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2005年 第34卷 第4期
刊出日期：2005-08-15

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近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究

郑燕青;施尔畏;王绍华;陈辉;卢网平;孔海宽;陈建军;路治平

2005, 34(4):  571-575. 

摘要 ( 33 )   PDF (325KB) ( 40 )  

相关文章 | 计量指标

本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体.

大直径、高掺镁铌酸锂晶体的生长及其紫外光折变性能研究

孙军;张玲;孔勇发;乔海军;刘士国;黄自恒;陈绍林;李剑韬;许京军

2005, 34(4):  576-580. 

摘要 ( 31 )   PDF (237KB) ( 27 )  

相关文章 | 计量指标

我们生长了掺镁量分别为3.0mol;、5.0mol;、7.8mol;、9.0mol;的76mm高掺镁铌酸锂晶体,检测了这些晶体的生长条纹情况,并利用双光耦合配置测试了这些晶体在351nm紫外光下的光折变性能.从实验结果看,采用同成分共熔点铌锂配比的高掺镁铌酸锂晶体生长条纹比较多;虽然高掺镁铌酸锂晶体在可见光波段有很好的抗光折变能力,但是在紫外光下具有良好的光折变性能,可以作为优良的紫外光折变材料使用.同时,实验结果表明,掺镁量在5.0mol;的铌酸锂晶体具有最佳的紫外光折变性能.

Yb:FAP晶体生长

宋平新;赵志伟;徐晓东;姜本学;邓佩珍;?炀?

2005, 34(4):  581-584. 

摘要 ( 21 )   PDF (154KB) ( 19 )  

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采用中频感应提拉法生长了Yb:FAP晶体.对晶体生长中影响晶体质量的因素特别是原料的处理、CaF2的挥发等进行了研究和讨论.运用ICP-AES测定Yb3+离子在Yb:FAP晶体中的分凝系数.对Yb:FAP晶体进行了高分辨X射线的四圆衍射实验,结果表明晶体具有比较高的晶格完整性.

InGaAlP/InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换

尉吉勇;黄柏标;于永芹;张琦;姚书山;张晓阳;秦晓燕

2005, 34(4):  585-588. 

摘要 ( 23 )   PDF (140KB) ( 20 )  

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利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命.波长1064nm向625nm的上转换激发态寿命约为5ns,而1064nm向660nm的上转换激发态寿命约为7ns.通过双光子原理解释了此现象.

Na3La2(BO3)3晶体生长及光谱特性

张国春;傅佩珍;李云阁;吴以成

2005, 34(4):  589-592. 

摘要 ( 31 )   PDF (152KB) ( 29 )  

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本文以起始摩尔比为1:1的Na2CO3:H3BO3,并添加5;质量分数的NaF为助熔剂,用顶部籽晶法生长出φ35mm×5mm的透明Na3La2(BO3)3单晶.该晶体属正交晶系,空间群:Amm2,晶胞参数为a=0.51580(10)nm,b=1.1350(2)nm,c=0.73230(15)nm,α=β=γ=90°.测量了Na3La2(BO3)3晶体在室温下的透过光谱,紫外截止波长约为200nm.该晶体常温下稳定,不吸潮,但却易溶于稀酸.

剪切应变量对Al-3;Mg多晶材料性能的影响

毕见强;孙康宁;刘睿;王素梅;范润华

2005, 34(4):  593-596. 

摘要 ( 28 )   PDF (111KB) ( 23 )  

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本文采用内角为105°、外角为45°的模具对多晶Al-3;Mg材料进行了等径角挤压实验,研究了等径角挤压的剪切应变量对其力学性能的影响.结果表明:等径角挤压可以显著改善多晶Al-3;Mg材料的力学性能,而且剪切应变量的大小与材料的力学性能密切相关.经过等径角挤压,Al-3;Mg合金的抗拉强度和硬度得到显著提高,其中抗拉强度提高146.8;,硬度提高104.7;,而等径角挤压一次后,Al-3;Mg合金延伸率由5.85;下降至4.59;,此后材料的延伸率得到改善.

一种潜在的新型非线性光学材料-氟硼酸铍

夏文兵;林哲帅;吴以成;陈创天

2005, 34(4):  597-600. 

