衬底温度对电子束蒸发ZnS薄膜结构和光学特性的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1366-1370.

衬底温度对电子束蒸发ZnS薄膜结构和光学特性的影响

付蕊;化麒麟;涂洁磊

云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高新技术研究计划(863计划)(2011AA050512);云南省重点基金项目(2009CC012);霍英东青年基金项目(111061)

Effect of Substrate Temperature on Structure and Optical Properties of ZnS Thin Films Deposited by Electron-Beam Evaporation

FU Rui;HUA Qi-lin;TU Jie-lei

Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用电子束蒸发法在不同衬底温度下,150℃、200℃、250℃和300℃,制备了ZnS薄膜；用X射线衍射仪、原子力显微镜、膜厚仪和紫外-可见光-近红外分光光度计分别表征ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性；并分析了不同衬底温度对薄膜的结构和光学特性的影响.结果表明:在硅衬底上制备的ZnS都为多晶薄膜,具有闪锌矿β-ZnS结构；随衬底温度升高呈(111)晶面高度择优取向,平均晶粒尺寸有所增大,内应力、位错密度、折射率和吸收系数有所减小,禁带宽度随之增大；衬底温度为300℃时制备的薄膜表面均匀致密,呈现较优的结构和光学性能.

中图分类号:

O484

付蕊;化麒麟;涂洁磊. 衬底温度对电子束蒸发ZnS薄膜结构和光学特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1366-1370.

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