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当期目录

    2006年 第35卷 第6期
    刊出日期:2006-12-15
  • 弛豫铁电单晶(PMNT)中负离子配位多面体结晶方位与工程化畴
    仲维卓;赫崇君;张学华;罗豪甦;华素坤
    2006, 35(6):  1163-1166. 
    摘要 ( 10 )   PDF (474KB) ( 27 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文从晶体中负离子配位多面体结构基元结晶方位及其形变的论点讨论了PMNT晶体工程化畴的形成机理,认为晶体工程化畴的形成是在电场作用下,当A位离子沿着晶体a、b、c轴孔道发生位移导致B八面体中的B离子位移和B八面体形变,两者相互制约所致,三方和四方晶系的晶体中畴的形成都是沿着B八面体的对角线方向分布.
    LiInS2多晶原料的合成与性能
    王善朋;陶绪堂;董春明;刘杰;蒋民华
    2006, 35(6):  1167-1171. 
    摘要 ( 24 )   PDF (234KB) ( 34 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文研究了高纯LiInS2多晶原料的合成及性能.LiInS2晶体是一种极具吸引力的晶体,可以应用于红外区域的非线性光学频率变换.一般来说,含锂硫族化合物制备非常困难,因为锂极易被氧化,且腐蚀石英管.而且,硫族元素高的蒸气压会导致石英安瓿爆炸.本文采用两种方法合成了LiInS2多晶原料,对所获LiInS2多晶原料进行了X射线粉末衍射和差示扫描量热分析.
    Nd:YVO4/YVO4晶体的热键合及其激光性质的研究
    杨宏志;卓壮;赵圣之;李桂秋;李晓敏
    2006, 35(6):  1172-1175. 
    摘要 ( 17 )   PDF (641KB) ( 41 )  
    相关文章 | 计量指标
    为改善高功率激光器激光工作物质的热效应,本文采用热键合的方法研制了Nd:YVO4/YVO4复合晶体,键合晶体的波前干涉P-V值为0.082λ(λ=0.6328μm),键合面对波前的影响很小.它在LD端面连续泵浦条件下,从泵浦光到基频光的转换效率可达60;, 特别当泵浦功率比较大时,键合晶体的输出功率比单块晶体有较大的提高.
    SiO2气凝胶小球热处理过程中的相变研究
    徐子颉;吕泽霖;甘礼华;郝志显;陈龙武
    2006, 35(6):  1176-1179. 
    摘要 ( 9 )   PDF (572KB) ( 25 )  
    相关文章 | 计量指标
    以无机硅溶胶为先驱物,通过溶胶-凝胶过程和常压干燥工艺制备出SiO2气凝胶.将SiO2气凝胶在不同温度条件下进行热处理,采用DSC、XRD、TEM、BET和IR等手段表征了SiO2气凝胶由无定形态向多晶态转化过程中,其多孔结构特征的变化.研究结果表明,在600℃以下进行热处理,样品表现出良好的热稳定性;当热处理温度在600~1060℃,随着温度的升高,多孔结构特征因无定形SiO2微粒团聚而逐渐消失;当热处理温度高于1060℃,无定形SiO2发生相变形成多晶态,导致SiO2气凝胶多孔结构特征完全消失.
    籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体
    徐亚东;介万奇;王涛;刘伟华
    2006, 35(6):  1180-1184. 
    摘要 ( 26 )   PDF (707KB) ( 60 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm3的CdZeTe(CZT)晶锭.根据CZT 晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1.30;分析了晶片在中红外波段内的红外透过率,发现波数在2000~4000cm-1内透过率平直且较高,超过60;,而从2000cm-1到500cm-1随波数的减小透过率急速下降至零;由钝化后的Au/CZT晶片的I-V曲线,计算得到生长态CZT晶片的电阻率ρ达到1.8×109~2.6×1010Ω·cm.
    ZnWO4单晶衬底上ZnO薄膜的晶核发育与形貌分析
    臧竞存;田战魁;刘燕行;邹玉林;王二平
    2006, 35(6):  1185-1189. 
    摘要 ( 11 )   PDF (947KB) ( 39 )  
    相关文章 | 计量指标
    ZnWO4单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好,是制备氧化锌薄膜的优良衬底.本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4单晶衬底上制备出透明的ZnO薄膜.通过光学显微镜对薄膜晶核发育过程和形貌进行了详细的分析.实验结果表明:在结晶刚开始,系统将经历成核--长大的过程,随着生长过程的进行,在主晶轴上(一次轴)上又长出二次轴、三次轴等等,最后逐渐形成树枝状晶核.由于ZnO晶核是在非平衡条件下生长的,故在晶核发育过程中又出现了三种不同的生长形态--成核生长、枝晶生长和分形生长.
    二维声子晶体异质线缺陷的声波导特性
    赵言诚;赵芳;苑立波
    2006, 35(6):  1190-1194. 
    摘要 ( 11 )   PDF (665KB) ( 39 )  
    相关文章 | 计量指标
    以二维铝圆柱/空气体系声子晶体引入正方柱线缺陷为研究对象,采用平面波法结合超元胞的方法研究了该异质线缺陷的填充系数、旋转等因素对声波导的影响,讨论了异质线缺陷模场分布.结果表明,当f=0.7、fd=0.5旋转散射柱时,缺陷带只出现在-45°<θ<45°范围内,且位置随旋转角变化;带隙中缺陷带的数量随fd的增加而减少,当fd很小时,异质线缺陷的旋转对声波导没有影响;缺陷态的模场分布取决于它在带隙中的位置和距带隙上下边带间的距离.
    Ti-Al-Nb2O5系原位合成Al2O3晶须的形成机理分析
    王芬;艾桃桃
    2006, 35(6):  1195-1199. 
    摘要 ( 9 )   PDF (774KB) ( 34 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文研究了以粉埋法原位合成的Al2O3晶须的形态和反应过程以及晶须的生长机理.通过物相测试表明产物由Al2O3、TiAl3、NbAl3和少量的AlN相组成,SEM结合EDS分析表明原位合成了直径小于100nm的Al2O3晶须,晶须呈棉絮状分布于基体交界处.基于铝的过剩,TiAl3相是Ti-Al界面的唯一产物.Ti与O2以反应时间短的动力学势优先形成的TinOm中间产物是Al2O3晶须生成的控制步骤.Nb2O5与铝液的双效复合催化作用,提高了晶须的生成速率;同时Al的用量因AlN的生成而减小,导致生成晶须的催化活性点减小,而扩散到每个活性点周围的TinOm及Nb2O5浓度增加,导致晶须分布密而均匀.Al2O3晶核在催化剂的作用下以螺旋位错生长形成长径比较为理想的Al2O3晶须.
    采用DC Arc Plasma Jet CVD方法沉积微/纳米复合自支撑金刚石膜
    戴风伟;陈广超;兰昊;J. Askari;宋建华;李成明;佟玉梅;李彬;黑立富;吕反修
    2006, 35(6):  1200-1202. 
    摘要 ( 15 )   PDF (589KB) ( 23 )  
    相关文章 | 计量指标
    在30kW级直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC Arc Plasma Jet CVD)设备上,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过调节甲烷浓度以及控制其他沉积参数,在Mo衬底上沉积出微/纳米复合自支撑金刚石膜.实验表明,当微米金刚石膜层沉积结束后,在随后的沉积中,随着甲烷浓度的增加,金刚石膜表面的晶粒大小是逐渐减小的.当甲烷浓度达到20;以上时,金刚石膜生长面晶粒呈现菜花状的小晶团,膜体侧面已经没有了粗大的柱状晶,而是呈现出光滑的断口,对该层进行拉曼谱分析显示,位于1145cm-1附近有一定强度的散射峰出现.这说明所沉积的晶粒全部变为纳米级尺寸.
    采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜
    朱秀红;陈光华;刘国汉;丁毅;何斌;张文理;马占洁;郜志华;李志中
    2006, 35(6):  1203-1208. 
    摘要 ( 7 )   PDF (756KB) ( 41 )  
    相关文章 | 计量指标
    针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法.即先采用高压制备薄膜2min,减小非晶转微晶的孵化层厚度,然后再采用低压制备薄膜18min,提高薄膜的致密度及减小氧含量,最后制备出了光敏性较高,晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜.
    pH值对KDP晶体溶解度和溶液稳定性的影响
    钟德高;滕冰;张国辉;李晓兵;鲁晓东
    2006, 35(6):  1209-1213. 
    摘要 ( 38 )   PDF (760KB) ( 30 )  
    相关文章 | 计量指标
    测定了不同pH值(2.0~5.5)生长溶液中KDP晶体(KH2PO4)的溶解度曲线,实验结果表明:随着生长溶液pH值的改变,KDP溶解度明显增大.讨论了KDP晶体溶液pH值、溶液组成和溶液饱和点温度三者之间的关系.进行了高pH值(3.8~5.6)KDP生长溶液的稳定性实验,发现高pH值生长溶液中的临界成核半径rC增大,溶液的稳定性提高.在不同pH值溶液中进行了晶体生长实验,探讨了不同pH值生长溶液中配合物对KDP晶体生长习性的影响.
    中红外激光晶体Er:KPb2Cl5的原料制备和晶体生长
    李坚富;王燕;涂朝阳;游振宇;朱昭捷;夹国华;吴柏昌
    2006, 35(6):  1214-1216. 