摘要 ( 41 )   PDF (181KB) ( 39 )  

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氟硼酸铍(Be2(BO3)F,简写为BBF),属单斜晶系,空间群为C2.该化合物含有BO3平面三角形基团.BeO3F四面体与BO3基团连接形成六元环,通过Be-F-Be将层与层之间交叉联结起来.理论计算表明其Eg=7.80eV,吸收边在150nm;有较大的双折射率,Δn=0.0915;倍频系数计算结果显示:d22=-0.0723pm/v,d16=-0.0172pm/v,d14=-0.00928pm/v,d23=0.0053pm/v.对合成得到的材料粉末样品进行XDR物相测试验证和热分析.粉末倍频测试表明该材料的倍频讯号强度为KDP的1/4左右.实验证明BBF可能是一种潜在的紫外、深紫外非线性光学材料.

用第一性原理研究Fe16N2的磁学性能

李丹;顾有松;潘峰

2005, 34(4):  601-605. 

摘要 ( 28 )   PDF (199KB) ( 27 )  

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用第一性原理计算了 Fe16N2的电子结构和磁学性能.对Fe16N2的第一性原理研究表明:没有与N原子直接相邻的FeⅢ具有巨磁矩,大约为2.84μB.直接相邻N原子的FeⅠ和 FeⅡ原子只有正常磁矩.FeⅠ和FeⅡ原子的局域能带占有数分析中显示富有s和p电子的N原子主要影响Fe的4s和4p外壳电子,而3d能带占有数几乎保持不变.对于FeⅢ原子,3d电子数减少,4s和4p电子数增加,从而产生巨磁矩.当单胞体积增加时,4p电子数以快速的比率增加,4s电子数减少,而且3d电子数也减少,导致磁矩增加.

无序化对有序铁铝金属间化合物磁性的影响

范润华;尹文宗;孙康宁;孙家涛;张玉军

2005, 34(4):  606-609. 

摘要 ( 16 )   PDF (133KB) ( 25 )  

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在平衡态时,化学计量比成份Fe3Al具有D03超结构,并表现出铁磁性,平均每个Fe原子的磁矩是1.7μB,而具有B2超结构的FeAl却是无磁的.利用快速凝固、冷加工处理、溅射和机械合金化等非平衡加工技术可以使D03-Fe3Al和B2-FeAl等有序铁铝金属间化合物相无序化.本文利用固体与分子经验电子理论(EET)和Jaccarino-Walker模型对铁铝金属间化合物的磁性进行了计算,研究了无序化对Fe-Al有序相磁性的影响.结果表明:完全无序的Fe75Al25和Fe50Al50,每个Fe原子的平均磁矩分别是2.01μB、1.41μB,铁铝金属间化合物的磁性可以通过无序化提高.

反应温度和升温速度对氧化锆相转变的影响

陈守刚;尹衍升;刘英才;王昕

2005, 34(4):  610-614. 

摘要 ( 32 )   PDF (203KB) ( 25 )  

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利用液相沉淀方法制备了未掺杂、氧化钇掺杂和氧化钐掺杂的纳米级氧化锆粉体.实验结果表明,高的反应温度和煅烧过程中快的升温速度明显增加了前驱体溶液中单斜氧化锆的形核数.实验和密度泛函计算结果分析认为,高的反应温度和快的升温速度均是通过降低氧化锆前驱体网状结构的有序度来影响最终的氧化锆晶型.

以六次甲基四胺为沉淀剂制备纳米ZrO2的研究

王焕英;宋秀芹

2005, 34(4):  615-619. 

摘要 ( 25 )   PDF (148KB) ( 23 )  

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以ZrOCl2·8H2O和(CH2)6N4为原料,利用均匀沉淀法制得了纳米ZrO2,考察了不同反应条件如:反应物原始浓度、反应物配比、不同陈化方式、不同干燥方式、表面活性剂等对粒径大小、粒子形状、均匀度的影响,采用Malvern 粒度分布仪、透射电子显微镜和X射线衍射仪等对产品进行了表征,并得出结论:以六次甲基四胺为沉淀剂制备纳米氧化锆,所得粒子粒度较小、均匀性好,而且操作简便,反应速度快.

CdS薄膜中"白斑"的研究

薛玉明;孙云;周志强;孟广保;汲明亮;郑贵波;李长键

2005, 34(4):  620-623. 

摘要 ( 23 )   PDF (320KB) ( 22 )  

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本论文对CdS薄膜中的"白斑"进行了研究.化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜所需要的化学反应物包括硫脲、氨水、镉盐和铵盐等.文中采用两种镉盐和铵盐来沉积CdS薄膜:氯化镉和氯化铵,乙酸镉和乙酸铵.所沉积的CdS薄膜的表观形貌由SEM表征,成分由EDX表征.当镉盐和铵盐分别采用氯化镉和氯化铵时,生成的薄膜中存在大量的"白斑".这些"白斑"的成分不是CdS,而是(CdCl)2S.增加氨水的浓度可以大大减少这些"白斑",但是不能彻底消除这些"白斑".当镉盐和铵盐分别采用乙酸镉和乙酸铵时,生成的薄膜均匀、平整,薄膜中根本就不存在所谓的"白斑".因此,沉积CdS薄膜时,镉盐和铵盐不宜采用氯化镉和氯化铵,应该采用乙酸镉和乙酸铵.

DKDP晶体快速生长的研究

潘建国;曾金波;林秀钦;魏兆敏;林羽;林敢

2005, 34(4):  624-627. 

摘要 ( 23 )   PDF (289KB) ( 20 )  

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本文研究了DKDP晶体溶液中的有害杂质、过热方式和溶液稳定性的关系.根据DKDP晶体快速生长的特点,设计了新的晶体生长装置.并利用新的生长装置进行了DKDP晶体的快速生长,生长出60mm×60mm×60mm的高光学质量的DKDP晶体.测量了快速生长出的DKDP晶体的透过率和光学均匀性.

铌酸锂晶体电击穿特性的研究

韦伟;于建;纪磊;倪文俊;桑梅;任铁雄;李世忱

2005, 34(4):  628-632. 

摘要 ( 47 )   PDF (140KB) ( 44 )  

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从电介质的击穿机理出发,用数学方法描述了电极注入电荷被介质捕获的全过程,详细分析了电介质的击穿特性并得出了电击穿现象的理论公式,通过同成分铌酸锂晶体和掺锌铌酸锂晶体的极化和击穿实验对理论分析的结果进行了验证,试验现象与理论分析吻合较好.

六方柱与六角片状CdS晶体的水热法生长

高宁;郭范;郑伟威;陈茜

2005, 34(4):  633-636. 

摘要 ( 23 )   PDF (292KB) ( 20 )  

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本研究工作先用CdCl2和S粉在120℃碱性水溶液中合成了CdS粉末前驱体,再以NaOH为矿化剂,不同的水热条件下分别生长了六方柱和六角片状的CdS晶体.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及晶体显微照片对产物进行了表征,并分别探讨了水热条件与晶体形貌、六角片状晶体的大小与生长条件之间的关系.

C60分子的电子传导和量子流分布研究

王利光;郁鼎文;李勇;塚田捷

2005, 34(4):  637-641. 

摘要 ( 22 )   PDF (203KB) ( 23 )  

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利用基于Green's function的tight-binding方法,对由两条原子线电极连接C60分子远端构成的电子传导系统进行了理论计算和数值模拟,得出了入射电子通过C60分子传输到远端点的电子传输谱.其结果揭示了电子传导过程中C60分子的开关特性,并且得出了电子传输能量与分子轨道共振时传输概率峰值的出现及振荡特征.利用Fisher-Lee关系式和量子流密度理论,在传输概率峰值的能量点E=-1.38eV处获得了C60分子内的量子流分布,给出了键量子流的最大值和最小值.对全部分子键上的量子流数值进行了图形模拟,其结果符合量子流动量守恒定律.

Di-Ab-An体系远离平衡枝状形貌的演化及枝体结晶学各向异性特征研究

郭颖;赵珊茸;刘慧芳;蒋宏

2005, 34(4):  642-648. 

摘要 ( 23 )   PDF (342KB) ( 26 )  

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对钠长石(Ab)-钙长石(An)-透辉石(Di)三元体系跨相界线的不同成分点在不同的降温速度条件下快速结晶形成的枝状形貌进行了研究.透辉石为枝晶,斜长石为球粒晶.当降温速度慢于1℃/min后,枝状形貌变为板-柱状形貌(即近平衡形貌).我们的实验结果中没有观察到如E.Brener 和H.Muller等人提出的形貌演化图一样的演化规律.当成分点靠近同结线后,出现两晶共结形成的"中空结构".通过光学显微镜下测试其光学性质发现,透辉石沿c轴方向延长,斜长石沿a轴延长,与晶体结构中的强键链方向一致,即快速结晶时晶体沿着结构中负离子配位多面体共角顶、共棱形成的强键链方向生长形成枝体.

Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

王元樟;陈路;巫艳;吴俊;于梅芳;方维政;何力

2005, 34(4):  649-652. 

摘要 ( 27 )   PDF (117KB) ( 26 )  

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本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.

r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究

彭观良;周国清;庄漪;邹军;王银珍;李抒智;杨卫桥;周圣明;徐军

2005, 34(4):  653-656. 

摘要 ( 25 )   PDF (424KB) ( 52 )  

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本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因.

温梯法生长的Ti:Al2O3晶体的光谱分析

章佶;孙真荣;王祖赓;司继良;王静雅;杭寅;徐军

2005, 34(4):  657-660. 

摘要 ( 19 )   PDF (238KB) ( 16 )  

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本文研究了不同掺Ti3+浓度对温梯法生长的Ti:Al2O3晶体吸收光谱、荧光光谱和X射线衍射光谱的影响.根据吸收光谱提出了一个色心模型.对比了样品各处420nm荧光谱,发现掺Ti3+浓度越大,该处荧光强度越弱,同时解释了420nm处荧光峰的起源.对比了样品各处720nm处的荧光谱,发现掺Ti3+浓度越大,该处荧光强度越强.X射线衍射谱(XRD)表明,衍射峰强度随掺Ti3+浓度的增大而逐渐增强.

铁镍氧化物膜电极的制备及其在碱性溶液中析氧的研究

宋红;耿新华;周作祥;王军红;张德坤

2005, 34(4):  661-665. 

摘要 ( 21 )   PDF (245KB) ( 18 )  

相关文章 | 计量指标

采用对靶直流磁控溅射制备的铁镍氧化物薄膜,其电特性、电化学特性和结构与反应溅射过程中氧氩比之间有很大的关系.实验结果表明氧气流量较高时,材料的导电性较好,但过电位较大;反之氧流量较低时,电阻率较大,过电位较小,表面较粗糙.

高压相立方氮化物的硬度预测

高发明

2005, 34(4):  666-670. 

摘要 ( 35 )   PDF (188KB) ( 20 )  

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硬度是一个复杂的物理量,用第一性原理难以描述,我们基于固体硬度等于单位面积上所有键对压头的抵抗力之和的观点,从化学键理论出发定义了物质的硬度.本文利用复杂晶体的化学键理论计算了立方氮化物高压相的化学键参数,结果表明这些氮化物具有高的共价成键特性.利用硬度的化学键理论预测了立方氮化物高压相的硬度,通过与实验值的比较说明了结果的合理性.

化学计量比LiNbO3晶体宏观生长缺陷的观察

陈辉;郑燕青;陈建军;路治平;王绍华;施尔畏

2005, 34(4):  671-675. 

摘要 ( 35 )   PDF (338KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

本文对采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长的化学计量比LiNbO3晶体中出现的机械双晶、组分过冷、包裹体等宏观生长缺陷进行了观察和分析.结果表明机械双晶通常以{102}和{104}面族为双晶面,而不是以前文献报道的{102}和{012}面族;化学计量比LiNbO3晶体双坩埚提拉法生长与同成份晶体生长不同,前者是助熔剂生长体系,生长速度稍快或温度较小的波动就会导致组分过冷,而后者属于纯熔体生长体系,不容易产生组分过冷;包裹体是由于组分过冷生长时界面失稳夹入熔体所造成的.由于这些缺陷的存在都会严重影响单晶的获得率和质量,为此,我们通过大量实验研究后提出了可以减少和避免这些生长缺陷提高晶体质量的方法.

透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展

张俊刚;夏长泰;吴锋;裴广庆;徐军

2005, 34(4):  676-681. 

摘要 ( 21 )   PDF (333KB) ( 34 )  

相关文章 | 计量指标

本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用.β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料.

铁催化薄膜的微观结构对碳纳米管阵列生长的影响

刘华平;程国安;赵勇;郑瑞廷;梁昌林

2005, 34(4):  682-686. 

摘要 ( 29 )   PDF (543KB) ( 16 )  

相关文章 | 计量指标

本文利用热化学气相沉积法(TCVD),系统地研究了NH3预处理对硅基底上沉积的催化剂铁膜的结构及所制备的碳纳米管形态的影响.研究结果表明,利用氨气对硅基底上的催化剂铁膜进行适当的预处理不仅可以将催化剂颗粒细化,还可以使催化剂在碳纳米管的制备过程中保持较高的催化活性,促进分解出的活性碳原子在催化剂中扩散和析出,增强碳纳米管的成核和生长,从而合成出纯度较高、定向性好的碳纳米管阵列.

