Ba2TiSi2O8晶体的生长及包裹物缺陷分析

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (12): 2495-2499.

Ba2TiSi2O8晶体的生长及包裹物缺陷分析

刘小凤;魏庆科;喻建兵;胡晓琳;庄乃锋;林树坤;陈建中

福州大学化学化工学院,福州,350116

出版日期:2013-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50902022,51272044);福建省自然科学基金(2013J01180,2012J01033)

Growth and Inclusion Defect Analysis of Ba2TiSi2O8 Crystal

LIU Xiao-feng;WEI Qing-ke;YU Jian-bing;HU Xiao-lin;ZHUANG Nai-feng;LIN Shu-kun;CHEN Jian-zhong

Online:2013-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用提拉法生长了Ba2TiSi2O8 (BST)晶体,并采用SEM和EDS等手段对晶体内部包裹物缺陷进行了分析.发现多晶原料中的Na,K,C1杂质元素的存在是导致晶体内部产生包裹物缺陷的主要诱因,采用低的生长速率和较快的晶体转速有利于获得高质量BTS单晶.另外,本论文还对晶体的硬度和透过光谱进行了测试与分析.

中图分类号:

O782

刘小凤;魏庆科;喻建兵;胡晓琳;庄乃锋;林树坤;陈建中. Ba2TiSi2O8晶体的生长及包裹物缺陷分析[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(12): 2495-2499.

LIU Xiao-feng;WEI Qing-ke;YU Jian-bing;HU Xiao-lin;ZHUANG Nai-feng;LIN Shu-kun;CHEN Jian-zhong. Growth and Inclusion Defect Analysis of Ba2TiSi2O8 Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(12): 2495-2499.

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