溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1343-1346.

溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

张锁良;贾长江;郝彦磊;史守山;张二鹏;李钗;娄建忠;刘保亭;闫小兵

河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055,11074063);河北省自然科学基金(E2012201088);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);河北大学自然科学基金(2011-219)

Effect of Sputtering Power on the Preparation of In-Ga-Zn-O Films by RF Magnetron Sputtering

Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜.研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低.透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量.光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小.In-Ga-Zn-O薄膜在500～800nm可见光区平均透过率超过90;.

中图分类号:

O484

张锁良;贾长江;郝彦磊;史守山;张二鹏;李钗;娄建忠;刘保亭;闫小兵. 溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1343-1346.

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溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

Effect of Sputtering Power on the Preparation of In-Ga-Zn-O Films by RF Magnetron Sputtering

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