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2005年 第34卷 第3期
刊出日期：2005-06-15

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非线性光学晶体Na3La9O3(BO3)8的生长研究

李云阁;吴以成;张国春;常峰;傅佩珍

2005, 34(3):  387-389. 

摘要 ( 11 )   PDF (190KB) ( 35 )  

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以Na3CO3和H3BO3为助熔剂,Na3CO3和H3BO3摩尔比为7/6,熔质Na3La9O3(BO3)8和助熔剂摩尔比为1/10～1/14,采用顶部籽晶生长方法,生长Na3La9O3(BO3)8晶体,晶体尺寸为30×18×8mm3.本文讨论了籽晶方向对Na3La9O3(BO3)8晶体生长的影响,(100)方向比(001)方向更有利于晶体生长.

CMTD晶体的分解过程原子力显微镜实时观测研究

赵珊茸;孙大亮;郭世义;王继扬;许效红

2005, 34(3):  390-394. 

摘要 ( 13 )   PDF (332KB) ( 23 )  

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用原子力显微镜实时观测了有机晶体CMTD(CdHg(SCN)4(H6C2OS)2)的表面分解过程,这一分解过程是以表面形貌变化来表征的,并且能反映分解过程中的一些固态反应的物理一化学变化机制.X射线能谱分析(EDAX)表明,相对于新鲜的CMTD晶体,在分解物中Hg低而S高;X射线衍射(XRD)表明分解物为非晶态;红外吸收光谱(IR)表明在CMTD晶体结构中的(H6C2OS)结构基元被分解为H2O和酸;量热分析(DSC)表明CMTD晶体在室温空气中确实有化学反应发生.本文用原子力显微镜实时记录了这一分解过程的形貌变化,发现这种非晶态的分解物的产生过程为:成核一核生长一核分散等.这是首次用原子力显微镜实时观测到这种分解过程.

固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究

张冠杰;舒永春;皮彪;邢小东;林耀望;姚江宏;王占国;许京军

2005, 34(3):  395-398. 

摘要 ( 12 )   PDF (231KB) ( 90 )  

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通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δ-Si掺杂AlGaAs/GaAs结构材料.InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104 cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料.成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料.

γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究

彭观??庄漪;邹军;王银珍;刘世良;周国清;周圣明;徐军;干福熹

2005, 34(3):  399-402. 

摘要 ( 7 )   PDF (259KB) ( 25 )  

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由于与GaN晶格失配小(约1.4;),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1.

高温高压下Z轴水晶的电导率实验研究

代立东;李和平;单双明;杨昌君;刘庆友

2005, 34(3):  403-407. 

摘要 ( 9 )   PDF (291KB) ( 23 )  

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电导率测量的过程历经了从直流一交流一阻抗谱的过程,已经为地球物理学家借助于高温高压手段研究固体深部物质电学性质所广泛认同的.本文首先介绍了阻抗谱法测定水晶电导率的实验原理,进而采用该方法在10-1～106Hz的频率范围以及1.0～4.0GPa和823～1073K条件下,借助于YJ-3000t紧装式六面顶高压设备对沿Z轴方向生长的水晶进行了的电导率实验就位测量.实验结果表明:在选择的频率范围,样品的复阻抗的模和相角都对频率具有很强的依赖性;随着温度的升高,电阻迅速降低,电阻率降低,电导率增大;在压力1.0～4.0GPa,其活化焓分别为:0.8548eV、0.8320eV、0.8172eV、0.7834eV,独立于温度的指前因子分别为:1.003S/m、1.778S/m、3.082S/m、6.987S/m,活化焓随着压力的升高而降低,指前因子随着压力的升高而增大.

红外非线性晶体材料AgGa1-xInxSe2的生长和性能表征

吴海信;张维;石奇;毛明生;程干超;杨琳

2005, 34(3):  408-411. 

摘要 ( 11 )   PDF (253KB) ( 31 )  

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AgGa1-xInxSe2是近几年来研制的新型红外非线性光学晶体材料,其主要特点是借着Ga和In含量,即x值的变化,改变材料的折射率、双折射,实现三波共线非线性作用的非临界(90°)相位匹配.我们用垂直布里奇曼法生长单晶,获得了φ35mm×50mm的AgGa1-xInxSe2单晶棒.对生长出晶体棒In的浓度分布进行了测试.晶体元件用红外观察镜和分光光度计分别进行了观察和测试,晶体透光率良好.用一台TEA CO2激光泵浦一块5×6×16mm3的AgGa1-xInxSe2(x=0.3234)晶体元件,成功地实现了10.6μm非临界相位匹配倍频,输出5.3μm的中红外激光.

