柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In, Ga)Se2薄膜的影响

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 704-708.

柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In, Ga)Se2薄膜的影响

夏冬林;赵修建;李建庄

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20

Influence of Na-citrate's Concentration on Cu(In, Ga)Se2 Thin Films by Electrodeposition

XIA Dong-lin;ZHAO Xiu-jian;LI Jian-zhuang

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理.电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成.溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位.Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌.结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀.

中图分类号:

O484.1

夏冬林;赵修建;李建庄. 柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In, Ga)Se2薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 704-708.

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