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2006年 第35卷 第5期
刊出日期：2006-10-15

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Al-Fe3O4体系在机械力化学过程中的物理化学变化

尹文宗;范润华;伊新兵;骆光恒;孙康宁

2006, 35(5):  907-911. 

摘要 ( 6 )   PDF (161KB) ( 23 )  

相关文章 | 计量指标

将纳米磁性粒子嵌入到绝缘基体中形成的磁性复合粒子,在许多方面具有重要意义.本文利用Al-Fe3O4通过机械力化学方法原位生成Fe/Al2O3 磁性复合粒子.通过对球磨不同时间的Al-Fe3O4粉末进行X射线衍射(XRD)和示差扫描量热(DSC)分析,结果表明Al-Fe3O4混合粉末通过机械力化学方法可获得Fe/Al2O3复合粒子.同时较为详细地研究了上述体系在机械力化学过程中的物理化学变化,并提出了机械力化学过程中Al-Fe3O4体系固相反应的方式.

掺杂GSGG激光晶体热导率研究

王保松;江海河;贾先德;张庆礼;孙敦陆;殷绍唐

2006, 35(5):  912-916. 

摘要 ( 5 )   PDF (177KB) ( 32 )  

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为研究不同掺杂GSGG激光晶体的导热特性,用瞬态脉冲法测量了273～393K温度范围内自己生长的Cr:GSGG、Nd,Cr:GSGG和Nd:GSGG激光晶体热导率.建立了实验样品温度场模型,推导出晶体热导率随温度升高呈下降变化趋势的结论,这与实验测量结果基本相符,通过对测量结果曲线拟合给出了拟合方程.并从理论上解释了掺入较高浓度的杂质Cr3+离子会使得晶体的热导率值有所降低,以及双掺Nd3+、Cr3+离子和单掺Nd3+离子的GSGG晶体热导率值基本相同的原因.

LiB3O5晶体946nm,473nm倍频增透膜的研制

于爱芳;范飞镝;刘中星;朱镛;陈创天

2006, 35(5):  917-921. 

摘要 ( 8 )   PDF (204KB) ( 18 )  

相关文章 | 计量指标

采用离子辅助沉积技术在LiB3O5晶体上制备了946nm,473nm倍频增透膜,并测量了薄膜的性质.测试结果表明, 该增透膜具有较低的剩余反射、高的环境稳定性和良好的附着力.进一步测量了薄膜在波长1064nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步的探讨.此工艺下镀制的LiB3O5晶体用于瓦级全固态蓝光激光器,获得了3.8W波长为473nm的连续蓝光输出.

CdWO4闪烁晶体的生长及其光学性能的研究

罗丽明;陶德节;王英俭

2006, 35(5):  922-926. 

摘要 ( 6 )   PDF (216KB) ( 27 )  

相关文章 | 计量指标

本工作生长出了φ57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺.对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发.同时,测试了CdWO4晶体的一些光学性能,初步探讨了该晶体的发光特性,分析表明氧退火有利于提高晶体的透过率,这可能是由氧退火使氧空位减少所致.此外,该晶体的本征发光主要是由蓝、绿光所组成的.

P型微晶硅薄膜材料性能的研究

蔡宏琨;张德贤;冯凯;齐龙茵;王雅欣;孙云

2006, 35(5):  927-930. 

摘要 ( 4 )   PDF (204KB) ( 24 )  

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本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0;时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5;时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.

Ba1-xSrxTiO3薄膜的Sol-gel制备技术与微结构

李桂英;余萍;肖定全

2006, 35(5):  931-935. 

摘要 ( 7 )   PDF (311KB) ( 24 )  

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研究了利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐作原料,采用新的Sol-gel技术制备Ba1-xSrxTiO3(BST)铁电薄膜的技术.采用碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原料配制BST溶胶;通过TG/DTA分析确定了BST薄膜的制膜工艺;使用XRD、SEM、AFM技术分析了薄膜的微结构.研究结果表明,采用碳酸盐作为钡、锶的原料,用冰醋酸和乙二醇甲醚混合液作溶剂,可配制出澄清透明、能长时间放置的溶胶,用此溶胶制备出了膜厚均匀、表面光洁致密、没有裂纹的全钙钛矿相的BST薄膜;采用扫描探针显微镜的压电响应模式(PFM)观察到了BST薄膜中的具有纳米结构的a畴和c畴.

(Nb2O5)1-x(TiO2)x陶瓷的制备及其介电性能的研究

张秋林;王越;刘国庆;蒋毅坚

2006, 35(5):  936-938. 

摘要 ( 5 )   PDF (196KB) ( 48 )  

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我们采用传统固态反应方法烧结制备(Nb2O5)1-x(TiO2)x陶瓷,给出了掺杂量x从0.01到0.13陶瓷的介电性能.在本工艺条件下,所有样品的介电系数均大于120.当样品中TiO2的掺杂量为5mol;时,陶瓷的介电性能最佳:介电系数和损耗分别为217和0.078.XRD测试实验给出,当x≤0.05时,陶瓷的主要相结构为Nb2O5;当x≥0.07时,主相为TiNb24O62.

CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究

钟雨航;朱世富;赵北君;任锐;何知宇;叶林森;温才

2006, 35(5):  939-942. 

摘要 ( 3 )   PDF (178KB) ( 26 )  

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采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.

辅助水热法制备不同形貌的柱状ZnO微晶

裴广庆;夏长泰;张俊刚;吴锋;徐军

2006, 35(5):  943-948. 

摘要 ( 6 )   PDF (337KB) ( 36 )  

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本文采用乙醇辅助水热法制备得到了柱状ZnO微晶.得到的微晶形貌多样,有单脚、三脚、四脚、五脚、六脚以及多脚状,并以"骨架+支架"模型进行解释.X射线衍射分析结果表明产物为纯的六方相纤锌矿结构,扫描电子显微镜(SEM)观察表明产物具有单晶属性.本文还研究了ZnO的室温光谱性能.

6H-SiC晶片的退火处理

姜守振;李娟;陈秀芳;王英民;宁丽娜;于光伟;胡小波;徐现刚;王继杨;蒋民华

2006, 35(5):  949-952. 

摘要 ( 16 )   PDF (358KB) ( 35 )  

相关文章 | 计量指标

本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.

用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜

杨大鹏;赵永年;李英爱;苏作鹏;杜勇慧;吉晓瑞;杨旭昕;宫希亮;张铁臣

2006, 35(5):  953-957. 

摘要 ( 2 )   PDF (359KB) ( 29 )  

相关文章 | 计量指标

本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.

利用静电聚苯乙烯纳米微粒对LiNbO3铁电畴结构的观测

柯常;祁鸣;刘宏;王继扬

2006, 35(5):  958-962. 

摘要 ( 7 )   PDF (271KB) ( 17 )  

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利用静电聚苯乙烯纳米微粒缀饰技术,在铁电晶体铌酸锂(LiNbO3)的极性表面观察到铁电畴表面束缚电荷吸附带异性电荷纳米小球所形成的衬度图像,正负电畴衬度图像清晰稳定.这种对铁电晶体表面电畴结构进行表征的新方法不会对样品造成任何程度的损伤和破坏,操作简便易行,并具有较高的分辨率.

光学材料结晶化研究

2006, 35(5):  963-975. 

摘要 ( 6 )   PDF (515KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

本文通过分析光学材料中光谱与温度之间的关系证实了晶体生长过程中的相变团簇模型,认为晶体内部热辐射流是引起固-液界边界层温度场发生传导的可能原因.引入了前结晶的概念,并结合实际中的不同晶体生长方法讨论了包裹体及气泡的抑止机理,通过计算得到了生长理想晶体的最大生长速率并且解释了由于界面层的摆动使得晶体生长过程中产生的微气泡没有被移动的界面层所捕获.

冷心放肩微量提拉法大尺寸蓝宝石单晶生长过程的模拟分析

许承海;左洪波;孟松鹤;姚泰;汪桂根;李长青;张明福

2006, 35(5):  976-983. 

摘要 ( 9 )   PDF (547KB) ( 33 )  

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利用数值模拟方法计算了冷心放肩微量提拉法(SAPMAC)蓝宝石晶体生长过程.结合晶体直径变化、裂纹出现位置与延续方向、晶体透明性等实验现象,通过与提拉法、温梯法、坩埚移动法等相对比,分析了冷心放肩微量提拉法晶体生长各阶段的工艺特点,并根据模拟计算结果对晶体生长系统和晶体生长控制工艺进行了改进.分别利用增大热交换器的散热参数、降低加热温度、改进降温曲线、调节外加轴向和径向温度梯度的方式来实现对晶体生长的引晶、放肩、等径和收尾控制.通过实验比较证明了改进后的晶体生长系统和晶体生长控制工艺能够生长出性能较好的大尺寸蓝宝石晶体.

光折变晶体Bi2TeO5的生长及光学性能研究

罗丽庆;徐家跃;武安华;向卫东;葛增伟

2006, 35(5):  984-987. 