    摘要 ( 11 )   PDF (520KB) ( 21 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文是对中红外激光晶体Er:KPb2Cl5的原材料处理合成和晶体生长进行的研究报道.由于KPb2Cl5的合成原料容易水解和氧化,我们设计了合适的方案对原料进行了处理,并成功合成出掺杂的稀土氯化物,然后在自制的垂直两温区晶体生长炉内,用Bridgman法成功生长出透明的尺寸为22×10×5mm3的Er:KPb2Cl5单晶体,并测试了粉末衍射和吸收光谱.
    纳米软磁粉体烧结过程中的晶粒生长动力学研究进展
    刘春静;王新;姜延飞;王永明;郝顺利
    2006, 35(6):  1217-1221. 
    摘要 ( 8 )   PDF (782KB) ( 34 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文综述了纳米软磁粉体的烧结过程, 并与传统材料烧结过程进行了对比,分析了烧结过程中晶体表面扩散、晶界迁移机理, 分别从晶粒生长与微孔大小、界面扩散、致密化速率以及烧结温度等关系,总结了烧结过程中形成的动力学模型. 最后通过对这些模型的描述, 提出了作者的研究方向, 并对其发展态势进行了展望.
    非配位性溶剂中CdS纳米颗粒的生长动力学及其机理研究
    刘国勇;张建成;沈悦;罗愉;江树涛
    2006, 35(6):  1222-1226. 
    摘要 ( 7 )   PDF (726KB) ( 25 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文以氧化镉为镉源,硫单质为硫源,油酸为配体,在十八烯体系中合成单分散的CdS纳米颗粒.通过改变油酸的浓度,研究了油酸对颗粒的生长动力学、颗粒尺寸分布以及颗粒浓度的影响.所得到的CdS纳米颗粒直径从2.2~4.5nm变化,最大荧光发射波长为450nm.在油酸浓度为287M,反应时间为60min左右时,所得到的CdS颗粒直径为4.5nm,而颗粒浓度仅为10-5M;在油酸浓度为42mM时,实际可得到的CdS颗粒的直径可小至2.2nm,反应溶液中颗粒的平均浓度可达到8×10-5M左右.研究表明,油酸浓度增大,使初始成核速度加快,反应平衡时所得到的纳米颗粒直径较大,但是颗粒数目显著减少,并且尺寸分布也有所增宽.
    甲酸根离子掺杂的卤化银中空穴陷阱效应分析
    李庆;范闪闪;李春雷;周娴;杨少鹏;李晓苇;江晓利;田晓东;傅广生
    2006, 35(6):  1227-1231. 
    摘要 ( 5 )   PDF (734KB) ( 29 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文采用微波吸收介电谱检测技术,系统研究了甲酸根离子掺杂的立方体卤化银乳剂在35ps脉冲激光作用下所产生的光电子衰减行为,分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应以及光电子衰减特性与掺杂条件的关系.通过分析不同位置和浓度甲酸根离子掺杂的立方体AgBr乳剂中光电子衰减时间特性,讨论了AgBr乳剂中甲酸根离子掺杂条件的变化对光电子衰减的影响,揭示了其空穴陷阱效应的作用机理.实验结果表明:不同浓度的甲酸根离子对立方体AgBr乳剂都有增感作用,最佳掺杂浓度为10-3mol/molAg;最佳掺杂位置是90;,说明了在接近微晶表面掺杂的空穴陷阱对提高乳剂感光度有较好的作用.
    四钼酸铵在过饱和溶液中的成核研究
    高绍康;王桂美;蒋奕雄;陈建中
    2006, 35(6):  1232-1237. 
    摘要 ( 6 )   PDF (250KB) ( 24 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文根据经典均匀成核理论,分别研究了硝酸酸沉和盐酸酸沉制备的四钼酸铵过饱和溶液的成核过程,并讨论了过饱和比和温度对成核速率及成核机制的影响.研究结果表明,无论是硝酸酸沉还是盐酸酸沉,四钼酸铵过饱和溶液的成核速率均随过饱和比和温度的升高而增大;固液界面张力、临界半径及临界成核自由能均随温度的升高而减小.比较硝酸酸沉和盐酸酸沉四钼酸铵过饱和溶液的成核速率,发现后者的成核速率比前者大.
    Ti3Al含量对TiC/(Ti3Al+ZrO2)陶瓷复合材料晶粒生长及性能的影响
    任帅;孙康宁;庞来学
    2006, 35(6):  1238-1241. 
    摘要 ( 4 )   PDF (698KB) ( 30 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用机械合金化和热压烧结制备了TiC/(Ti3Al+ZrO2)复合材料.研究了1550℃烧结温度下,不同Ti3Al含量(10、15、20、25;质量分数)对复合材料烧结及力学性能的影响.结果表明:随着Ti3Al含量的增加,烧结体致密化程度提高,抗弯强度和硬度相应提高,但当Ti3Al超过一定量时,强度、硬度又有所降低.
    SOFC阳极阻挡层La0.3Ce0.7O2-δ薄膜的制备
    朱晓东;孙克宁;张乃庆;周德瑞;吴丽军
    2006, 35(6):  1242-1246. 
