不同衬底制备硅薄膜的微结构研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1318-1321.

不同衬底制备硅薄膜的微结构研究

李红菊;张丽伟;杨根;赵剑涛;张宇翔

郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,新乡,453000;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;河南工业大学化学工业职业学院,郑州,450042

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20

Investigation on Microstructure of Silicon Thin Films Fabricated on Different Substrates

LI Hong-ju;ZHANG Li-wei;YANG Gen;ZHAO Jian-tao;ZHANG Yu-xiang

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜.然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下对样品进行了7min的退火处理, 借助Raman和SEM对退火前后硅薄膜微结构进行了研究,并用声子限域理论和纳晶表面效应对实验现象进行了分析.结果表明:(1) 薄膜沉积过程中,衬底结构对薄膜微结构有重要影响,相对来说石英衬底上沉积的硅薄膜最容易晶化,其次是玻璃衬底,再其次是未织构的AZO覆盖的玻璃衬底.初步分析认为,主要是因为衬底的无序结构与硅的晶体结构的失配程度不同造成的影响;(2)退火后,薄膜晶粒尺寸均增大.进一步推测, AZO薄膜微结构随退火的变化将导致硅薄膜微结构受到牵连影响.

中图分类号:

O484

李红菊;张丽伟;杨根;赵剑涛;张宇翔. 不同衬底制备硅薄膜的微结构研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1318-1321.

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