聚丙烯酸电解质准固态染料敏化TiO2太阳能电池

魏月琳;黄昀昉;吴季怀;郝三存

2005, 34(3):  412-416. 

摘要 ( 14 )   PDF (307KB) ( 25 )  

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以聚丙烯酸为电解质取代传统的液体电解液制备了准固态染料敏化TiO2太阳能电池.该电池具有较好的光电转换性能,在60mW/cm2的模拟光照下(AM1.5),短路电流Isc和开路电压Voc分别为91.5μA/cm2和520mV,光电转换效率和填充因子分别为0.06;和0.63.

大尺寸PWO:(Mo,Y)晶体发光均匀性的研究

谢建军;袁晖;廖晶莹;杨培志;沈炳孚;殷之文

2005, 34(3):  417-420. 

摘要 ( 14 )   PDF (277KB) ( 25 )  

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报道了用改进的Bridgman法生长的大尺寸PbWO4:(Mo,Y)晶体发光均匀性的表征研究.通过对大尺寸的PbWO4:(Mo,Y)晶体不同部位的透射光谱、X射线激发发射光谱、光产额和抗辐照损伤能力等光学和闪烁性能的测试,结果表明在实验所涉及的掺杂浓度范围,Mo、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的发光均匀性,增强其抗辐照损伤能力.

硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究

庞辉勇;赵广军;介明印;朱江;何晓明;徐军

2005, 34(3):  421-424. 

摘要 ( 15 )   PDF (262KB) ( 29 )  

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本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品.经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200～300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200～500nm波段透过率显著降低.

表面局域态对一维声子晶体中水平剪切波传输特性的影响

郁殿龙;刘耀宗;邱静

2005, 34(3):  425-430. 

摘要 ( 13 )   PDF (381KB) ( 16 )  

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利用传递矩阵法,研究了一维声子晶体表面存在的表面局域态对水平剪切波传输特性的影响.由于表面局域态的存在,声波的透过率出现共振峰.共振峰的极值与入射角度和声子晶体层数有关,合适的入射角度和层数可以使声波完全透射.当入射角在一定范围内连续变化时,在较宽频率范围内均出现较大透过率.声子晶体的这一特性可以应用于高性能的阻抗匹配材料和声波滤波器中.

表面处理对蓝宝石衬底的影响

王银珍;彭观良;刘世良;李抒智;邹军;周圣明;徐军

2005, 34(3):  431-434. 

摘要 ( 17 )   PDF (243KB) ( 32 )  

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蓝宝石衬底是目前最为普遍的一种衬底材料,是生长GaN、ZnO材料最常用的衬底.本文用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)和高分辨X射线双晶洐射对蓝宝石衬底进行了分析测试,系统研究了经过机械抛光、化学机械抛光、化学腐蚀等表面处理对蓝宝石衬底表面性能的影响.结果表明经过化学机械抛光随后再经腐蚀后的蓝宝石衬底的表面性能最好.

表面活性剂溶液中硫化铅纳米结构的可控生长

于雪莲;曹传堂;曹传宝;朱鹤孙

2005, 34(3):  435-437. 

摘要 ( 10 )   PDF (248KB) ( 17 )  

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应用软模板法成功制备了半导体硫化铅树枝状纳米结构.此反应是在非离子表面活性剂Triton X-100存在下进行的,具有条件温和,操作简单等优点.对反应过程中硫化铅各向异性生长的影响因素进行系统的阐述,通过简单地控制反应时间及表面活性剂的加入量就可得到纳米棒、纳米分枝结构以及立方结构.考虑到形貌对半导体性能有重要影响,这一实验结果的取得应具有很高的实际应用价值.

三硼酸铋(BiB3O6)晶体研究综述

张克从;陈学安;王希敏

2005, 34(3):  438-443. 