摘要 ( 13 )   PDF (192KB) ( 31 )  

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采用坩埚下降法生长了新型光折变晶体Bi2TeO5,通过优化生长工艺,获得了直径25mm、长度50mm的Bi2TeO5晶体.研究了晶体开裂和变色等缺陷,测试了晶体的光学性能.测得Bi2TeO5晶体的三阶非线性光学响应时间为8.5ps,三阶非线性光学系数为7.4×10-10.

提拉法生长镓酸锂晶体及缺陷研究

刘世良;周圣明;王银珍;徐军

2006, 35(5):  988-991. 

摘要 ( 9 )   PDF (245KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

研究了提拉法生长的镓酸锂单晶的生长习性和结晶质量.晶体表面呈乳白色且表面粗糙.通过光学显微镜、四晶X射线衍射、透射光谱和电感耦合等离子体发射光谱对样品进行了表征,结果表明,在(001)面的抛光样品上存在三种缺陷: [110]和[-110]方向的十字线、[010]方向排列的气泡包裹物以及平行于(010)面的界面,界面的产生起因于(010)晶面的滑移;晶体的结晶质量从顶部到底部逐渐下降,这是由于在生长过程中氧化锂的挥发导致熔体成分偏离化学计量比造成的.

人造金刚石单晶生长机理的金属包膜研究进展

李丽;许斌;李木森;李洪岩;宫建红

2006, 35(5):  992-997. 

摘要 ( 15 )   PDF (166KB) ( 33 )  

相关文章 | 计量指标

在高温高压条件下,利用触媒合金合成金刚石单晶过程中,包覆着金刚石单晶的金属薄膜起着极其重要的作用,揭示其本质对解释金刚石合成机理有着重要的意义.本文从金属包膜的形貌、成份、组织结构以及余氏理论和程氏理论在金属包膜研究中的应用等方面阐述了人造金刚石生长机理的研究现状.在此基础上提出了今后的研究方向.

纳米三苯环分子带不对称电子传导特性

王利光;郁鼎文;李勇;Terence K S W

2006, 35(5):  998-1002. 

摘要 ( 4 )   PDF (163KB) ( 18 )  

相关文章 | 计量指标

利用基于Green Function的Tight-binding方法,对由三个苯分子环耦合成的输入与输出电极不对称纳米分子带进行了理论研究.通过数值计算,得出了入射电子通过分子带传输到不对称端点的电子传输谱.利用Fisher-Lee 关系式和量子流密度理论,在传输峰值的六个能量点E=±0.45eV、E=±1.06eV和E=±1.46eV处,分别计算了分子带内的电子流分布,并且给出了分子带内电子流分布的模拟结果.对电子通过分子带的传输特性和键电子流生成的物理原因给出了合理的解释.

[Li]/[Nb]比对Ce:LiNbO3晶体结构及光折变性能的影响

王淼;王锐;杨春晖;徐衍岭;刘欣荣;吕祖舜

2006, 35(5):  1003-1006. 

摘要 ( 5 )   PDF (153KB) ( 29 )  

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在铌酸锂(LiNbO3,LN)中掺入摩尔分数为0.1;的CeO2,以提拉法从不同[Li]/[Nb]摩尔比([Li]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)的熔体中生长出了Ce:LN晶体.测试了晶体的晶格常数、红外光谱和居里温度.结果表明:随着[Li]/[Nb]比的增加,晶体仍为三方的LN晶体,且晶格常数和晶胞体积没有发生大的变化,v(OH-)振动峰的位置依次向长波方向移动,居里温度依次增加,结构缺陷减少.由于Ce和[Li]/[Nb]比的协同作用,[Li]/[Nb]比为1.100的Ce:LN晶体已接近化学计量比,[Li]/[Nb]比为0.850的Ce:LN晶体的居里温度近似等于纯LN晶体.利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算了晶体的光折变灵敏度及动态范围.测试了晶体的抗光致散射能力,结果表明:[Li]/[Nb]比越高的Ce:LN晶体的光折变性能越好.并分析了不同[Li]/[Nb]比Ce:LN晶体光折变性能增强的机理.

CdS纳米晶的制备及其荧光研究

许荣辉;汪勇先;徐万帮;尹端沚

2006, 35(5):  1007-1011. 

