含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (6): 1098-1103.

含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

宋久旭;杨银堂;王平;郭立新

西安电子科技大学理学院,西安710071;西安石油大学电子工程学院,西安710065;西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071;西安电子科技大学理学院,西安,710071

出版日期:2013-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
the Fund of Shaanxi Provincial Educational Department (2010JK775)

Electronic Structure and Optical Properties of SiC Nanotubes with Antisite Defects

SONG Jiu-xu;YANG Yin-tang;WANG Ping;GUO Li-xin

Online:2013-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷；这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导；导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势.这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值.

中图分类号:

TN304

宋久旭;杨银堂;王平;郭立新. 含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1098-1103.

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