硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 421-424.

硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究

庞辉勇;赵广军;介明印;朱江;何晓明;徐军

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50402008)

Study on the Growth, Etch Morphology and Spectra Property of YSO Crystals

PANG Hui-yong;Zhao Guang-Jun;JIE Ming-yin;ZHU Jiang;HE Xiao-ming;XU Jun

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品.经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200～300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200～500nm波段透过率显著降低.

中图分类号:

O782

庞辉勇;赵广军;介明印;朱江;何晓明;徐军. 硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 421-424.

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