Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (5): 865-868.

Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

姜涛;严成锋;陈建军;刘熙;杨建华;施尔畏

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201899

出版日期:2013-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学青年基金(51002176);中国科学院知识创新工程重要方向项目(KJCX2-EW-W10);江苏省产学联合技术创新基金项目(BY2011119);国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603)

Effect of Annealing on the Surface Structure of 6H-SiC Wafer in Ar Atmosphere

JIANG Tao;YAN Cheng-feng;CHEN Jian-jun;LIU Xi;YANG Jian-hua;SHI Er-wei

Online:2013-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理.采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响.发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用.

中图分类号:

O771

姜涛;严成锋;陈建军;刘熙;杨建华;施尔畏. Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(5): 865-868.

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