掺杂BaAlBO3F2晶体的生长及性能研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (9): 1723-1728.

掺杂BaAlBO3F2晶体的生长及性能研究

林湲;岳银超;李小矛;杨蕾;胡章贵

中国科学院理化技术研究所,北京100190;中国科学院大学,北京100049;中国科学院理化技术研究所,北京,100190

出版日期:2013-09-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(91122023,51202259)

Study on the Growth and Properties of Doped BaAlBO3F2 Crystal

LIN Yuan;YUE Yin-chao;LI Xiao-mao;YANG Lei;HU Zhang-gui

Online:2013-09-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文通过对BaAlBO3F2(BABF)晶体进行掺杂以增加晶体的双折射率,从而使BABF晶体的最短直接倍频波长紫移,拓宽其应用波段.研究发现Ga掺杂能够使BABF晶体的最短直接倍频波长从273 nm紫移至259.5 nm理论上能够实现四倍频(266 nm)激光输出.采用优化的B2O3-LiF-NaF助熔剂体系,通过中部籽晶法生长出尺寸为25 mm×20 mm×10 mm的Ba(Al,Ga) BO3F2晶体.对该晶体的透过光谱、光学均匀性、弱吸收、倍频匹配曲线、粉末倍频效应和激光损伤阈值的性能进行了表征,结果显示了该晶体在紫外波段激光输出的潜能.

中图分类号:

林湲;岳银超;李小矛;杨蕾;胡章贵. 掺杂BaAlBO3F2晶体的生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1723-1728.

LIN Yuan;YUE Yin-chao;LI Xiao-mao;YANG Lei;HU Zhang-gui. Study on the Growth and Properties of Doped BaAlBO3F2 Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(9): 1723-1728.

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