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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 565-570.

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P型掺杂金刚石厚膜的电火花加工

曹振中;左敦稳;黎向锋;卢文壮   

  1. 南京航空航天大学机电学院,南京,210016
  • 出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50075039)

EDM of P-type Doped Diamond Thick Film

CAO Zhen-zhong;ZUO Dun-wen;LI Xiang-feng;LU Wen-zhuang   

  • Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要: CVD金刚石具有和天然金刚石相近的一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能,在航空、航天、国防等高科技领域具有广阔的应用前景.但是,普通CVD金刚石膜是绝缘体,无法直接进行电加工.本文在分析了电火花加工半导体材料去除速率的基础上,通过掺硼对CVD金刚石厚膜进行半导体改性,继而实现了其电火花加工.通过研究,建立了掺硼金刚石厚膜电火花加工去除速率的经验公式.最后,通过Raman和SEM分析对CVD金刚石厚膜的电火花加工机理进行了初步探讨.

关键词: 金刚石厚膜;电火花加工;去除速率;掺硼

中图分类号: