低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1406-1409.

低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

张东国;李忠辉;彭大青;董逊;李亮;倪金玉

南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20

Improvement of Low Tmperature GaN Interlayer on the Property of the Two-dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructure

ZHANG Dong-guo;LI Zhong-hui;PENG Da-qing;DONG Xun;LI Liang;NI Jin-yu

Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.

中图分类号:

TN304

张东国;李忠辉;彭大青;董逊;李亮;倪金玉. 低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1406-1409.

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