离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 288-291.

离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究

邓书康;陈刚;高立刚;陈亮;俞帆;刘焕林;杨宇

云南大学化学与材料工程学院,昆明,650091

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
云南省科技攻关项目(2001G06)

Study on Crystallization of the Si/Ge Multilayer Films Prepared by Ion-beam Sputtering

DENG Shu-kang;CHEN Gang;GAO Li-gang;CHEN Liang;Yu Fan;LIU Huan-lin;YANG Yu

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.

中图分类号:

邓书康;陈刚;高立刚;陈亮;俞帆;刘焕林;杨宇. 离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 288-291.

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