摘要 ( 25 )   PDF (417KB) ( 27 )  

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以醋酸镉、L-半胱氨酸为主要原料,采用水热法制备了尺寸小于10nm、具有强光致荧光的纤锌矿结构CdS半导体纳米晶.水热法可以将晶核形成与晶体生长阶段较好地分开,加之提供的高温熟化条件,可以得到粒度小而均匀、结构良好的纳米晶.用高分辨透射电镜(HRTEM)、XRD对产品的晶体大小、结构进行了详细地表征,分析了影响纳米晶尺寸的因素,用相关性较好的荧光激发与发射光谱研究了硫化镉纳米晶的光致荧光性能.制备的硫化镉(CdS)纳米晶结构良好、粒度均匀、荧光激发专一,最大激发波长在338nm,其发射荧光的波长位于419nm,发射强度大.

不同Li/Nb比Mg:In:Fe:LiNbO3晶体的光折变性能研究

王佳;王锐;刘维海;刘新荣

2006, 35(5):  1012-1015. 

摘要 ( 5 )   PDF (159KB) ( 27 )  

相关文章 | 计量指标

采用提拉法生长了不同Li/Nb比(Li/Nb=0.85,0.94,1.05,1.20,1.38)的Mg:In:Fe:LiNbO3(LN)单晶.测试了Mg:In:Fe:LN晶体的红外透射光谱,紫外吸收光谱,抗光致散射能力,响应时间和指数增益系数.实验结果显示:Li/Nb=0.85晶体的OH-吸收峰在3481cm-1附近, Li/Nb=0.94、1.05、1.20的晶体的OH-吸收峰在3505cm-1附近,而Li/Nb=1.38晶体的OH-吸收峰有三个,分别在3466cm-1、3481cm-1和3518cm-1附近.随着Li/Nb比的增大,晶体的紫外吸收边发生紫移,抗光致散射能力增强,响应速度加快,指数增益系数增大.结果表明:Li/Nb=1.38的晶体是性能最为优良的光折变晶体材料.

水热法制备ZnO晶体及纳米材料研究进展

付三玲;蔡淑珍;张晓军;王伟伟;韦志仁

2006, 35(5):  1016-1021. 

摘要 ( 11 )   PDF (207KB) ( 31 )  

相关文章 | 计量指标

纳米ZnO材料是新型宽禁带半导体材料,具有优良的光学及电学性能,在太阳能电池电极及窗口材料、声表面波材料、光电材料、敏感材料等方面得到广泛应用.纳米ZnO材料性能与制备技术有很大关系,本文综合评述了水热法制备纳米ZnO材料研究现状,研究了其制备特点及制备机理,从纳米ZnO晶体、阵列或薄膜、粉体三个方面制备实例研究了水热制备方法,最后探讨了纳米ZnO材料发展前景.

黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展

李春彦;王锐;杨春晖;徐衍岭;朱崇强

2006, 35(5):  1022-1025. 

摘要 ( 9 )   PDF (166KB) ( 37 )  

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砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势.长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂.砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的.本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收.

纳米二氧化钛的光催化机理及其在有机废水处理中的应用

张万忠;乔学亮;邱小林;陈建国;罗浪里

2006, 35(5):  1026-1031. 

摘要 ( 4 )   PDF (212KB) ( 19 )  

相关文章 | 计量指标

本文分析了二氧化钛光催化降解环境污染物的典型催化机理,论述了通过表面改性特别是非金属掺杂后,二氧化钛对自然光响应范围显著提高的一些理论观点.对近年来二氧化钛在主要污染源工业有机废水净化处理中的应用成果进行了评述,对二氧化钛光催化材料的发展趋势进行了展望.

退火温度对ZnO:Eu3+纳米晶发光性质的影响

宋国利;梁红

2006, 35(5):  1032-1035. 

摘要 ( 7 )   PDF (187KB) ( 30 )  

相关文章 | 计量指标

利用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了ZnO:Eu3+纳米晶,观察到纳米ZnO基质中稀土Eu3+在575nm、 595nm、611nm和653nm附近的特征发射.分析了样品X射线衍射强度、光致发光的峰值强度与退火温度关系.给出了稀土Eu3+激发态5D0→7F1、5D0→7F3、5D0→7F0和5D0→7F2的发射机制,证实了稀土Eu3+的特征发射激发能主要来源于稀土离子内部4f电子跃迁.

烧结温度对SBTi铁电陶瓷电性能的影响

范素华;张丰庆;胡广达;岳雪涛;徐静;张伟

2006, 35(5):  1036-1040. 

摘要 ( 3 )   PDF (281KB) ( 18 )  

相关文章 | 计量指标

用溶胶-凝胶法制备了钛酸锶铋层状钙钛矿结构(SBTi)铁电陶瓷,研究了不同烧结温度对其显微结构和电性能的影响,分析了相关机理,发现1100℃烧结样品的晶粒发育比较完全,居里温度为520℃;压电常数d33和剩余极化强度2Pr较大,分别为9×10-12C/N和2.1μC/cm2,矫顽场强2Ec为49.4kV/cm.