摘要 ( 8 )   PDF (351KB) ( 45 )  

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本文综述了人们近年来对BiB3O6(BIBO)晶体生长、结构和性能等所取得的研究成果,通过多学科和多参数综合性质的研究,说明了BIBO晶体是一种新型高效非线性光学晶体.但作为一种新型高效非线性光学材料,有关BIBO的研究尚属于早期阶段,为了获得广泛的应用,应当进一步研究.

透明导电氧化物MgIn2O4的研究进展

张俊刚;夏长泰;吴锋;徐军

2005, 34(3):  444-449. 

摘要 ( 14 )   PDF (336KB) ( 19 )  

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透明导电氧化物(TCO)材料由于它的特殊性质,在平板显示器和太阳能电池等方面得到了广泛的应用.MgIn2O4作为一种新型的尖晶石结构的透明导电材料,也受到了研究人员的重视,成为近年来的研究热点,常用的MgIn2O4材料制备方法包括固相合成、磁控溅射、脉冲激光沉积等,本文综合国外学者的一些研究成果,介绍了目前MgIn2O4材料的制备方法及其性能提高和应用.

铁电薄膜/半导体异质结构的研究进展

向飞;刘颖;朱时珍

2005, 34(3):  450-453. 

摘要 ( 5 )   PDF (309KB) ( 17 )  

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综述了铁电薄膜/半导体异质结构研究近年来的新进展.重点介绍了异质结构制备工艺的改进和界面的最新研究状况.简单叙述了全钙钛矿异质结构的发展情况.指出了铁电薄膜/半导体异质结构研究领域需要解决的一些问题.

一种Ga-P复合发光材料的制备和性质研究

李娜;徐晓伟;范慧俐;郑延军;信春雨;陈士博;李玉萍

2005, 34(3):  454-458. 

摘要 ( 11 )   PDF (290KB) ( 16 )  

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以Na3P和GaCl3为原料,在常压条件下的有机溶剂中合成出一种荧光材料.XRD分析表明其结构与GaP纳米晶体完全不同.能谱分析证明该产物包含Ga、P、Cl元素,该组成式为GaPCl4.将该产物与桑色素复合,并与GaP/桑色素复合材料相比,发现前者在丙酮、乙醇和水溶液中的发光强度以及发光稳定性均明显优于后者.该实验产物与桑色素复合制成的复合材料在丙酮、酒精和水溶液中出现很强的光致发光,而且可以稳定存在三个月以上.

单分子膜诱导下晶体生长中的晶格匹配

欧阳健明

2005, 34(3):  459-465. 

摘要 ( 11 )   PDF (476KB) ( 24 )  

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有机基质与无机晶体的晶格几何匹配是导致生物体内矿物有序生长并具有特殊理化性质的重要因素之一.作为模拟生物矿化的重要模板之一,Langmuir单分子膜具有独特的优势.本文综述了单分子膜诱导下CuSO4、Na2SO4、PbS、CdS、BaF2和CaF2等晶体生长过程中的晶格匹配,讨论了单分子膜亲水头基、膜的电荷性质、膜聚集态等因素对膜控晶体生长过程中晶格匹配的影响.指出了该领域所面临的问题和将来的发展方向.

缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响

吴洁君;韩修训;李杰民;黎大兵;魏宏远;康亭亭;王晓晖;刘祥林;王占国

2005, 34(3):  466-470. 

摘要 ( 7 )   PDF (379KB) ( 25 )  

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本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.

热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜

周怀恩;陈光华;朱秀红;阴生毅;胡跃辉

2005, 34(3):  471-474. 

摘要 ( 8 )   PDF (219KB) ( 25 )  

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氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用.本文采用热丝辅助MWECR CVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR＞2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD＞105)的氢化非晶硅薄膜.实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H2稀释率,有利于薄膜光电特性的改善.

VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究

张晓丹;高艳涛;赵颖;朱锋;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍

2005, 34(3):  475-478. 

摘要 ( 9 )   PDF (213KB) ( 25 )  

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采用VHF-PECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜.运用微区拉曼散射(Micro-Raman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析.Micro-Raman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大.XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大.

Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征

汪洪;周圣明;宋学平;刘艳美;李爱侠

2005, 34(3):  479-483. 

摘要 ( 10 )   PDF (321KB) ( 24 )  

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采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响.X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向.不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化,应力分布最为均匀的退火温度为500℃.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右).实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜.