    摘要 ( 5 )   PDF (727KB) ( 25 )  
    相关文章 | 计量指标
    镓酸镧基SOFC存在的关键问题是在阳极/电解质界面发生固相反应生成绝缘相,一个根本的解决办法是在阳极与电解质之间制备一层薄且致密的阻挡层La0.3Ce0.7O2-δ(LDC30).本文采用共沉淀法制备了LDC30的前驱体,高温煅烧后,通过XRD分析和粒度分布测试,表明La2O3成功地掺杂到CeO2晶格中,制得了粒径较小的纯相LDC30粉体,并确定了最佳的煅烧条件是在1000℃下煅烧2h.采用丝网印刷法将阻挡层浆料涂覆在电解质表面并高温烧结,通过烧结收缩曲线及微观形貌观测,发现在1400℃时烧结2h可以成功的制备一层厚约10μm的致密的阻挡层薄膜,将电池的放电性能提高了44;.
    MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器
    夏伟;王翎;李树强;张新;马德营;任忠祥;徐现刚
    2006, 35(6):  1247-1250. 
    摘要 ( 10 )   PDF (563KB) ( 22 )  
    相关文章 | 计量指标
    通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器.该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm AlGaInP红光激光器的最低阈值电流. 在25mA 工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW.
    高性能超细晶粒金刚石涂层刀具制备及试验研究
    薛宏国;孙方宏;马玉平;陈明
    2006, 35(6):  1251-1256. 
    摘要 ( 11 )   PDF (891KB) ( 39 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用改进的预处理方法和变参数沉积工艺在硬质合金刀片上制备了超细晶粒金刚石薄膜涂层.通过玻璃纤维增强塑料的车削试验,研究了薄膜与基体之间的附着强度、涂层刀具的磨损和加工工件的表面粗糙度.试验结果表明改进的预处理方法能够有效增强金刚石薄膜与基体之间的附着强度;超细晶粒金刚石薄膜减小了刀具与工件之间的摩擦,降低了刀具磨损,并使加工表面的表面粗糙度显著降低;使用改进预处理方法和变参数沉积工艺制备的超细晶粒金刚石涂层刀具的寿命达到未涂层刀具寿命的8倍以上.
    碳掺杂锐钛矿结构二氧化钛(TiO2-xCx)可见光光催化薄膜的制备及表征
    叶勤;吴奎;唐振方
    2006, 35(6):  1257-1261. 
    摘要 ( 11 )   PDF (790KB) ( 35 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用气体反应磁控溅射的方法在350℃制备了碳掺杂TiO2薄膜,并对薄膜的结构做了表征与分析. XRD结果显示碳掺杂薄膜为锐钛矿结构,有c轴择优生长趋向,较纯二氧化钛薄膜晶胞c轴有伸长,晶粒膨胀;光响应波长由纯TiO2薄膜的385nm拓宽到435nm的可见光波段;从薄膜深层的X射线光电子能谱发现Ti-C和C-C振动, 可知部分掺杂碳是以化合物的状态存在TiO2-xCx薄膜中;薄膜的电镜结果显示薄膜粒晶大小均匀且为纳米量级,同时薄膜内部呈柱状晶结构.
    硼酸在合成La-Yb-Er体系发光材料中作用的研究
    崔黎黎;范慧俐;徐晓伟;李玉萍
    2006, 35(6):  1262-1264. 
    摘要 ( 10 )   PDF (429KB) ( 25 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文通过共沉淀的实验工艺,以La2O3为基质,Er3+离子为发光中心,Yb3+离子为敏化中心,在前驱体的烧结过程中加入不同量的H3BO3,制备了La-Yb-Er体系发光材料,实验结果显示在1300℃的温度条件下,硼酸的加入量为前驱体总量的1/5~1/3时,烧结后得到以发红光为主的上转换发光材料,并对作用机理进行分析.
    化学溶液分解法制备Sm0.5Bi3.5Ti3O12铁电薄膜
    杨冬梅;韩建儒;袁春雪;姜付义
    2006, 35(6):  1265-1267. 
    摘要 ( 11 )   PDF (489KB) ( 21 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Sm0.5Bi3.5Ti3O12 (SmBT0.5)薄膜.用X射线衍射技术分析了薄膜的结构和结晶性,用原子力显微镜描述了薄膜的表面形貌;并研究了薄膜的存储性以及介电性能.结果表明,在700℃下退火1h得到了结晶性较好,表面致密的多晶薄膜.该薄膜显示了良好铁电和介电性能.
    富硼体系中立方氮化硼晶体的生长
    杜勇慧;杨旭昕;吉晓瑞;杨大鹏;宫希亮;苏作朋;张铁臣
    2006, 35(6):  1268-1271. 
