人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (12): 2495-2499.
刘小凤;魏庆科;喻建兵;胡晓琳;庄乃锋;林树坤;陈建中
出版日期:
2013-12-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
LIU Xiao-feng;WEI Qing-ke;YU Jian-bing;HU Xiao-lin;ZHUANG Nai-feng;LIN Shu-kun;CHEN Jian-zhong
Online:
2013-12-15
Published:
2021-01-20
摘要: 采用提拉法生长了Ba2TiSi2O8 (BST)晶体,并采用SEM和EDS等手段对晶体内部包裹物缺陷进行了分析.发现多晶原料中的Na,K,C1杂质元素的存在是导致晶体内部产生包裹物缺陷的主要诱因,采用低的生长速率和较快的晶体转速有利于获得高质量BTS单晶.另外,本论文还对晶体的硬度和透过光谱进行了测试与分析.
中图分类号:
刘小凤;魏庆科;喻建兵;胡晓琳;庄乃锋;林树坤;陈建中. Ba2TiSi2O8晶体的生长及包裹物缺陷分析[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2495-2499.
LIU Xiao-feng;WEI Qing-ke;YU Jian-bing;HU Xiao-lin;ZHUANG Nai-feng;LIN Shu-kun;CHEN Jian-zhong. Growth and Inclusion Defect Analysis of Ba2TiSi2O8 Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(12): 2495-2499.
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