竹叶状多孔SnS薄膜的沉积

雷天民;胡永红;李红生;李留臣;封先锋;刘守智

2005, 34(3):  484-486. 

摘要 ( 10 )   PDF (184KB) ( 18 )  

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以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征.XRD分析结果表明样品为斜方晶体结构的多晶SnS薄膜.SEM观察结果显示薄膜表面呈竹叶状多孔形貌,此结构有利于增加太阳电池的光吸收.

溶胶-凝胶法制备纳米ZnO薄膜的结构和光学性质

张孔辉;肖芝燕;张喜田

2005, 34(3):  487-490. 

摘要 ( 13 )   PDF (282KB) ( 15 )  

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采用溶胶-凝胶方法制备纳米ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,薄膜具有六角纤锌矿多晶结构,且随水解时间的增加,粒子尺寸逐渐增大.室温下,观察到近带边紫外发射和较强的可见区(2.45eV)发射.红外吸收光谱研究表明ZnO薄膜表面存在单齿、双齿和桥状结构的醋酸锌副产物,阐述了不同结构醋酸锌副产物对ZnO薄膜可见区发光性质的影响.

YAG:V2+激光材料晶格畸变及其EPR参量研究

杨子元;魏群;郝跃

2005, 34(3):  491-495. 

摘要 ( 9 )   PDF (284KB) ( 26 )  

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利用Newman的晶场叠加模型,建立了晶体微观结构与电子顺磁共振(EPR)参量之间的定量关系.采用全组态完全对角化方法,对YAG:V2+晶体的局域晶格畸变及其EPR参量进行了系统的研究,结果表明:V2+离子掺入YAG晶体后,V2+离子的局域结构产生压缩三角晶格畸变,沿[111]晶轴方向V2+离子上方的三个O2-配体与下方的三个O2-配体均偏离[111]轴1.96°,从而成功地解释了YAG:V2+晶体的EPR参量.同时研究也表明,SS与SOO磁相互作用对EPR参量的贡献不可忽略.

中子辐照MgO晶体的损伤和恢复

刘健;阮永丰;马鹏飞;李文润;刘昌龙

2005, 34(3):  496-499. 

摘要 ( 8 )   PDF (249KB) ( 25 )  

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用剂量为5.74×1018cm-2的中子对MgO晶体进行了辐照,利用吸收光谱、荧光光谱等手段观测了中子辐照引起的损伤及其恢复.中子辐照产生了大量的阴离子单空位(F+)、阴离子双空位(F2)及其它更高阶的缺陷.通过等时退火,这些缺陷发生了一系列消长和转型的变化过程,并最终在900℃左右全部消失.实验结果表明,吸收峰位于573nm的色心是与位于424nm、451nm的色心类型不同的更高阶的阴离子空位聚集态.

PbWO4晶体中铅氧空位对对晶体光学性质的影响

刘廷禹;张启仁;庄松林

2005, 34(3):  500-504. 

摘要 ( 8 )   PDF (315KB) ( 24 )  

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本文利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,按照能量最低原理采用共轭梯度方法,对含铅氧空位对的PbWO4晶体进行结构优化处理.在此基础上,计算了含铅氧空位对的PbWO4晶体的电子结构、复数折射率、介电函数及吸收光谱,并与完整的PbWO4晶体进行了比较.结果表明:PWO晶体中铅氧空位对的存在对PbWO4晶体的光学性质没有显著的影响.

硫镓银单晶生长新方法探索

张伟;朱世富;赵北君;张建军;刘敏文;李一春

2005, 34(3):  505-508. 

摘要 ( 11 )   PDF (195KB) ( 32 )  

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在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了AgGaS2多晶粉末衍射谱,以及单晶体的红外透射谱,同时得到了(112)、(024)面的X射线单晶衍射谱,结果表明生长的单晶体可用于器件研究.

ZnS:Mn/CdS核壳结构纳米微粒的制备及光学特性

晏刚;李冬梅;桑文斌;姚渊

2005, 34(3):  509-513. 