    摘要 ( 7 )   PDF (622KB) ( 28 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文在hBN-Li3N体系中添加不同含量的单质硼(B),研究了cBN晶体在富B条件下的生长特性.结果表明,B进入晶体的位置具有明显的区域选择性.B以占据N(111)面内N空位的方式进入晶体,并与原有的N原子一起形成一个B原子和N原子的(111)面.随着B进入量的增加,越来越多的B原子取代N空位,B和N原子的混合面与邻近的B(111)面叠加,在晶体的中心部位形成颜色较深的三角形阴影并逐步扩展,最后,使晶体完全变成黑色.由于B占据N空位造成原来N的(111)面上有大量硼原子存在,使得晶体沿<111>方向生长困难而有利于沿<100>方向生长, 从而形成了八面体或类球形晶体.同时,由于加入的B与部分Li3N发生化学反应也可生成cBN,因此,体系中cBN晶体的形成受两种机制控制:一种为溶解析出过程,另一种为化学反应过程.cBN的产率随着B添加量的增加而降低的实验结果表明,溶解析出过程占主导地位.
    半导体薄膜材料外延生长的蒙特卡罗模拟
    俞重远;封强;刘玉敏;任晓敏
    2006, 35(6):  1272-1276. 
    摘要 ( 33 )   PDF (805KB) ( 54 )  
    相关文章 | 计量指标
    半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料,它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景,本文讨论了计算机模拟量子点的生长在材料设计中的重要意义,建立动力学蒙特卡罗二维模型, 通过获得的原子沉积的表面图样和对原子簇大小分布的数学统计,得到提高生长温度或者降低沉积速率等量子点外延生长的优化条件.
    PEG对纳米BaMgAl10O17:Eu2+蓝色荧光粉颗粒形貌及其发光性能的影响
    陈哲;谢鸿;严有为
    2006, 35(6):  1277-1282. 
    摘要 ( 15 )   PDF (978KB) ( 29 )  
    相关文章 | 计量指标
    以聚乙二醇(PEG)为改性剂,采用溶液燃烧法成功制备了准球形的PDP用BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)蓝色荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及荧光光谱对获得的试样进行了表征.结晶表明,获得的BAM荧光粉颗粒为准球形、颗粒尺寸为20~40nm.当PEG的分子量(MW)为10000且质量百分比浓度为5.0;时,能获得最佳形貌和最高发光强度的BAM蓝色荧光粉.
    纳米α-Fe2O3粒子的液相催化合成及表面状态控制
    刘辉;李平;胡进勇;魏雨
    2006, 35(6):  1283-1286. 
    摘要 ( 8 )   PDF (861KB) ( 27 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文研究了在沸腾回流条件下以Fe(OH)3凝胶为前驱物、以微量Fe(II)为催化剂制备α-Fe2O3纳米微粒的过程,探讨了各种因素对产物的影响.结果表明:足够快的升温速率(>4℃/min)和适当的催化剂用量(nFe(II)/nFe(III)<0.08)是利用催化相转化法获得纯相α-Fe2O3微粒的关键;Fe(OH)3凝胶的制备条件对产物颗粒大小、颗粒表面状态和均匀性均有影响.当pH=7、nFe(II)/nFe(III)=0.02、Fe(OH)3凝胶的初始浓度为0.5mol/L时,相转化过程只需0.5h就可完成.
    衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响
    赵剑涛;郜小勇;刘绪伟;陈永生;杨仕娥;卢景霄
    2006, 35(6):  1287-1290. 
    摘要 ( 12 )   PDF (572KB) ( 28 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响.研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-Si:H 薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动.该实验结果可通过"表面扩散模型"得到合理解释.
    溅射腔气压对电极材料析氢活性的影响
    宋红;张庆宝;魏长春;耿新华
    2006, 35(6):  1291-1295. 
    摘要 ( 16 )   PDF (619KB) ( 19 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用直流磁控溅射法制备了析氢反应的电极材料-NiFe,CoMo,研究了在1.0Pa~4.0Pa的范围内,不同溅射腔气压条件下制备的电极材料的晶粒尺寸、析氢反应的过电位与气压的关系,结果显示过电位随气压升高而降低,而且在2.0Pa处,过电位变化的程度和Tafel斜率均发生突变,表明不同溅射气压下制备的材料晶粒尺寸的变化,引起了析氢反应控制步骤的改变.
    海带硫酸多糖防止草酸钙结石形成的体外模拟
    王青豪;郑辉;吴秀梅;欧阳建明
    2006, 35(6):  1296-1300. 
    摘要 ( 30 )   PDF (267KB) ( 18 )  
    相关文章 | 计量指标
    采用扫描电子显微镜、X射线衍射法和红外光谱在草酸钙(CaOxa)结石患者尿液中研究了从海带中提取的硫酸多糖(LSPS)的防石作用.结果表明,LSPS可以抑制一水草酸钙(COM)的成核和聚集,并诱导二水草酸钙(COD)晶体形成.随着ESPS浓度从0增加到0.005, 0.02和0.20 mg/ml,COD的百分含量从0分别增加到22;, 55;和100;.这些结果表明LSPS是抑制CaOxa结石形成的一种潜在药物.