纳米GaP粉体在水溶液中的分散性能及其PVP复合薄膜的制备

张兆春;岳龙义;郭景康

2006, 35(5):  1041-1046. 

摘要 ( 4 )   PDF (235KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

采用三种不同类型的分散剂对纳米磷化镓(GaP)粉体进行分散,并用测量滤液吸光度的方法来比较分散效果;测定了纳米GaP粉体的等电点,以及采用十二烷基苯磺酸钠分散时的Zeta电位,并初步制备了纳米GaP /聚乙烯吡咯烷酮(PVP)复合薄膜.结果表明,分散剂的选择、分散剂的浓度、pH值都对分散效果有着重要的影响;制备的纳米GaP / PVP复合薄膜具有良好的可见光透光性和一定的紫外线吸收性能.

硬脂酸凝胶法制备纯相BaTiO3纳米粉体

刘亮;王立秋;薛冬峰;刘美男;刘长厚

2006, 35(5):  1047-1051. 

摘要 ( 6 )   PDF (198KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

本文以硬脂酸、硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料,采用硬脂酸凝胶法合成了纯相BaTiO3纳米粉体.为了有效控制BaTiO3在制备过程中易产生杂相的问题,我们设计了程序升温煅烧法,即通过控制不同阶段的升温速率,在550℃下成功合成了BaTiO3纳米粉体.通过X射线衍射和透射电子显微镜的观察,分析了BaTiO3粒子的晶相结构、结晶度、粒径及纳米晶体的形貌.结果表明,采用程序升温煅烧法制备的BaTiO3纳米粉体纯度高、分散性好、粒径小(25～40nm).本文为在温和条件下制备纯相BaTiO3纳米粉体提供了一条新途径.

含有机模板钒磷酸盐热稳定性比较研究

王永在;廖立兵

2006, 35(5):  1052-1056. 

摘要 ( 7 )   PDF (291KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

对水热合成的V-P-O-en体系中七种常见不同结构钒磷酸盐的热稳定性进行了TG-DTA、FT-IR和XRD的比较研究.化合物中有机分子的受热脱除是阶段性的,吸放热效应与化合物中有机分子的含量有关.影响热稳定性的因素有:无机骨架类型、骨架强度以及骨架与有机模板分子作用强度.无机骨架自身强度较低是导致这类化合物热稳定性低的根本原因.

YAP:Ce闪烁晶体的光致激发荧光衰减常数测量

张建华;彭太平;胡孟春;王振通;赵广军

2006, 35(5):  1057-1060. 

摘要 ( 8 )   PDF (144KB) ( 28 )  

相关文章 | 计量指标

用波长为266nm的激光激发不同尺寸、不同掺Ce3+浓度的YAP:Ce闪烁晶体,测量其光致激光荧光衰减常数,测量结果表明:YAP:Ce闪烁晶体的光致荧光衰减常数约为18.2ns,且与实验晶体厚度及Ce3+掺杂浓度(0.1;～0.6;原子分数)无关.

配合物[Zn(CH3COO)2(C7H6N2S)2]的合成、晶体结构及表征

马卫兴;钱保华;程青芳;王建;许兴友;陆路德;杨绪杰;汪信;宋海斌

2006, 35(5):  1061-1065. 

摘要 ( 9 )   PDF (214KB) ( 26 )  

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用乙酸锌和2-氨基苯并噻唑为原料在甲醇介质中反应制得了配合物[Zn(CH3COO)2(C7H6N2S)2],用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和热重分析对其进行了表征,用X射线单晶衍射仪测定了其晶体结构,其晶体属于正交晶系,空间群为Pna2(1),晶胞参数分别为a=0.8547(3)nm,b=2.7586(8)nm,c=0.9066(3)nm,α=β=γ=90°,V=2.1376(11)nm3;Dc=1.503g/cm3;Z=4;F(000)=992;μ=1.375mm-1.

Li离子浓度对铌酸钾锂晶体[NbO6]7-八面体畸变的影响

万尤宝;刘青松;吴宇容;朱海滨;童佳;杨辉

2006, 35(5):  1066-1070. 