提拉法晶体生长数值模拟研究进展

邵淑芳;张庆礼;苏静;孙敦陆;王召兵;张霞;殷绍唐

2005, 34(4):  687-692. 

摘要 ( 55 )   PDF (184KB) ( 46 )  

相关文章 | 计量指标

数值模拟方法是了解晶体生长过程中各种物理现象和问题的重要手段,可以为晶体生长工艺参数的设定、温场设计等提供参考.本文介绍了最近几十年来数值模拟技术对提拉法生长晶体过程中物理问题的研究进展,同时对晶体生长过程中界面形状、液流、速度场、温度场、各种输运过程以及工艺条件和参数对晶体生长的影响等的数值模拟进行了介绍.

稀土激光晶体研究进展

张霞;张庆礼;苏静;王召兵;孙敦陆;邵淑芳;江海河;殷绍唐

2005, 34(4):  693-699. 

摘要 ( 29 )   PDF (269KB) ( 41 )  

相关文章 | 计量指标

简述了近年来掺稀土激光晶体的研究进展,详细介绍了若干新型掺稀土激光晶体的结构、热力学性能、机械性能、光谱特性和激光性能.发现激光晶体正朝着改善晶体物理性能、提高输出光强、拓宽输出波长范围的方向发展,而且由于激光二极管性价比的提高,探索适用于LD泵浦的激光晶体将成为主流.本文为进一步研究和应用这些激光晶体提供了参考.

以S、Se为原料的CVD ZnS、CVD ZnSe的化学反应分析

王向阳;钱(纁);蔡以超;何莉;肖红涛

2005, 34(4):  700-703. 

摘要 ( 29 )   PDF (160KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

本文详细分析了用单质硫或单质硒为原料,在Zn-S-H2-Ar体系或Zn-Se-H2-Ar体系中化学气相沉积生长 ZnS和ZnSe晶体所发生的化学反应,认为在这两种化学气相沉积过程中所发生的化学反应是以锌蒸汽与硫或硒蒸汽反应来实现的.计算出了上述反应的△H、△S和△G这些热力学函数,并将该△G与采用H2S气体(Zn-H2S-Ar体系)和H2Se气体(Zn-H2Se-Ar体系)为原料的CVD ZnS和ZnSe做了对比.实验结果表明,以单质Se为原料生长的CVD ZnSe比以H2Se为原料的CVD ZnSe的努普硬度有显著的提高.

柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In, Ga)Se2薄膜的影响

夏冬林;赵修建;李建庄

2005, 34(4):  704-708. 

摘要 ( 22 )   PDF (313KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理.电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成.溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位.Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌.结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀.

YSGG系列晶体及激光器的研究进展

苏静;张庆礼;殷绍唐

2005, 34(4):  709-713. 

摘要 ( 30 )   PDF (221KB) ( 23 )  

相关文章 | 计量指标

YSGG系列晶体和激光器的研究在近几年又有了较大的发展,本文介绍了YSGG系列晶体的生长、性能、发光机理和YSGG系列激光器的优良性能和广阔的应用前景.

不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究

刘昌龙;尹立军;吕依颖;阮永丰;E.Ntsoenzok;D.Alquier

2005, 34(4):  714-719. 

摘要 ( 36 )   PDF (395KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论.

铌酸锂晶体的生长研究

张旭;薛冬峰;Kitamura Ken-ji

2005, 34(4):  720-724. 

摘要 ( 42 )   PDF (269KB) ( 40 )  

相关文章 | 计量指标

近年来,铌酸锂晶体由于其自身所具有的多种优异性能和巨大的应用前景而受到了人们的广泛关注,但生长出满足不同市场要求的高质量铌酸锂单晶体比较困难.本文从晶体生长技术的角度综述了铌酸锂单晶体不同的生长方法以及各自的特点,并分析了在生长铌酸锂晶体时出现的一些问题.

用 Czochralski 方法生长KMgF3 晶体的研究

张万松;徐孝镇;孙为;周广刚;冯金波

2005, 34(4):  725-728. 

摘要 ( 27 )   PDF (189KB) ( 26 )  

相关文章 | 计量指标

先把KF和MgF2 以1:1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物.然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等无色、透明的优质单晶体.并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节.

