溅射功率对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜光电性能的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1353-1359.

溅射功率对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜光电性能的影响

张腾;钟志有;汪浩

中南民族大学电子信息工程学院,武汉,430074;中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074;中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,武汉430074

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11147014);湖北省自然科学基金(2011CDB418);中南民族大学研究生创新基金(chxxyz120023);中南民族大学学术团队项目(XTZ09003)

Influence of Sputtering Power on the Optical and Electrical Properties of Ti and Ga Codoped ZnO Thin Films

ZHANG Teng;ZHONG Zhi-you;WANG Hao

Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以ZnO∶Ga2O3∶TiO2(97wt;∶1.5wt;∶1.5wt;)陶瓷靶作为溅射源,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计测试表征,研究了溅射功率对TGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响.结果表明:所有TGZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,溅射功率对薄膜性能具有明显的影响.当溅射功率为200 W时,TGZO薄膜的结晶质量最好、电阻率最低、平均可见光透射率最高,品质因数最大(1.22×10-2 Ω-1),其光电综合性能最佳.另外,通过光谱拟合方法研究了溅射功率对TGZO薄膜折射率和消光系数的影响,并利用Tauc关系式计算了样品的光学能隙.

中图分类号:

O484

张腾;钟志有;汪浩. 溅射功率对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1353-1359.

ZHANG Teng;ZHONG Zhi-you;WANG Hao. Influence of Sputtering Power on the Optical and Electrical Properties of Ti and Ga Codoped ZnO Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(7): 1353-1359.

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