溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (5): 833-836.

溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响

化麒麟;杨培志;杨雯;付蕊;邓双;彭柳军

云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092

出版日期:2013-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金云南联合基金(U1037604)资助课题

Effect of Sputtering Pressure on Optical and Electrical Properties of Boron-doped ZnO Thin Films

HUA Qi-lin;YANG Pei-zhi;YANG Wen;FU Rui;DENG Shuang;PENG Liu-jun

Online:2013-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了溅射气压(0.1 ～3 Pa)对ZnO薄膜的光学和电学特性的影响.结果表明:ZnO∶B薄膜在可见光区域内的平均透光率高于80;,近红外波段的透过率及薄膜的电阻率与溅射气压成正比；折射率n随溅射气压降低呈下降趋势,其值介于1.92 ～2.09之间；在较低的溅射气压下(PAr=0.1 Pa)获得的薄膜电阻率最小(3.7×10-3Ω·cm),且对应着小的光学带隙(Eg=3.463 eV).

中图分类号:

TB34

化麒麟;杨培志;杨雯;付蕊;邓双;彭柳军. 溅射气压对硼掺杂ZnO薄膜光电特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(5): 833-836.

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