摘要 ( 5 )   PDF (159KB) ( 19 )  

相关文章 | 计量指标

用顶部籽晶法生长了一批不同组成的铌酸钾锂晶,用同步辐射X射线分析了晶体结晶特性,用Philips PW2400 X射线荧光光谱法测量了晶体的组成.对三种组成的晶体样品测量了红外拉曼光谱,分析了晶体中组分离子浓度对晶体红外拉曼光谱特征的影响,结果表明,晶体中位于C格位的Li离子浓度对晶体拉曼光谱产生了强烈的影响,影响的本质在于晶体中Li含量的提高导致晶体中[NbO6]7-八面体畸变程度加大,对八面体晶格振动产生了强烈的影响.

蓝宝石衬底上GaN薄膜的结构和光学特性表征

郜小勇;赵剑涛;刘绪伟

2006, 35(5):  1071-1074. 

摘要 ( 12 )   PDF (136KB) ( 34 )  

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采用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)法,成功地在(0001)晶向的蓝宝石(Al2O3)衬底上制备了高质量的GaN薄膜.并利用X射线衍射(XRD)谱和椭圆偏振光谱(SE)对其结构和光学特性作了表征.XRD谱中,在34.5°和72.9°附近出现了两个尖锐的衍射峰,分析表明这两个衍射峰分别对应纤锌矿(Wurtzite) 结构GaN薄膜的(0002)和(0004)晶向.其中GaN (0002)晶向衍射峰的半高宽(FWHM)很窄,只有0.1°左右,并且GaN(0004)晶向衍射峰强度很强,二者均证实了采用LPMOCVD法制备的GaN薄膜具有高的质量.在介电函数和反射谱中,GaN高的透明性(＜3.44eV)诱导了强的干涉振荡.室温下拟合出的表征带间跃迁的光学带隙约为3.44eV.

多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究

王海燕;卢景霄;吴芳;王子健;张宇翔;靳瑞敏;张丽伟

2006, 35(5):  1075-1079. 

摘要 ( 6 )   PDF (260KB) ( 22 )  

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本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为.分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果.

掺杂晶体SrLaAlO4:Cr3+局域结构的研究

曾体贤;谌家军;冯文林

2006, 35(5):  1080-1084. 

摘要 ( 5 )   PDF (181KB) ( 24 )  

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采用半自洽场 (semi-SCF) d轨道波函数模型和点电荷模型,利用高阶微扰公式,在晶体掺杂过渡金属离子后其结构对称性不会被破坏的条件下,由d-d跃迁光谱和EPR谱,确定SrLaAlO4: Cr3+晶体的局域结构.计算发现,掺入Cr3+后,晶体的键长为:R′⊥=0.1922nm, R′∥=0.2197nm.所得计算结果与实验值吻合得很好.

新型掺杂LiAlO2晶体衬底研究

孙洋;董亚明;陈勇华;陈兆南;谭玲;邹军;周圣明

2006, 35(5):  1085-1089. 

摘要 ( 6 )   PDF (414KB) ( 25 )  

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本文系统研究了LiAlO2晶体及掺钛0.2;原子分数LiAlO2晶体的水解性能,用原子力显微镜对(100)晶片在不同水解时间下的表面形貌进行了观察,对比发现这两种晶体的(100)面均具有极性和易水解性.同时观察到掺钛LiAlO2晶体的抗水解性比纯LiAlO2晶体更好,因为掺钛LiAlO2晶体有更多的Li空位,水解的活性得到降低.

基于脉冲电铸技术Ni-ZrO2纳米梯度功能材料的制备工艺

张文峰;朱荻

2006, 35(5):  1090-1094. 

摘要 ( 3 )   PDF (242KB) ( 24 )  

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研究了在脉冲复合电铸过程中,当其它工艺参数一定时,镀液中纳米ZrO2颗粒含量、脉间、脉宽和阴极电流密度对复合电铸层中ZrO2复合量和沉积速率以及脉冲参数对复合电铸层表面形貌的影响,并对所制备复合电铸层的横截面进行了SEM观察和组成成分测定.结果表明,通过控制脉冲复合电铸过程中的工艺参数可以制备出由纳米颗粒复合量变化而导致其组织成分呈梯度分布的纳米功能梯度材料.

废旧碱性电池水热法制备纳米晶锰锌铁氧体的研究

席国喜;姚路;路迈西

2006, 35(5):  1095-1098. 

摘要 ( 3 )   PDF (293KB) ( 16 )  

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以废旧碱性电池为原料采用水热法制备出了纳米晶锰锌铁氧体,并对制备过程的影响因素进行了探讨,借助于XRD、TEM等手段对制备过程跟踪检测,并对产物进行了表征.结果表明,适宜的制备条件为:溶液pH值为10.0,水热温度为180℃,水热时间为4h,采用逆加料方式和加入冰乙酸作为添加剂均可制得粒径更小、分散性更为优良的纳米晶,产物粒径可达17nm左右.

