磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (4): 647-652.

磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究

钟志有;张腾;顾锦华;孙奉娄

中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074;中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,武汉430074;中南民族大学电子信息工程学院,武汉,430074;中南民族大学计算与实验中心,武汉,430074

出版日期:2013-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418);中南民族大学学术团队基金资助项目(XTZ09003)

Optical and Electrical Properties of Tin-doped Indium Oxide Transparent Conducting Films Deposited by Magnetron Sputtering

ZHONG Zhi-you;ZHANG Teng;GU Jin-hua;SUN Feng-lou

Online:2013-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响.当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4;)和最大的优良指数(7.9×102 S·cm-1),其光电综合性能最佳.同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小.

中图分类号:

O484

钟志有;张腾;顾锦华;孙奉娄. 磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(4): 647-652.

ZHONG Zhi-you;ZHANG Teng;GU Jin-hua;SUN Feng-lou. Optical and Electrical Properties of Tin-doped Indium Oxide Transparent Conducting Films Deposited by Magnetron Sputtering[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(4): 647-652.

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