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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1376-1379.

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CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究

曾体贤;刘其娅;陈太红;谌家军   

  1. 西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637009
  • 出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    四川省教育厅重点项目(01ZB089);四川省非金属复合与功能材料重点实验室开放课题(12zxfk15);南充市科技支撑计划(402614)

Preparation and Characterization of CdSe Nanocrystalline Films

ZENG Ti-xian;LIU Qi-ya;CHEN Tai-hong;CHEN Jia-jun   

  • Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征.结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40 ~70 nm,呈半月状,排列整齐;化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV).

关键词: CdSe薄膜;热蒸发;透过率;禁带宽度

中图分类号: