高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (5): 915-917.

高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

李亮;李忠辉;罗伟科;董逊;彭大青;张东国

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016

出版日期:2013-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
江苏省科技支撑计划(BE2010006)

Homoepitaxial Growth of High Quality GaN Films by MOCVD

LI Liang;LI Zhong-hui;LUO Wei-ke;DONG Xun;PENG Da-qing;ZHANG Dong-guo

Online:2013-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.

中图分类号:

TN304

李亮;李忠辉;罗伟科;董逊;彭大青;张东国. 高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(5): 915-917.

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