫频测量系统HP8757E标量网络分析仪检测吸波性能.碳纳米管和环氧树脂比例为1:100时,7mm厚吸波层试样在11GHz和17.83 GHz出现双吸波峰,最大吸波峰出现在17.83 GHz,峰值R为-9.04dB,带宽约1GHz(R＜-8dB).吸波涂层厚度不变,碳纳米管和环氧树脂比例调整为8:100时,双吸波峰出现在10.08GHz和16.80GHz,带宽分别达到2.87GHz和2.56GHz,总带宽5.43GHz(R＜-8dB).当R＜-5dB,带宽达到11.20GHz.最大吸波峰出现在10.08GHz,峰值加大到R为-21.08dB.

多孔硅形成机理的逆结晶学模型

王海燕;卢景霄;郜晓勇;孙晓峰;段启亮

2005, 34(1):  178-182. 

摘要 ( 27 )   PDF (385KB) ( 19 )  

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本文概述了多孔硅形成机理和现有模型.通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型.这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制.此模型的提出对研究晶体生长有用.

提高掺铒硅基纳米材料发光效率的探索

彭英才;傅广生;王英龙;尚勇

2005, 34(1):  183-189. 

摘要 ( 28 )   PDF (444KB) ( 28 )  

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本文中,我们以SiO2介质镶嵌的纳米晶Si薄膜(nc-Si/SiO2)作为基质,将稀土离子Er掺入其中所形成的nc-Si:Er3+/SiO2薄膜材料为主,介绍了nc-Si→Er3+之间的能量转移过程,探讨了实现各类掺Er的Si基纳米材料高效率发光的可能途径.这些方法主要包括:增强nc-Si→Er3+的能转移效率,提高有效Er的掺杂浓度,选择最佳的退火温度,增加Er-O发光复合体的浓度和制备新的Er掺杂Si基纳米结构等.这些方法对制备具有高发光效率的掺铒硅基纳米材料具有重要的实际意义.

单晶炉真空密闭性能的检验技术

施政

2005, 34(1):  190-192. 

摘要 ( 20 )   PDF (193KB) ( 26 )  

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单晶炉炉室真空密闭性能是衡量单晶炉设备性能好坏的重要因素.本文主要介绍的是在制造单晶炉炉室和屯装配调试过程中,采用不同的工艺循序渐进地对单晶炉真空密闭性能进行检验,从而提高单晶炉设备的性能.

泡生法制备大尺寸蓝宝石单晶体

韩杰才;左洪波;孟松鹤;张明福;姚泰;李长青;许承海;汪桂根

2005, 34(1):  193-193. 

摘要 ( 28 )   PDF (65KB) ( 35 )  

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