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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 1022-1025.

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黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展

李春彦;王锐;杨春晖;徐衍岭;朱崇强   

  1. 哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001
  • 出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(E50572008);黑龙江省哈尔滨市科技攻关项目(2005AA5CG058)

Progress in Chalcopyrite Semiconductor of Cadmium Germanium Arsenide

LI Chun-yan;WANG Rui;YANG Chun-hui;XU Yan-ling;ZHU Chong-qiang   

  • Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势.长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂.砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的.本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收.

关键词: 砷化锗镉;开裂;受体缺陷;生长

中图分类号: