VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (1): 56-59.

VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

张晓丹;高艳涛;赵颖;朱锋;魏长春;孙建;侯国付;薛俊明;张德坤;任慧志;耿新华;熊绍珍

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

出版日期:2005-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028202,G2000028203);教育部科学技术研究项目(02167);国家自然科学基金(2002DFG00051);国家高技术研究发展计划(863计划)(2002303261)

Analysis of Silicon Thin Film Prepared at Different Hydrogen Dilutions by VHF-PECVD

ZHANG Xiao-dan;GAO Yan-tao;ZHAO Ying;ZHU Feng;WEI Chang-chun;SUN Jian;HOU Guo-fu;XUE Jun-ming;ZHANG De-kun;REN Hui-zhi;GENG Xin-hua;XIONG Shao-zhen

Online:2005-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变.傅立叶变换红外吸收(FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多.而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为31;.

中图分类号:

TK51

张晓丹;高艳涛;赵颖;朱锋;魏长春;孙建;侯国付;薛俊明;张德坤;任慧志;耿新华;熊绍珍. VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 56-59.

ZHANG Xiao-dan;GAO Yan-tao;ZHAO Ying;ZHU Feng;WEI Chang-chun;SUN Jian;HOU Guo-fu;XUE Jun-ming;ZHANG De-kun;REN Hui-zhi;GENG Xin-hua;XIONG Shao-zhen. Analysis of Silicon Thin Film Prepared at Different Hydrogen Dilutions by VHF-PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(1): 56-59.

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