在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

王元樟;陈路;巫艳;吴俊;于梅芳;方维政;何力

2005, 34(4):  729-733. 

摘要 ( 29 )   PDF (163KB) ( 28 )  

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本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.

不同晶相草酸钙晶体的选区电子衍射和X射线衍射比较分析

郑辉;欧阳健明;段荔

2005, 34(4):  734-738. 

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在卵磷脂-水脂质体中制备了一水草酸钙(COM)、二水草酸钙(COD)和三水草酸钙(COT).并对它们分别进行了透射电镜(TEM)、选区电子衍射分析(SAED)和X射线衍射(XRD)分析.TEM结果表明,COM、COD和COT均为泡状,粒径约80～150nm.将SAED结果与XRD结果对比分析,发现将SAED图谱指标化后所得的衍射数据与XRD的特征峰值基本相符,但在相对强度上存在差别.本实验结果表明,将TEM、SAED和XRD技术联合分析纳米级草酸钙晶体,不但可以观察纳米级草酸钙的形貌,而且能对其晶相、单晶和多晶等进行深入的了解.

基于多分辨率小波变换的复合材料晶粒边缘的检测

赵秀阳;尹衍升;杨波

2005, 34(4):  739-743. 

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材料晶粒的边缘检测是材料三维重构的一个基础性问题,本文简要介绍了利用小波变换探测图像边缘的原理和材料SEM图像的特点,根据Mallat小波理论中图像边缘对应于小波变换模的局部极大值点的理论,采用二次B样条小波对复合材料SEM图像进行了多分辨率小波变换,从低分辨率到高分辨率逐步搜索边缘,并根据不同分辨率噪声的小波系数变化较大的特点,抑制了噪声.成功的检测出FeAl-ZrO2复合材料第二相晶粒的边缘.文章的最后给出了实验结果并且对实验结果进行了讨论.

真空退火处理对纳米氮化硅电子自旋共振谱的影响

洪军;何艳阳;钟韶;张海燕;薛新民;周纯;陈进;陈易明

2005, 34(4):  744-747. 

摘要 ( 27 )   PDF (162KB) ( 25 )  

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用微米级SiO2、Si和碳黑混合粉末为原料, 以氮气为反应气,采用碳热还原法合成了氮化硅纳米粉体.测量了300～1273K退火温度下纳米氮化硅的电子自旋共振(ESR)谱,研究了测量温度、纳米氮化硅退火温度对ESR谱线型、g因子、线宽的影响.结果证实退火影响纳米氮化硅的磁性.

有机溶剂热生长技术制备Zn(en)2S、ZnS纳米棒及其光学性能的研究

李国强;何晓云;钟惠妹;张燕琼;陈日耀;郑曦;陈震

2005, 34(4):  748-752. 

摘要 ( 25 )   PDF (329KB) ( 20 )  

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以有机溶剂热生长技术(organic solvothermal technique)制备Zn(en)2S(en为乙二胺)纳米棒,以IP、XRD 、TG等测试表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键结合.以TEM、ED初步研究了该纳米材料的形貌、结构;以制得的纳米Zn(en)2S为母体,在氮气氛中,煅烧在900℃,制得棒状纳米ZnS;溶胶提拉法,在导电玻璃(ITO)基本上制备出Zn S Zn(en)2S纳米微粒/ITO复合膜,并研究其光学特性.结果表明,二者均为纳米棒构型, Zn(en)2S属立方晶系,棒直径约为30nm;ZnS属六方纤锌矿型,棒直径较大,在60nm左右.PL分析表明Zn(en)2S的荧光红移至452nm处.

等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

陈永生;杨仕娥;卢景霄;郜小勇;张宇翔;王海燕;李瑞

2005, 34(4):  753-759. 

摘要 ( 19 )   PDF (242KB) ( 27 )  

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本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80;,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.

溶胶-凝胶法制备纳米ZnO薄膜及其光催化性能

李莹;王英连

2005, 34(4):  760-763. 

摘要 ( 19 )   PDF (117KB) ( 25 )  

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本文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底上制备出性能优良的ZnO薄膜,并通过XRD和UV-VIS吸收光谱对薄膜的结构及光吸收特性进行表征,进一步研究了退火温度和氧气流量对ZnO薄膜光催化性能的影响.结果表明,本实验中ZnO薄膜光催化降解苯酚的最佳条件是:退火温度在300℃,氧气流量为20ml/min,催化效果显著.