Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (1): 13-16.

Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

杨波波;徐家跃;申慧;张彦;陆宝亮;江国健

上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418

出版日期:2013-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家973前期专项(2011CB612310);上海市科委基础研究重点项目(11JC1412400);上海市教委重点学科(J51504)

Crystallization Behavior of Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12 Pseudo-binary System and Its Crystal Growth

YANG Bo-bo;XU Jia-yue;SHEN Hui;ZHANG Yan;LU Bao-liang;JIANG Guo-jian

Online:2013-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12 (BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为.实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相；XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长.采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能.

中图分类号:

杨波波;徐家跃;申慧;张彦;陆宝亮;江国健. Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(1): 13-16.

YANG Bo-bo;XU Jia-yue;SHEN Hui;ZHANG Yan;LU Bao-liang;JIANG Guo-jian. Crystallization Behavior of Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12 Pseudo-binary System and Its Crystal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(1): 13-16.

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