    溅射气压对镍铁氧化物催化薄膜在碱性溶液中析氧特性影响的研究
    张庆宝;薛俊明;宋红;孙建;耿新华
    2006, 35(6):  1301-1306. 
    摘要 ( 19 )   PDF (895KB) ( 21 )  
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    采用对靶直流磁控溅射设备制备镍铁氧化物催化薄膜,研究了溅射气压与催化薄膜的结构、表面形貌、过电位、电阻率及生长速率之间的关系.实验结果显示在溅射气压从0.5Pa到4.0Pa的范围内变化时,随溅射气压升高,材料晶化率降低,生长速率下降,过电位和电阻率都是先减小再增大;对用不同铁含量的镍铁合金靶制备的催化薄膜的极化特性比较发现,靶材中铁的含量越多过电位越小.
    液相外延技术发展现状
    赵绪然;裴广庆;杨秋红;夏长泰;徐军
    2006, 35(6):  1307-1312. 
    摘要 ( 39 )   PDF (1106KB) ( 45 )  
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    本文介绍了液相外延技术在制备硅材料、碲镉汞材料、石榴石型单晶材料、III-V族半导体材料和其他一些无机材料方面的应用,简述了液相外延技术近十多年来在系统改善、工艺改进和相关理论研究方面的成果,并指出了液相外延技术相对于其他外延技术的优势及其发展需要克服的困难.
    薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响
    陈新亮;薛俊明;孙建;任慧志;张德坤;赵颖;耿新华
    2006, 35(6):  1313-1317. 
    摘要 ( 11 )   PDF (771KB) ( 39 )  
    相关文章 | 计量指标
    本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜;Hall测量表明,较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性,可归于晶粒长大和晶体质量提高.40min沉积时间(膜厚为1250nm)制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构,其晶粒尺寸为300~500nm,电阻率为7.9×10-3Ω·cm,迁移率为26.8cm2/Vs.
    不同衬底制备硅薄膜的微结构研究
    李红菊;张丽伟;杨根;赵剑涛;张宇翔
    2006, 35(6):  1318-1321. 
    摘要 ( 10 )   PDF (595KB) ( 30 )  
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    本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜.然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下对样品进行了7min的退火处理, 借助Raman和SEM对退火前后硅薄膜微结构进行了研究,并用声子限域理论和纳晶表面效应对实验现象进行了分析.结果表明:(1) 薄膜沉积过程中,衬底结构对薄膜微结构有重要影响,相对来说石英衬底上沉积的硅薄膜最容易晶化,其次是玻璃衬底,再其次是未织构的AZO覆盖的玻璃衬底.初步分析认为,主要是因为衬底的无序结构与硅的晶体结构的失配程度不同造成的影响;(2)退火后,薄膜晶粒尺寸均增大.进一步推测, AZO薄膜微结构随退火的变化将导致硅薄膜微结构受到牵连影响.
    ZnO薄膜结构缺陷与发光性能研究(一)
    肖宗湖;张萌
    2006, 35(6):  1322-1327. 
    摘要 ( 6 )   PDF (1006KB) ( 28 )  
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    在ZnO发光材料中存在的各种结构缺陷是制约ZnO发光性能的一个关键因素.本文总结了ZnO薄膜材料中可能存在的缺陷类型,并就点缺陷的性质及其对发光性能影响的研究现状做了重点评述.对ZnO薄膜发光光谱常见的三个发光带,即紫外、绿光和黄光而言,紫外发光普遍被认为是带-带直接辐射复合发光或激子发光;而对可见光,尤其是绿光的发光机理却有着不同的说法,人们早期认为是铜杂质,近年来普遍认为是氧空位、锌空位等点缺陷所致,确切机理仍有争论.此外,点缺陷作为非辐射中心对ZnO薄膜的发光寿命有一定的影响.
    坩埚下降法生长CaF2单晶的研究
    段安锋;范翊;罗劲松;关树海;沈永宏;刘景和
    2006, 35(6):  1328-1331. 
    摘要 ( 5 )   PDF (588KB) ( 43 )  
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    采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能.结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带.同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带.
    玻璃衬底上p型ZnO薄膜的制备
    范红兵;张晓丹;赵颖;孙建;魏长春;王锐;张存善
    2006, 35(6):  1332-1336. 
    摘要 ( 5 )   PDF (776KB) ( 44 )  
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    本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性.霍耳测试结果表明:随着Al原子掺入量的逐渐增加,制备ZnO的类型逐渐由n型转换成p型,进一步提高后又转换成n型,文中对其中的原因进行了讨论.在普通玻璃衬底上制备出了空穴浓度达到4.6×1018cm-3,同时迁移率和电阻率分别为0.4cm2·V-1·s -1、3.3Ω·cm的p型ZnO薄膜.
