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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 278-282.

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提拉法生长大尺寸γ-LiAlO2单晶的研究

彭观良;邹军;庄漪;张涟翰;周国清;周圣明;徐军;干福熹   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
  • 出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20

Study on Large-size γ-LiAlO2 Single Crystal Grown by Czochralski Technique

PENG Guan-liang;ZOU Jun;Zhuang Yi;ZHANG Lian-han;ZHOU Guo-qing;ZHOU Sheng-ning;XU Jun;GAN Fu-xi   

  • Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 由于与GaN晶格失配小(约1.4;),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.

关键词: 晶体生长;提拉法;γ-LiAlO2;外延;GaN;衬底;红外

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