缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 466-470.

缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响

吴洁君;韩修训;李杰民;黎大兵;魏宏远;康亭亭;王晓晖;刘祥林;王占国

中国科学院半导体研究所,材料开放重点实验室,北京,100083

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60376013,60136020)

Influence of Buffer Layer Thickness on the Properties of an Undoped GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

WU Jie-jun;HAN Xiu-xun;LI Jie-min;LI Da-bing;WEI Hong-yuan;KANG Ting-ting;WANG Xiao-hui;LIU Xiang-lin;WANG Zhan-guo

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.

中图分类号:

O484

吴洁君;韩修训;李杰民;黎大兵;魏宏远;康亭亭;王晓晖;刘祥林;王占国. 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 466-470.

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