    磁控反应法制备氧化银薄膜的研究
    刘绪伟;郜小勇;赵剑涛;吴芳;王子健
    2006, 35(6):  1337-1340. 
    摘要 ( 10 )   PDF (655KB) ( 37 )  
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    采用磁控反应溅射法,分别在室温和90℃条件下制备了两个系列的氧化银薄膜,其中氧氩比从1:4变化到2:1. SEM表明薄膜中的氧化银纳米颗粒尺寸均小于30nm.XRD表明随制备温度的提高AgO衍射峰减弱,Ag2O衍射峰增强,揭示了在成膜过程中,温度提高引起AgO热分解为Ag2O.分光光度计测量的反射谱和吸收谱表明氧化银的吸收边在400 nm附近,计算的氧化银禁带宽度约为3.1eV.通过对银的特征峰(312nm处)向短波方向的移动和消失分析证实氧氩比增大的确有助于银的完全氧化, 并且氧氩比2:1条件下制备的样品质量较佳.
    CdS纳米晶的稳定化处理及介质极性对荧光光谱的影响
    许荣辉;汪勇先;贾广强;徐万帮;尹端沚
    2006, 35(6):  1341-1345. 
    摘要 ( 23 )   PDF (824KB) ( 39 )  
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    用硫脲、聚乙烯吡咯烷酮、L-半胱氨酸水溶液对水热法合成的硫化镉纳米晶进行稳定化处理,发现L-半胱氨酸和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能有效地稳定硫化镉纳米晶,荧光发射强度比处理前增强了五十倍以上.以氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸为萃取(或处理)剂,对水热法合成的水溶性CdS半导体纳米晶进行处理,经过荧光光谱分析,发现介质水、氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸会对CdS纳米晶的最大荧光激发峰与发射峰的位置产生不同影响,极性大的水分子使得荧光峰蓝移,极性小的氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸使得荧光峰红移,最大位移为31nm左右.
    尿素晶体线性和非线性光学系数的计算
    韩胜元;卢贵武;张军;夏海瑞;王春雷
    2006, 35(6):  1346-1350. 
    摘要 ( 10 )   PDF (752KB) ( 76 )  
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    本文使用从头计算平面波赝势法计算了尿素晶体的电子能带结构、线性和非线性光学系数,折射率和倍频系数的计算结果与实验结果基本符合.计算发现尿素晶体中C、N和O元素的2p轨道电子态发生了明显杂化,而能量较高的2p轨道电子态的杂化是其非线性光学效应的主要来源.
    新型纯二维嵌套复式周期结构光子晶体的光学禁带特性及制备研究
    韩喻;谢凯
    2006, 35(6):  1351-1354. 
    摘要 ( 6 )   PDF (637KB) ( 40 )  
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    本文提出了一种两套晶格嵌套的全新纯二维嵌套复式周期光子晶体结构,并通过理论计算获得了外周期结构调制禁带位置,内周期的细微结构通过填充率的改变和结构的周期效应调制禁带宽度的新型禁带特性,从理论上验证了嵌套结构利用小尺寸周期调制大波长禁带的可行性.同时首次利用软刻蚀图案掩膜保护电化学阳极氧化方法制备出了这种全新嵌套复式周期结构.
    电子束蒸发制备ZnO:Al透明导电膜及其性能研究
    王子健;王海燕;郜小勇;吴芳;李红菊;杨根;刘绪伟;卢景霄
    2006, 35(6):  1355-1358. 
    摘要 ( 9 )   PDF (769KB) ( 36 )  
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    在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理.利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性.利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω·cm.
    坩埚预处理技术在氮化铝晶体生长工艺中的应用
    武红磊;郑瑞生;孙秀明;罗飞;杨帆;刘文;敬守勇
    2006, 35(6):  1359-1362. 
    摘要 ( 16 )   PDF (855KB) ( 41 )  
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    在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一.实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层,可以有效地解决高温下钨坩埚体与盖相粘结的问题,大大提高了坩埚的使用寿命.使用经过预处理的钨坩埚,用物理气相法生长出φ0.8mm×1.5mm氮化铝单晶体和φ36mm×5mm氮化铝多晶片.
    N-亚水杨基正丁胺锌配合物的合成、谱学表征和晶体结构
    马卫兴;钱保华;陈军;沙欧;许兴友
    2006, 35(6):  1363-1367. 