柠檬酸钾对尿石患者和正常人尿液凝胶中草酸钙晶体生长的影响

王青豪;郑辉;欧阳健明

2006, 35(5):  1099-1103. 

摘要 ( 15 )   PDF (267KB) ( 19 )  

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采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)方法,比较研究了防石药物柠檬酸钾(K3cit)在尿石患者尿液和正常人尿液制备的凝胶中对草酸钙(CaOxa)晶体生长的影响.没有加入K3cit时,CaOxa晶体均以一水草酸钙(COM)为主要晶相,加入K3cit后,不但COM晶体变得圆钝,比表面积减小,而且诱导了二水草酸钙(COD)生成.随着K3cit浓度从0.10增加到0.20 mol/L,在正常人尿液凝胶中COD晶体的百分含量从20;增加到45;,而在CaOxa结石患者尿液凝胶中,不但COD含量从10;增加到25;,而且K3cit可诱导草酸钙成核,从而产生大量的小尺寸草酸钙晶体,这有利于阻止草酸钙晶体变大形成尿石.本结果可为临床上治疗CaOxa结石提供启示.

新型配位聚合物[Ni(C6H4NO2)2(H2O)4]n的水热合成和晶体结构

周秋香;白晓杰;陈乐培

2006, 35(5):  1104-1107. 

摘要 ( 4 )   PDF (142KB) ( 25 )  

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以NiCl2·6H2O和4-氰基吡啶为原料,在中温水热反应条件下,合成了一种新型配位聚合物[Ni(C6H4NO2)2(H2O)4]n单晶体,并对其进行了元素分析、红外光谱表征和X射线单晶衍射测定.该配位聚合物属三斜晶系,P-1空间群,a=0.6298(4)nm,b=0.6907(4)nm,c=0.9243(5)nm,α=96.437(8)°,β=105.184(9)°,γ=113.314(9)°,V=0.3456(3)nm3,Z=2,dc=1.802 g/cm3,μ=1.452mm-1,F(000)=194,R1=0.0309,R2=0.0753.该晶体通过配位键的连接和分子间氢键相互作用形成三维的网状结构.

Cu3N薄膜的制备及其霍尔效应研究

王明旭;岳光辉;范晓彦;闫德;闫鹏勋;杨强

2006, 35(5):  1108-1112. 

摘要 ( 4 )   PDF (210KB) ( 25 )  

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采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜择优[100]晶向生长.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密.用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加.霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加.随温度的降低薄膜的载流子浓度降低.我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35eV.

直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜

王质武;刘文;杨清斗;卫静婷

2006, 35(5):  1113-1117. 

摘要 ( 5 )   PDF (289KB) ( 26 )  

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采用直流磁控溅射法,Al靶直径75mm,靶基距9cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在Si(100)衬底上制备AlN薄膜.结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性.结果表明,所制备的多晶AlN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°.XPS剥蚀260min后O的原子浓度降为6.24;,Al和N化学剂量比非常接近1:1.AlN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右.表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm.

不同衬底温度下ZnO外延薄膜的结构及光学特性分析

张子生;尹志会;许贺菊;贾亮;于威;傅广生

2006, 35(5):  1118-1122. 

摘要 ( 8 )   PDF (142KB) ( 23 )  

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采用螺旋波等离子体辅助射频溅射沉积技术在Al2O3(0001)衬底上沉积ZnO外延薄膜,通过对其结构及光学性质的分析,探讨了衬底温度对薄膜生长特性的影响.实验结果表明,由于等离子体对反应气体的活化及载能粒子对表面反应的辅助作用,采用该等离子体辅助溅射技术能够在较低的衬底温度下实现较高质量的ZnO薄膜外延生长,然而,较高的衬底温度所引起的表面反应不利于薄膜中的氧空位及锌填隙等缺陷的减少,这将限制薄膜的外延质量及光学特性的进一步提高.

无机添加物对β PbO2-SPE复合膜电极结晶形貌及电催化活性的影响

万亚珍;刘金盾;张文辉;张翔

2006, 35(5):  1123-1128. 

摘要 ( 8 )   PDF (358KB) ( 17 )  

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化学镀制β PbO2-SPE复合膜电极的过程中加入无机添加物Fe2+和Co2+可以改善膜电极的电催化性能.SEM和XRD测试表明,加入Fe2+和Co2+可使镀层结晶更细小、沉积更均匀、致密.阳极极化曲线测试证明,β PbO2/Co-SPE电极电化学反应的速度最快,另两种电极的反应速度相近.苯酚溶液中循环伏安测试证明,镀层析氧电位从高向低的排序是β PbO2/Co＞ PbO2 /Fe＞ β PbO2,β PbO2/Co-SPE电极最适合用于降解有机污染物.电化学降解苯酚过程证明,β PbO2/Co-SPE电极的电催化活性远高于其它两种电极.