摘要 ( 16 )   PDF (304KB) ( 25 )  

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采用微乳液法制备了掺Mn的ZnS纳米微粒并用CdS对其进行了表面修饰,以XRD、紫外吸收和发射光谱对其结构及光学性质进行了表征和研究.制得的纳米微晶粒径为4～6nm,为立方纤锌矿结构.与未经包覆的ZnS:Mn纳米微粒相比,核壳结构的ZnS:Mn/CdS纳米微粒中Mn2+发射峰的强度增强了很多,适当厚度的壳层的修饰可减少其表面态发射和非辐射跃迁,增强了Mn2+离子的4T1-6A1的能量传递和ZnS的带边发射,提高了发光效率;讨论了ZnS核中Mn掺杂浓度对ZnS:Mn/CdS纳米微晶的光学性能的影响,发现当掺Mn浓度为4;时Mn2+发射峰的强度最大.

CeF3闪烁探测器对五种能量中子的甄别能力研究

胡孟春;李忠宝;唐章奎;彭太平;王振通;张建华;唐正元;杨洪琼;杨高照

2005, 34(3):  514-518. 

摘要 ( 26 )   PDF (313KB) ( 26 )  

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用CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管构成两种闪烁探测器,在1.2MeV、2.5MeV、3.5MeV、5.0MeV和14MeV等能量的稳态中子源场中,测量了这两种闪烁体探测器的电流输出,得到结果表明:上述能量的中子与CeF3闪烁探测器作用形成的电流比同尺寸ST401闪烁体构成探测器的输出电流均低一个量级以上,这些结果与这两种探测器在钴、铯γ源中测量结果比较,可以得出在n、γ混合辐射场中测量γ辐射时,CeF3闪烁探测器能够较好地屏蔽这些能量中子的干扰.

海泡石显微结构对涂层材料隔热性能影响

尹辉;梁金生;汤庆国;梁广川;王丽娟;李国胜

2005, 34(3):  519-524. 

摘要 ( 9 )   PDF (414KB) ( 25 )  

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将天然海泡石多孔矿物材料进行适当粒度的球磨加工,制成隔热涂料.本文从海泡石的粒径、分散程度及显微结构对涂料隔热性能影响的角度出发用SEM、TEM对海泡石显微结构进行表征.结果表明:以适当球磨工艺制备的海泡石微粉为隔热添加剂的隔热涂料,与以一般加工方法制备的海泡石矿粉为隔热添加剂的隔热涂料相比,隔热效果可提高5℃.通过SEM、TEM分析,球磨后海泡石显微结构发生了改变,由纤维的簇状结构变成由大量单个纤维组成的团聚体.经超声波分散后,海泡石纤维的团聚态被打破,涂料的隔热效果可再提高2℃.涂层隔热效果不仅仅与海泡石纤维颗粒粒径有关,还与海泡石纤维分散程度及显微结构有关.

磁场直拉硅原理的微观解释

张雯

2005, 34(3):  525-530. 

摘要 ( 9 )   PDF (359KB) ( 73 )  

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本文从电磁相互作用基本原理出发,研究锗熔体在垂直磁场中粘度的变化、液态汞在水平磁场中粘度的变化和粘度随磁场强度变化的机理,将研究结果拓展到磁场直拉硅的生产中,根据直拉硅和磁场直拉硅生产过程中,硅熔体中硅原子或原子团的带电状态和运动状态,提出了磁场直拉硅原理的微观解释,外加磁场改变了带电硅粒子(带电的硅原子或原子团)的热对流状态,抑制了熔体中的热起伏,稳定了结晶前沿处熔体的流动状态,为晶体生长提供了稳定的条件.

不同晶形超细碳酸钡粒子的制备研究

刘树信;霍冀川;杨定明;王海滨;雷永林;贾娜

2005, 34(3):  531-535. 

摘要 ( 9 )   PDF (344KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

本文分别采用均相沉淀法和共沉淀法合成了碳酸钡粒子.通过添加合适的晶形控制剂,合成了线状、柱状和球状等不同晶形的碳酸钡粉体,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)进行了表征,并对不同晶形碳酸钡的形成机理进行了初步的探讨.

一维声子晶体缺陷态的研究

朱敏;方云团;沈廷根

2005, 34(3):  536-541. 

摘要 ( 7 )   PDF (258KB) ( 27 )  

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用特征矩阵法计算了声波在包含缺陷的一维声子晶体中的传播规律.其带隙结构与不包含缺陷结构的带隙结构相比有明显的不同,系统的透射率不仅与掺杂或替换的介质种类和层数有关,而且与介质的厚度有关.对于通带中的固定频率,透射率随介质厚度的增加呈周期性变化.

