对LiNbO3∶Cu∶Ce和LiNbO3∶Fe晶体非挥发全息存储灵敏度的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (6): 1012-1015.

对LiNbO3∶Cu∶Ce和LiNbO3∶Fe晶体非挥发全息存储灵敏度的研究

申岩;赵业权

哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院,哈尔滨,150080

出版日期:2013-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11004040);黑龙江省自然科学基金(E201237)

Study on Nonvolatile Holographic Recording Sensitivity for LiNbO3∶ Cu∶ Ce and LiNbO3∶ Fe

SHEN Yan;ZHAO Ye-quan

Online:2013-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以双中心模型为基础,理论研究了LiNbO3∶Cu∶Ce和近化学计量比LiNbO3∶ Fe晶体在稳态情况下的非挥发全息存储灵敏度.通过考虑了两个晶体在其深能级和浅能级中心之间所有可能的电子交换过程,理论结果显示在低光强连续光范围内LiNbO3∶Fe晶体比LiNbO3∶ Cu∶ Ce晶体有着更高的记录灵敏度.并且通过研究文中得到的记录灵敏度的解析表达式,发现灵敏度与晶体浅能级上可激发离子数密度和泵浦光光强成正比.此外,采用较短波长的泵浦光和更大深能级数密度的晶体是另两种改变晶体灵敏度的方式.

中图分类号:

O438.1

申岩;赵业权. 对LiNbO3∶Cu∶Ce和LiNbO3∶Fe晶体非挥发全息存储灵敏度的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1012-1015.

SHEN Yan;ZHAO Ye-quan. Study on Nonvolatile Holographic Recording Sensitivity for LiNbO3∶ Cu∶ Ce and LiNbO3∶ Fe[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(6): 1012-1015.