    摘要 ( 16 )   PDF (681KB) ( 41 )  
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    以乙酸锌、正丁胺及水杨醛为原料在甲醇介质中反应,合成得到了席夫碱配合物N-亚水杨基正丁胺锌[Zn(CH3CH2 CH2CH2N=CHC6H4O)2],用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和热重分析进行了谱学表征,培养了该配合物的单晶,并通过单晶X射线衍射测得其晶体结构为四方晶系, 空间点群为P-4,a=1.4380(2)nm,b=1.4380(2)nm,c=0.53803(18)nm,α=β =γ=90°,V=1.1126(4)nm3 ;Dc =1.247 g/cm3;Z=2;F(000) = 400;μ =1.12mm-1.锌离子位于变形四面体的中心,分别与两个席夫碱N原子和两个酚氧负离子形成配合物.
    晶体(NH4)2C4H4O6:VO2+的EPR参量及局域结构的研究
    冯文林;谌家军;邓丽城;吴慧聪;高山泉
    2006, 35(6):  1368-1371. 
    摘要 ( 13 )   PDF (548KB) ( 33 )  
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    采用叠加模型和双旋-轨耦合参量模型,建立了结构参数与EPR参量之间的定量关系;较好地解释了[VO(H2O)5]2+络离子的局域结构和EPR参量;研究结果发现,(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中络离子[VO(H2O)5]2+的键长为R//≈0.130nm,R⊥≈0.195nm;在(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中,局域结构沿C4轴方向呈压缩的八面体结构;所得EPR参量的理论计算与实验测量数据符合很好.
    单晶MgO基片超精密加工技术研究
    董志刚;康仁科;金洙吉;王宁会
    2006, 35(6):  1372-1377. 
    摘要 ( 17 )   PDF (1011KB) ( 42 )  
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    单晶MgO具有良好的物理化学性能及光学性能,是性能优异的薄膜基片及光学零件材料,广泛应用于高温超导、航空航天、光电技术等领域.用作薄膜生长的基片必须具有高精度超光滑无损伤的表面,而单晶MgO是典型的硬脆难加工材料,这对MgO晶体的超精密加工技术提出了很高的要求.本文介绍了单晶MgO的特性及其应用领域,针对高温超导薄膜制备对MgO基片的要求,讨论了现有的MgO基片加工工艺存在的问题,分析了几种可用于MgO基片超精密加工的先进工艺技术的特点和应用研究现状.
    ZnSe多晶化学机械抛光研究
    么艳平;张玉兰;李长江;刘景和
    2006, 35(6):  1378-1382. 
    摘要 ( 9 )   PDF (765KB) ( 31 )  
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    本文针对ZnSe多晶的性能,在试验的基础上,研究出一套实用的、行之有效的ZnSe多晶加工工艺,并重点讨论了化学机械抛光工艺.同时对加工后零件的工艺参数、表面质量及透过率的测试,结果表明所采用的化学机械加工法可取得非常好的抛光效果.
    新型稀土无机荧光体Sr2CeO4的合成研究进展
    贺香红;李卫华;周健;徐培苍
    2006, 35(6):  1383-1387. 
    摘要 ( 31 )   PDF (970KB) ( 35 )  
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    Sr2CeO4既是一种有重要应用价值的新型蓝色荧光体,也是一种性能优异的稀土无机发光基质材料.本文结合自己的研究,综述了制备Sr2CeO4的主要方法的研究现状,并提出今后合成研究的设想.
    5英寸钽酸锂晶体生长工艺技术研究
    康平;张振志;周志强;韦勇;张寒贫;杜小红;陈建;张庆海;成肇安
    2006, 35(6):  1388-1391. 
    摘要 ( 15 )   PDF (751KB) ( 55 )  
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    本文着重介绍了用铱坩埚提拉法生长φ5英寸钽酸锂(LT)晶体的工艺过程,该工艺使用超大尺寸铱坩埚生长LT晶体;设计了稳定并可调节纵向及径向温度梯度的温场;采用了大量程、高灵敏度的上称重技术;运用逆向模拟法的模拟体设计.这些技术的集成,是φ5英寸晶体生长成功的必要保证.
    可加工氟闪石玻璃陶瓷的制备
    章为夷;高宏
    2006, 35(6):  1392-1396. 
    摘要 ( 8 )   PDF (793KB) ( 52 )  
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    将氟云母晶体粉末直接与窗玻璃粉末混合后烧结,制备出可加工氟闪石玻璃陶瓷.研究了氟云母加入量对氟闪石玻璃陶瓷的析晶、组织、烧结性、可加工性和机械性能影响.结果表明,烧结时,氟云母与玻璃间发生了反应析晶.氟云母加入量少于20;质量分数,析出透辉石,超过质量分数35;析出氟闪石,超过质量分数80;,有部分氟云母被保留下来.随着氟云母加入量的增加,玻璃陶瓷烧结温度相应要提高,可加工性得到改善,但相对密度和抗压强度下降.加入量在35~40;质量分数、烧结温度在860~950℃之间所制备的氟闪石玻璃陶瓷具有较高的强度和良好的可加工性,可进行车削、钻孔、攻丝等机械加工.