钛酸锶(SrTiO3)低温时的自发极化

蔡玉平;韩代朝;宁如云

2005, 34(3):  542-545. 

摘要 ( 15 )   PDF (203KB) ( 22 )  

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对自由能取极小可得到一系列方程,原则上可以确定任意系统相变时的行为.在105K SrTiO3发生立方一四方的反铁畸变,考虑量子效应,从吉布斯自由能形式出发,计算了介电常数,并讨论低温时的居里一外斯行为.

晶体结构控制晶体形态的理论及应用

李广慧;韩丽;方奇

2005, 34(3):  546-549. 

摘要 ( 12 )   PDF (206KB) ( 31 )  

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本文对比分析了研究晶体宏观形貌与内部结构关系的3种主要理论,即布拉维法则、周期键链理论和负离子配位多面体生长基元理论.提出利用布拉维法则,结合晶胞形状及结构中螺旋轴、滑移面的影响,可以更准确地分析晶体的习性,并据此对晶体习性进行了分类.

电子辅助热丝化学气相沉积金刚石薄膜中氢原子谱线与最佳成膜条件

董丽芳;尚勇;王志军

2005, 34(3):  550-552. 

摘要 ( 11 )   PDF (235KB) ( 20 )  

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采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2混合气体为源气体的EACVD中的氢原子发射过程进行了模拟.研究了不同实验条件下产生的H、CH3的数目与氢原子谱线相对强度的关系,给出了一种利用氢原子谱线来获得最佳成膜实验条件的方法.本工作对于有效控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义.

微波诱导制备纳米氧化锆及其机理研究

王焕英;宋秀芹

2005, 34(3):  553-556. 

摘要 ( 8 )   PDF (220KB) ( 23 )  

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以ZrOCl2·8H2O和CO(NH2)2为原料,利用微波诱导均匀沉淀法制得了纳米ZrO2,考察了微波加热与常规加热的不同之处以及微波加热对粒径大小、均匀度、晶化温度的影响,采用日立H-600型透射电镜、Malvern粒度分布仪、差热分析仪和X射线衍射仪等对产品进行了表征,并得出结论:微波诱导制备纳米氧化锆,所得粒子粒度较小、均匀性好,并对微波加热的原理进行了探讨.

流动电位法对降温结晶过程的研究

王建;周洪英;王明艳;李善忠;马卫兴;许兴友;姜培琴;王宝国;沈国强

2005, 34(3):  557-561. 

摘要 ( 12 )   PDF (253KB) ( 26 )  

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对过饱和溶液在施加一定的流体压力差使之循环流动,实验结果测算草酸、草酸钠、硼酸和磷酸氢二钠等在不同温度下饱和溶液降温结晶时流动电位随时间的变化规律.实验结果表明流动电位大小与结晶物质的种类、温度和浓度有关,同时易受外界因素的干扰,实验数据的严格重现较难.但多次实验结果都显示:过饱和溶液在某一温度下形成晶核过程中其流动电位均发生显著变化;当饱和溶液起始结晶温度较高时,其流动电位突变点温度也更高.

提拉法的晶种劈形自紧固方法

唐杰

2005, 34(3):  562-564. 

摘要 ( 10 )   PDF (165KB) ( 22 )  

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本文介绍一种在提拉法中使用的晶种劈形自紧固方法.将劈形晶种放入相应的燕尾槽晶夹头中,可使晶种不下滑,并承受最小压力.数模分析和多年实践都证明:该方法具有晶种内应力小、热传导性好和操作方便等优点.

P型掺杂金刚石厚膜的电火花加工

曹振中;左敦稳;黎向锋;卢文壮

2005, 34(3):  565-570. 

摘要 ( 11 )   PDF (349KB) ( 28 )  

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CVD金刚石具有和天然金刚石相近的一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能,在航空、航天、国防等高科技领域具有广阔的应用前景.但是,普通CVD金刚石膜是绝缘体,无法直接进行电加工.本文在分析了电火花加工半导体材料去除速率的基础上,通过掺硼对CVD金刚石厚膜进行半导体改性,继而实现了其电火花加工.通过研究,建立了掺硼金刚石厚膜电火花加工去除速率的经验公式.最后,通过Raman和SEM分析对CVD金刚石厚膜的电火花加工机理进行了初步探讨.