MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1247-1250.

MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器

夏伟;王翎;李树强;张新;马德营;任忠祥;徐现刚

山东大学信息科学与工程学院,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20

MOCVD Epitaxy Growth of Low Threshold GaInP/AlGaInP 650nm Laser Diodes

XIA Wei;WANG Ling;LI Shu-qiang;ZHANG Xin;MA De-ying;REN Zhong-xiang;XU Xian-gang

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器.该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm AlGaInP红光激光器的最低阈值电流. 在25mA 工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW.

中图分类号:

TQ174

夏伟;王翎;李树强;张新;马德营;任忠祥;徐现刚. MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1247-1250.

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