纳米晶ZrO2:Tm3+制备与发光性质研究

刘金霞;吕树臣

2006, 35(5):  1129-1132. 

摘要 ( 5 )   PDF (177KB) ( 18 )  

相关文章 | 计量指标

本文用共沉淀法制备了纳米晶ZrO2:Tm3+荧光粉,并对它的晶体结构、颗粒大小和光致发光性质进行了表征.XRD测试结果表明:以此工艺制备的纳米晶ZrO2:Tm3+含有单斜相和四方相两种微观结构,四方相的含量与热处理的温度有关,Tm3+离子的掺入有稳定ZrO2四方晶相的作用.测量了各样品的荧光激发和发射光谱,当以264nm(3H6→3P2)和359nm(3H6→1D2)光激发分别得到Tm3+的355nm(1I6→3H4或3P0→3H4)和459nm(3P0、1I6→3F4或1D2→3H4)的较强荧光发射.通过对荧光强度与激活离子Tm3+浓度的关系研究发现:荧光强度先随浓度提高而增强,在浓度达1;摩尔数时达到最大,然后又随之降低.

花生状碳酸钡粒子的制备与表征

王海滨

2006, 35(5):  1133-1136. 

摘要 ( 7 )   PDF (294KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

本文以BaCl2·2H2O和Na2CO3为原料,采用共沉淀法合成了碳酸钡粒子.通过添加合适的晶形控制剂,选择合适的用量,合成了花生状的碳酸钡粒子,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)进行了表征,结果表明:当控制剂WHB-1用量在85;以上时,生成的花生状碳酸钡粒子为正交晶系,粒度分布均匀,在500nm左右,且粒子分散性良好,几乎没有团聚现象.并对花生状碳酸钡粒子的形成机理进行了初步的探讨.

非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

陈永生;卢景霄;张宇翔;王生钊;杨仕娥;郜小勇;李秀瑞

2006, 35(5):  1137-1140. 

摘要 ( 18 )   PDF (253KB) ( 18 )  

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采用RTA方法对PECVD沉积的a-Si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法.通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理.研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用.

双靶磁控溅射聚焦共沉积AlN薄膜生长速率研究

门海泉;周灵平;刘新胜;李德意;李绍禄;肖汉宁

2006, 35(5):  1141-1145. 

摘要 ( 7 )   PDF (293KB) ( 19 )  

相关文章 | 计量指标

采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作气压的升高,(100)晶面的择优生长减缓了薄膜生长速率的降低,随着N2浓度的升高,(002)晶面的择优生长加剧了薄膜生长速率的降低,而相对较低的溅射沉积速率有利于(002)晶面择优取向生长.

Cu(In,Ga)Se2薄膜电沉积制备及性能研究

夏冬林;徐慢;李建庄;赵修建

2006, 35(5):  1146-1150. 

摘要 ( 4 )   PDF (265KB) ( 24 )  

相关文章 | 计量指标

采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜.研究了不同热处理温度对CIGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能.实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数.

基于PECVD制备多晶硅薄膜研究

赵晓锋;温殿忠

2006, 35(5):  1151-1154. 

摘要 ( 8 )   PDF (227KB) ( 26 )  

相关文章 | 计量指标

基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜.采用X射线衍射仪(XRD) 和场发射扫描电子显微镜(SEM) 对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向.对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强.结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大.

2.45MHz单边带石英晶体滤波器研制

靳宝安;李新贝;王林力

2006, 35(5):  1155-1158. 

摘要 ( 7 )   PDF (158KB) ( 22 )  

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采用一臂多晶体的差接桥型电路,通过合理的晶体设计及展宽线圈方法,解决了中等带宽单边带滤波器通带调平的问题,研制出了具有12KHz带宽且载频边衰减陡峭的2.45MHz分立式上边带晶体滤波器.该产品在-40℃～+85℃环境温度范围工作时,带内波动≤2dB,载频抑制接近80dB,矩形系数≤1.2,插入损耗≤2dB.

对柱状多晶硅薄膜的制备研究

张丽伟;赵新蕖;卢景霄;郜小勇;陈永生;靳瑞敏

2006, 35(5):  1159-1162. 

摘要 ( 8 )   PDF (199KB) ( 26 )  

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在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大.本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的.再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关.